Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (типовое) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMBJE20AH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMBJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | ДО-214АА (СМБЖ) | Нет | 22,2 В | 18,6А | 32,4 В | 20 В | 1 | 600 Вт | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| 15BJ12AH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, 15BJxxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | DO-221AA, плоские выводы SMB | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СМБФ | Нет | 13,3 В | 75,4А | 19,9 В | 12 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| 30КП54СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 60,3 В | 331,5А | 91,4 В | 54В | 30000Вт (30кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| МРТ100КП156А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | МРТ100КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 174,3 В | 328А | 306В | 156В | 1 | 100000Вт (100кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 30КП280СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 312,8 В | 65,3А | 464В | 280В | 30000Вт (30кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| ВС9В0УД1ХСТ15Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | 0201 (0603 Метрическая единица) | 49пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДСН0603-2, СОД-962, СМД0603 | Нет | 9,6 В | 7,5 А (8/20 мкс) | 17В | 9 В (макс.) | 1 | 128 Вт | Ром Полупроводник | ||||
| ЯНС1Н6130 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6131US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6112US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6106US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6169A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| ЯНС1Н6130АУС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6103US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6153US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6155US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6126US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6166US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6170US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6123A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6107US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6132US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| SMFE43ALH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMFExxLH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | СОД-123Ф | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СОД-123ФЛ | Нет | 47,8 В | 5,8А | 69,4 В | 43В | 1 | 400 Вт | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| РТ100КП54А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | РТ100КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 60,3 В | 943А | 106В | 54В | 1 | 100000Вт (100кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 30КП150А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 167,6 В | 129,8А | 233,4 В | 150 В | 1 | 30000Вт (30кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 30КП58СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 64,8 В | 327,9А | 92,4 В | 58В | 30000Вт (30кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 5-0SMDJ33CAH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, 5-0SMDJxxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СМК | Нет | 36,7 В | 94А | 53,3 В | 33В | 5000 Вт (5 кВт) | 1 | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| SMCJE54AH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMCJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СМК | Нет | 60В | 17,2А | 87,1 В | 54В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| SMBJE78CAH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMBJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | ДО-214АА (СМБЖ) | Нет | 86,7 В | 4,8А | 126В | 78В | 600 Вт | 1 | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| SMAJE70CAH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMAJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АС, СМА | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | СМА | Нет | 77,8 В | 3,6А | 113В | 70В | 400 Вт | 1 | Eaton - Подразделение электроники | ||||
| SMBJE26CAH | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMBJExxH | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | ДО-214АА (СМБЖ) | Нет | 28,9 В | 14,3А | 42,1 В | 26В | 600 Вт | 1 | Eaton - Подразделение электроники |
