Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5630A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 7,13 В | 132А | 11,3 В | 6,4 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6056A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 48,5 В | 21,4А | 70,1 В | 43В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ТВС324/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | А, Осевой | - | Общего назначения | Осевой | Нет | 28,4 В | 3,6 А (8/20 мкс) | 42В | 24В | 1 | 150 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| MSMCG78CA/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 86,7 В | 11,4А | 126В | 78В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N5659A | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 114В | 9,1А | 165В | 102В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6039A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 9,5 В | 103А | 14,5 В | 8,5 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6042A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 12,4 В | 82А | 18,2 В | 11В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| LC48/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 100пФ на 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 53,3 В | 17,5А | 85,5 В | 48В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6124US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 50,54 В | 6,18А | 80,85 В | 42,6 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| MSMCG40A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 44,4 В | 23,2А | 64,5 В | 40В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6106AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 9,5 В | 34,5А | 14,5 В | 7,6 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| MSMCG20A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 22,2 В | 46,3А | 32,4 В | 20 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N5663A | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 162В | 6,4А | 234В | 145 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| МПЛАД6.5КП36А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Общего назначения | ПЛАД | Нет | 40В | 111А | 58,1 В | 36В | 1 | 6500 Вт (6,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| ДЛТС-24А | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТА) | 16-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 275 пФ @ 1 МГц (макс.) | Общего назначения | 16-КДИП | Нет | 26,7 В | 10 А (8/20 мкс) | 47,2 В | 24В | 15 | 500 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6110AUS/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 14,25 В | 23,8А | 21В | 11,4 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| MSMCG70CAE3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 77,8 В | 13,3А | 113В | 70В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| LC80A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 90пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 88,7 В | 11,6А | 129В | 80В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6051A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 31,4 В | 33А | 45,7 В | 28В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6123A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Б, Осевой | - | Общего назначения | Осевой | Нет | 48,5 В | 7.1А | 70,1 В | 38,8 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6107AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 10,45 В | 32А | 15,6 В | 8,4 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6161A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Г, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 58,9 В | 17,6А | 85,3 В | 47,1 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6463US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/551 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 13,6 В | 125 А (8/20 мкс) | 22,6 В | 12 В | 1 | 500 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6063AE3 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 95В | 11А | 137В | 82В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6473US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/552 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, G | - | Общего назначения | Г-МЕЛФ (Д-5С) | Нет | 27В | 207А (8/20 мкс) | 41,4 В | 24В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6037A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 7,79 В | 124А | 12,1 В | 7В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N5658A | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 105В | 9,9А | 152В | 94В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6362/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 25,9 В | 40А | 32В | 22В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| ЯН1Н5639А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 17,1 В | 59,5А | 25,2 В | 15,3 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| MXLCE33AE3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 100пФ на 1 МГц | Общего назначения | СЛУЧАЙ-1 | Нет | 36,7 В | 28,1А | 53,3 В | 33В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология |
