Телевизионные диоды - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

ТЕЛЕВИГИОННЕ ДИОДА (68624)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Весели МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Техниль Это PakeT / KORPUES Emcostath Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Губина Колист Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Rerйtingepeatania Полаяня Композиия МАКСИМАЛЕВАЯ Колист. Каналов Коунфигуразия R. Колист Ток Максималнг МАКС Rrabose anprayoneee Тест Пело А.И.Линии -эlektroperredaчi А.И. Пик Пулсово Охриотивоаоанин Пиковаова Опрена МАКСИМАЛИН Зaщita OSD На том, что Колисто Однопра Мин
SA7.0A-E3/51 SA7.0A-E3/51 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-sa70ae351-datasheets-4158.pdf ДО-15 7 V. СОУДНО ПРИОН 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 500 Вт 1 1 мка 4,4 а 1 май 7,78 В. 12 4,4 а 7 V. 500 Вт 7,78 В. 8,6 В. ОДНОАНАПРАВЛЕННА 7,78 В.
SA7.5CA-E3/51 SA7.5CA-E3/51 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-sa75cae351-datasheets-4166.pdf ДО-15 7,5 В. СОУДНО ПРИОН 2 Дюнапразлнн 500 Вт 1 1 мка 4.1 а 1 май 8,33 В. 12,9 В. 4.1 а 75 500 Вт 83,3 В. 9.21 V. Дюнапразлнн 8,33 В.
SA30CA-E3/51 SA30CA-E3/51 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-sa30cae351-datasheets-3868.pdf ДО-15 30 СОУДНО ПРИОН 2 Дюнапразлнн 1 500 Вт 1 1 мка 10 а 1 май 36,8 В. 48,4 В. 10 а 30 500 Вт 33,3 В. 36,8 В. Дюнапразлнн 33,3 В.
SA5.0A-E3/51 SA5.0A-E3/51 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-sa50ae351-datasheets-4112.pdf ДО-15 5в СОУДНО ПРИОН 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 500 Вт 1 600 мк 54,3 а 10 май 7,07 В. 9,2 В. 54,3 а 5в 500 Вт 6,4 В. 7,07 В. ОДНОАНАПРАВЛЕННА 6,4 В.
P6KE200CA/4 P6KE200CA/4 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С Rohs /files/vishaysemiconductor-p6ke200ca4-datasheets-4755.pdf ДО-15 171 v СОДЕРИТС 2 Дюнапразлнн 600 Вт 1 1 мка 100 а 1 май 190 274 2,2 а 171 v 600 Вт 190 210 Дюнапразлнн 190
P6SMB91AT3 P6SMB91AT3 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Лю SMD/SMT 150 ° С -65 ° С ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-p6smb91at3-datasheets-8972.pdf 100 а МАЛИ 77,8 В. СОДЕРИТС 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Zener 1 1 5 Мка 4,8 а 1 май 86,5. Не 125 45 а 7,78 В. 600 Вт 86,5. ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 8,65 В.
MSMLJ30ATR MSMLJ30ATR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 150 ° С -65 ° С Rohs /files/microchip-msmlj30atr-datasheets-9859.pdf СОДЕРИТС 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 кв 1 2 мка 1 май 48,4 В. 62 а 30 3 кв 33,3 В. 36,8 В. ОДНОАНАПРАВЛЕННА 33,3 В.
P6KE130A-E3/51 P6KE130A-E3/51 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-p6ke130ae351-datasheets-4622.pdf ДО-15 111 v СОУДНО ПРИОН 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 600 Вт 1 1 мка 100 а 1 май 124 179 3.4 а 111 v 600 Вт 124 137 В ОДНОАНАПРАВЛЕННА 124
P6KE18A/1 P6KE18A/1 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 175 ° С -55 ° С Rohs /files/vishay-p6ke18a1-datasheets-4707.pdf ДО-15 15,3 В. СОДЕРИТС 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 600 Вт 1 1 мка 23,8 а 1 май 17.1 v 25,2 В. 23,8 а 15,3 В. 600 Вт 17.1 v 18,9 В. ОДНОАНАПРАВЛЕННА 17.1 v
P6KE24A-E3/4 P6KE24A-E3/4 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-p6ke24ae34-datasheets-4779.pdf ДО-15 20,5. СОУДНО ПРИОН 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 600 Вт 1 1 мка 100 а 1 май 22,8 В. 33,2 В. 18,1 а 20,5. 600 Вт 22,8 В. 25,2 В. ОДНОАНАПРАВЛЕННА 22,8 В.
P6KE15A-E3/4 P6KE15A-E3/4 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-p6ke15ae34-datasheets-4645.pdf ДО-15 12,8 В. СОУДНО ПРИОН 2 600 Вт ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 1 мка 100 а 1 май 14,3 В. 21,2 В. 28,3 а 12,8 В. 600 Вт 14,3 В.
P6KE200CA-E3/51 P6KE200CA-E3/51 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-p6ke200cae351-datasheets-4750.pdf ДО-15 171 v СОУДНО ПРИОН 2 Дюнапразлнн 1 600 Вт 1 1 мка 100 а 1 май 190 274 2,2 а 171 v 600 Вт 190 220 Дюнапразлнн 180
P6KE9.1CA-E3/4 P6KE9.1CA-E3/4 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-p6ke91cae34-datasheets-8000.pdf ДО-15 7,78 В. 2 Дюнапразлнн 1 1 100 мк 100 а 1 май 8,65 В. 13,4 В. 44,8 а 7,78 В. 600 Вт 8,65 В.
ICTE15CHE3/73 ICTE15CHE3/73 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-icte15che373-datasheets-8798.pdf 15 2 Дюнапразлнн 1,5 кв 1 Одинокий 200 А. 2 мка 1 май 17,6 В. 21,4 В. 60 а 15 1,5 кв Дюнапразлнн 17,6 В.
GSOT03-GS08 GSOT03-GS08 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Весели SMD/SMT 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-gsot03gs08-datasheets-9107.pdf SOT-23 600 с 3,1 мм 3.3в СОУДНО ПРИОН 1,43 мм 3 Не Дюнапразлннн, оДоннопра 369 Вт 1 Одинокий 100 мк 30 а 3.3в 4 12,3 В. 30 а 3.3в 369 Вт 30,7 В. ОДНОАНАПРАВЛЕННА 27,5.
ESD5V0S4US H6327 ESD5V0S4US H6327 Infineon
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Веса SMD/SMT 125 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/infineon-esd5v0s4ush6327-datasheets-5322.pdf SOT-363-6 90 пф 6 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Zener 130 Вт 4 5,3 В. 5,7 В. Не 13 10 а 5в 130 Вт ОДНОАНАПРАВЛЕННА 4 5,7 В.
ESD3V3U1U02LRHE6327XTSA1 ESD3V3U1U02LRHE6327XTSA1 Infineon
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Веса SMD/SMT 125 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/infineon-esd3v3u1u02lrhe6327xtsa1-datasheets-4420.pdf 600 фр 1 ММ 340 мкм 600 мкм 3.3в 2 ЗOLOTO ОДНОАНАПРАВЛЕННА Zener 0 Вт 1 Одинокий 3 а 50 NA 3.3в 1 май 5в Не 28 3 а 3.3в В дар ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 5в
1N6281AHE3/54 1N6281AHE3/54 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-1N6281AHE354-datasheets-2292.pdf 23,1 В. 2 Оло ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5 кв Одинокий 40 А. 1 мка 25,7 В. 37,5 В. 40 А. 23,1 В. 1,5 кв Не ОДНОАНАПРАВЛЕННА 25,7 В.
1N6293AHE3/54 1N6293AHE3/54 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-1n6293aHe354-datasheets-2378.pdf 70,1 В. 2 Оло ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5 кв Одинокий 13,3 а 1 мка 77,9 В. 113 v 13,3 а 70,1 В. 1,5 кв Не ОДНОАНАПРАВЛЕННА 77,9 В.
1N6383HE3/54 1N6383HE3/54 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-1n6383he354-datasheets-3868.pdf 10 2 Оло Дюнапразлннн, оДоннопра 1,5 кв Одинокий 200 А. 2 мка 11,7 В. 14,5 В. 90 а 10 1,5 кв Не Дюнапразлнн 11,7 В.
1N6275AHE3/54 1N6275AHE3/54 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-1n6275aHe354-datasheets-2272.pdf 12,8 В. 2 Оло ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5 кв 1 Одинокий 70,8 а 1 мка 14,3 В. 21,2 В. 70,8 а 12,8 В. 1,5 кв Не ОДНОАНАПРАВЛЕННА 14,3 В.
1.5KE10CAHE3/54 1,5CE10CAHE3/54 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-15ke10cahe354-datasheets-6812.pdf 8,55 В. 2 Оло Дюнапразлннн, оДоннопра 1,5 кв Одинокий 103 а 20 мк 9,5 В. 14,5 В. 103 а 8,55 В. 1,5 кв Не Дюнапразлнн 9,5 В.
1.5KE120AHE3/54 1,5KE120AHE3/54 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-15ke120AHE354-datasheets-6859.pdf 102 2 Оло ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5 кв Одинокий 9,1 а 1 мка 114 165 9,1 а 102 1,5 кв Не ОДНОАНАПРАВЛЕННА 114
1.5KE440CA-E3/4 1,5KE440CA-E3/4 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru Весели Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-15ke440cae34-datasheets-7275.pdf 376 2 Дюнапразлнн 6,5 1 1 1 мка 2,5 а 1 май 418 602 В. 2,5 а 376 1,5 кв 418
1.5KE62CAHE3/54 1,5KE62CAHE3/54 Виал
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishay-15ke62caHe354-datasheets-7473.pdf 53 В. 2 Оло Дюнапразлнн 1,5 кв 1 Одинокий 17,6 а 1 мка 58,9 В. 85 17,6 а 53 В. 1,5 кв Не Дюнапразлнн 58,9 В.
1.5KE7.5CA-E3/4 1,5CE7.5CA-E3/4 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru Лю Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-15ke75cae34-datasheets-7516.pdf 6,4 В. СОУДНО ПРИОН 2 Дюнапразлннн, оДоннопра 1 1 1 мка 14,6 а 1 май 7,13 В. 11,3 В. 14,6 а 6,4 В. 1,5 кв 7,13 В.
1N6268AHE3/54 1N6268AHE3/54 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-1n6268aHe354-datasheets-1097.pdf 6,4 В. 2 Оло ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5 кв Одинокий 133 а 500 мк 7,13 В. 11,3 В. 133 а 6,4 В. 1,5 кв Не ОДНОАНАПРАВЛЕННА 7,13 В.
1N6273AHE3/54 1N6273AHE3/54 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-1n6273aHe354-datasheets-2265.pdf 10,2 В. 2 Оло ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5 кв Одинокий 89,8 а 5 Мка 11,4 В. 16,7 В. 89,8 а 10,2 В. 1,5 кв Не ОДНОАНАПРАВЛЕННА 11,4 В.
1N6280AHE3/54 1N6280AHE3/54 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-1n6280aHe354-datasheets-2284.pdf 20,5. 2 Оло ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5 кв Одинокий 45,2 а 1 мка 22,8 В. 33,2 В. 45,2 а 20,5. 1,5 кв Не ОДНОАНАПРАВЛЕННА 22,8 В.
1N6285AHE3/54 1N6285AHE3/54 В.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru Оос 175 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/vishaysemiconductor-1n6285aHe354-datasheets-2325.pdf 33,3 В. 2 Оло ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5 кв 1 Одинокий 27,8 а 1 мка 37,1 В. 53,9 В. 27,8 а 33,3 В. 1,5 кв Не ОДНОАНАПРАВЛЕННА 37,1 В.
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)