Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Напряжение — номинальный переменный ток | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Калибр проводов/кабелей | Контактное сопротивление | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Максимальный выходной ток | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Напряжение запуска | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Длина кабеля | Диаметр отверстий | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГБПК2506 | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-Квадратный, ГБПК | 8 недель | ГБПК | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-GBPC3502A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsgbpc3506a-datasheets-1016.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-А | 28,6 мм | 7,7 мм | 28,6 мм | 140 В | 4 | 28 недель | 14,999988г | Неизвестный | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | GBPC3502 | Одинокий | 4 | 35А | 1,1 В | 2,7 кВ | 500А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500А | 5мкА | 200В | Однофазный | 1 | 2 при мА 200 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-2КББ10Р | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2kbb20r-datasheets-9830.pdf | 4-СИП, 2КББ | 17,5 мм | 15 мм | 6,5 мм | 4 | 14 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | Нет | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | 1,9 А | 1,1 В | 52А | 10 мкА | КРЕМНИЙ | 52А | 10 мкА | 100 В | 52А | Однофазный | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | 31 | Прямой угол | 80мОм | ГБУ | 600 мкм | 8А | 200А | 5мкА | 5А | 400В | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ2508-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu2506e351-datasheets-7721.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | Без свинца | 4 | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 25А | 1,05 В | 300А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 300А | 5мкА | 800В | 300А | Однофазный | 25А | 1 | 3,5 А | 5 мкА при 600 В | 1,05 В @ 12,5 А | 3,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГСИБ2540-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gsib2560e345-datasheets-1009.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | Без свинца | 4 | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 25А | 1В | 350 мА | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 350А | Однофазный | 25А | 1 | 3,5 А | 10 мкА при 400 В | 1 В при 12,5 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УГ4КБ60ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 4-ЭСИП | 8 недель | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6Д-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6me345-datasheets-7734.pdf | 4-СИП, ГБУ | 211пФ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | Неизвестный | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ГБУ6Д | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 6А | 6А | 1В | 175А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 175А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС4К60 Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts4k60d3g-datasheets-0135.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 10 недель | ТС4К | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ2506-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu2506e351-datasheets-7721.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 25А | 1,05 В | 300А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 300А | 5мкА | 600В | 300А | Однофазный | 1 | 3,5 А | 5 мкА при 600 В | 1,05 В @ 12,5 А | 3,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| B483C-2T | Сенсата-Кридом | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Терминал контроля качества | -40°С~125°С ТДж | Масса | Непригодный | 125°С | -40°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/sensatacrydom-b483c2t-datasheets-0141.pdf | 240В | 35А | Модуль Б48 | Без свинца | 6 недель | 4 | Одинокий | 1 | 50А | 1,35 В | 600В | Однофазный | 600В | 1,35 В при 50 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЖ2010ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 8 недель | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 20 А | 20А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ606ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 8 недель | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MP506W-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/microcommercialco-mp504wbp-datasheets-1040.pdf | 4-квадратный, МП-50Вт | 4 | 12 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | МП506 | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 400А | 1 | 50А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,2 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ20065С-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu2006e345-datasheets-7295.pdf | 4-ЭСИП, БУ-5С | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,5 А | 240А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 240А | 5мкА | 600В | Однофазный | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ2010-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu2006e345-datasheets-7295.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | Без свинца | 4 | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 20А | 1,05 В | 240А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 1кВ | 240А | Однофазный | 20А | 1 | 3,5 А | 5 мкА при 1000 В | 1,05 В при 10 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10К80 Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10k80d3g-datasheets-0104.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 3 | 10 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т3 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 150А | 1 | 10А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 2 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1008А-М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1008am345-datasheets-0159.pdf | 4-СИП, БУ | 4 | 10 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 90А | 1 | 3А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ1010ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 8 недель | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВУО52-16НО1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпус, панель, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/ixys-vuo5216no1-datasheets-0109.pdf | 600В | 54А | В1-А | 63 мм | 17 мм | 31,6 мм | Без свинца | 7 | 20 недель | Нет СВХК | 5 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | ВУО52 | 7 | Одинокий | 95 Вт | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-X7 | 55А | 55А | 1,44 В | 350А | 1,5 мА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 375А | 300 мкА | 1,6 кВ | 380А | Трехфазный | 55А | 3 | 40 мкА при 1600 В | 1,13 В при 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ10005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-gbu1004g-datasheets-0699.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕ УКАЗАН | GBU10005 | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСИП-Т4 | 220А | 10 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 1 | 10А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8К-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8de351-datasheets-7168.pdf | 4-СИП, ГБУ | 68пФ | 22,3 мм | 20,83 мм | 3,56 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | Неизвестный | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ГБУ8К | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 150°С | 8А | 8А | 1В | 200А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200А | 5мкА | 800В | 200А | Однофазный | 8А | 1 | 5 мкА при 800 В | 1 В при 8 А | 3,9А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU8J-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8de351-datasheets-7168.pdf | 4-СИП, ГБУ | 94пФ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | GBU8J | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 8А | 8А | 1В | 200А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 600В | 200А | Однофазный | 8А | 1 | 5 мкА при 600 В | 1 В при 8 А | 3,9А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6Б | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБУ | 6А | 175А | 5мкА | 5А | 100 В | Однофазный | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР81 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2017 год | 4-кв., БР-8 | 4 недели | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | 24 АРГ | 8А | 125А | 10 мкА | 1м | 10А | 100 В | Однофазный | 100 В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВУО36-12НО8 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Терминал контроля качества | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-vuo3612no8-datasheets-0080.pdf | 5-Квадрат, ФО-Б | 28,5 мм | 10 мм | 28,5 мм | 400В | Без свинца | 5 | 16 недель | Нет СВХК | 5 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | ВУО36 | Одинокий | 17 Вт | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 35А | 35А | 1,7 В | 550А | 1,5 мА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5,2 мм | КРЕМНИЙ | 550А | 300 мкА | 1,2 кВ | 600А | Трехфазный | 27А | 3 | 40 мкА при 1200 В | 1,04 В при 15 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU8B | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | 25 | Прямой угол | 80мОм | ГБУ | 600 мкм | 8А | 200А | 5мкА | 5А | 100 В | Однофазный | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8Г-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu8de351-datasheets-7168.pdf | 4-СИП, ГБУ | 211пФ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | Неизвестный | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ГБУ8Г | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 8А | 8А | 1В | 200А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 400В | 200А | Однофазный | 8А | 1 | 5 мкА при 400 В | 1 В при 8 А | 3,9А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC2506WTA | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-Квадратный, ГБПК-З | 8 недель | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ1006-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bu1006e345-datasheets-0093.pdf | 4-СИП, БУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 4,1 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | НЕ УКАЗАН | БУ1006 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,2А | 1,05 В | 120А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 120А | 5мкА | 600В | 120А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 5 А |
