Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Напряжение - номинальное | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Напряжение проба | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТС10К40-А | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-SIP, ТС4К | 4 | 5 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 150А | 1 | 10А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС4К40-А Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts4k40ad3g-datasheets-8163.pdf | 4-SIP, ТС4К | 5 недель | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В @ 2 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10К40-А Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10k40ad3g-datasheets-8171.pdf | 4-SIP, ТС4К | 5 недель | ТС4К | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС4К80-А | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-SIP, ТС4К | 4 | 5 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 120А | 1 | 4А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В @ 2 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF02MA-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-df06mae345-datasheets-6999.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | DF02 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 30А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 30А | Однофазный | 1А | 1 | 1А | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| YBS2204G ТРЯПКА | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-SMD, плоские выводы | 5 недель | ЮБС | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 970 мВ при 2,2 А | 2,2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС4К40-А | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-SIP, ТС4К | 4 | 5 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 120А | 1 | 4А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В @ 2 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF04MA-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-df06mae345-datasheets-6999.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | DF04 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 30А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 5мкА | 400В | 30А | Однофазный | 1 | 1А | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПФ207Г С8Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbpf207gc8g-datasheets-8200.pdf | 4-СИП, КБПФ | 5 недель | КБПФ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF10SA-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-df10sae377-datasheets-0150.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 1А | е3 | Матовый олово (Sn) | 1кВ | ДВОЙНОЙ | 250 | ДФ10 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 30А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 5мкА | 1кВ | 30А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС10К60-А Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10k40ad3g-datasheets-8171.pdf | 4-SIP, ТС4К | 5 недель | ТС4К | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Б2М-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-b2me345-datasheets-8219.pdf | 4-ДИП (0,200, 5,08 мм) | 4,83 мм | 2,7 мм | 4,1 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | неизвестный | е3 | ДВОЙНОЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | Б2 | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 500 мА | 1В | 30А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 30А | 5мкА | 200В | 30А | Однофазный | 1 | 0,5 А | 5 мкА при 200 В | 1 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU4KL-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-gbu4jlbp-datasheets-8156.pdf | 4-СИП, ГБУ | 4 | 16 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 150А | 1 | 4А | 800В | 10 мкА при 800 В | 900 мВ при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ4М-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mb4me345-datasheets-8152.pdf | 4-ДИП (0,200, 5,08 мм) | 4,83 мм | 2,7 мм | 4,1 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | МБ4 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 800мА | 1В | 35А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 5мкА | 400В | 35А | Однофазный | 1 | 0,5 А | 5 мкА при 400 В | 1 В при 400 мА | 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГСИБ15А60-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gsib15a60e345-datasheets-8227.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 10 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 3,5 А | 200А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200А | 10 мкА | 600В | Однофазный | 1 | 10 мкА при 600 В | 1 В при 7,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DFL1510S-E3/77 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dfl1508se377-datasheets-6847.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 250 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,1 В | 50А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 5мкА | 1кВ | 50А | Однофазный | 1,5 А | 1 | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC2506T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/genesicemiconductor-gbpc2506t-datasheets-0813.pdf | 4-Квадратный, ГБПК | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 300А | 25А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| B40C800DM-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-b80c800dme345-datasheets-7041.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 900 мА | 1В | 45А | 10 мкА | КРЕМНИЙ | 45А | 10 мкА | 65В | 45А | Однофазный | 1 | 0,9 А | 10 мкА при 65 В | 1 В при 900 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF1506S-E3/77 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-df1506se345-datasheets-7395.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | DF1506 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 50А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 5мкА | 600В | 50А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБС406 М1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tbs406m1g-datasheets-7944.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 5 недель | ТВС | Однофазный | 600В | 2 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBRHDSH2-40 TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~125°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbrhdsh240tr13pbfree-datasheets-8101.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 2А | 40В | 50 мкА при 40 В | 500 мВ при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DFL1506S-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dfl1508se377-datasheets-6847.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | Неизвестный | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 250 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,5 А | 1,1 В | 50А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 50А | 5мкА | 600В | 50А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF1510S-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-df1506se345-datasheets-7395.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 250 | DF1510 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 50А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 5мкА | 1кВ | 50А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДБФ1510У-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-rdbf1510u13-datasheets-7893.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 4 | 12 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДСО-Ф4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 70А | 1 | 1,5 А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,3 В при 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РМБ4С-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rmb4se380-datasheets-0475.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 13пФ | 4,95 мм | 2,7 мм | 4,1 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 219,992299мг | Неизвестный | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | 4 юаня | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 500 мА | 500 мА | 1,25 В | 30А | 400В | КРЕМНИЙ | 5мкА | 400В | 30А | Однофазный | 500 мА | 1 | 280В | 5 мкА при 400 В | 1,25 В при 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| B380C1000G-E4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-b250c1000ge451-datasheets-0515.pdf | 4-круговая, WOG | 9,86 мм | 5,6 мм | 8,84 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | Серебро | Нет | е4 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1В | 45А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 45А | 10 мкА | 600В | 45А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 600 В | 1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| B40C1500G-E4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-b250c1500ge451-datasheets-0769.pdf | 4-круговая, WOG | 9,86 мм | 5,6 мм | 8,84 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | Нет | е4 | Серебро (Ag) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,6А | 1В | 50А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50А | 10 мкА | 65В | 50А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 65 В | 1 В при 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ02-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl01e345-datasheets-1437.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 4А | 1В | 150А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 150А | Однофазный | 4А | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF08MA-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-df06mae345-datasheets-6999.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | DF08 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 30А | 5мкА | КРЕМНИЙ | 5мкА | 800В | 30А | Однофазный | 1А | 1 | 1А | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC5008W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | 50В | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-gbpc3506wg-datasheets-9746.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 6,2 нФ | 1,6002 мм | 787,4 мкм | 4 | 12 недель | 889 мкм | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | 5% | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | S-XUFM-W4 | 400А | 10 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 450А | 1 | 50А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 25 А | 50А |
