| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РС505-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/comchiptechnology-rs507g-datasheets-8596.pdf | 4-СИП, РС-5 | РС5 | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 5 А | 5А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП02М-БП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-kbp02mbp-datasheets-0446.pdf | 4-СИП, КБПР | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицирован | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||
| КБП01М-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microcommercialco-kbp02mbp-datasheets-0446.pdf | 4-СИП, КБПР | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицирован | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||
| GBU8JL-7000E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 8 А | 3,9 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП301-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microcommercialco-kbp308bp-datasheets-0438.pdf | 4-СИП, КБПР | 4 | 8 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицирован | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | 3А | |||||||
| КБУ803Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu802gt0g-datasheets-0415.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП005-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~165°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-2kbp06bp-datasheets-4484.pdf | 4-СИП, КБПЛ | 4 | 8 недель | да | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,2 В при 2 А | 2А | ||||||
| КБУ1002Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ607Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbl602gt0g-datasheets-0372.pdf | 4-СИП, КБЛ | КБЛ | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ604Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu602gt0g-datasheets-0417.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ406Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbl403gt0g-datasheets-0370.pdf | 4-СИП, КБЛ | КБЛ | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ605Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu602gt0g-datasheets-0417.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1007Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ГСИБ2560НЛ-01М3/П | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГСИБ-5С | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 12,5 А | 3,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ402Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu402gt0g-datasheets-0412.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ804Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu802gt0g-datasheets-0415.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГСИБ1580-5402Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГСИБ-5С | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 950 мВ при 7,5 А | 3,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1001Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ405Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu402gt0g-datasheets-0412.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||
| РС506-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/comchiptechnology-rs507g-datasheets-8596.pdf | 4-СИП, РС-5 | РС5 | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 5 А | 5А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ802Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu802gt0g-datasheets-0415.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ603Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu602gt0g-datasheets-0417.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ404Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu402gt0g-datasheets-0412.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1006Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, КБУ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-ПСФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 200А | 1 | 10А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||
| КБУ602Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu602gt0g-datasheets-0417.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБП308-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microcommercialco-kbp308bp-datasheets-0438.pdf | 4-СИП, КБПР | 4 | 8 недель | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицирован | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | 3А | |||||||
| КБУ601Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu602gt0g-datasheets-0417.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ607Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu602gt0g-datasheets-0417.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1004Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ406Г Т0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbu402gt0g-datasheets-0412.pdf | 4-СИП, КБУ | КБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 4 А | 4А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.