Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули драйверов питания(1071)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальный ток | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Выходное напряжение | Выходной ток | Конфигурация | Количество выходов | Частота переключения | Напряжение – изоляция | Максимальное напряжение проба | Минимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Выходной ток-Макс. | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Топология |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФПАМ30LH60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ПФК СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fpam30lh60-datasheets-1569.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60,5 мм | 7,3 мм | 31,5 мм | Без свинца | 6мА | 32 | 6 недель | 37 463 г | 16,5 В | 13,5 В | 32 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | 30А | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | 15 В | НЕ УКАЗАН | Импульсный регулятор или контроллеры | 15 В | Не квалифицирован | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,2 В | Возможность увеличивать высоту | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НФАЛ5065L4BT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | 8,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfal5065l4bt-datasheets-1577.pdf | Модуль 31-PowerDIP (1,385, 35,17 мм) | 79 мм | 31 мм | 31 | 4 недели | да | НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ УПРАВЛЕНИЯ = 15 В. | 50А | 1 | 650В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 300В | Р-XDMA-T31 | 3-фазный инвертор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NFAL7565L4B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | 8,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfal7565l4b-datasheets-1579.pdf | Модуль 30-PowerDIP (1,385, 35,17 мм) | 79 мм | 31 мм | 30 | 4 недели | да | НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ УПРАВЛЕНИЯ = 15 В. | 75А | 1 | 650В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 300В | Р-XDMA-T30 | 3-фазный инвертор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BM63967S-VC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-bm63967svc-datasheets-1581.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,327, 33,70 мм) | 25 | 13 недель | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ОТ 13 В ДО 18,5 В; НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 0 В ДО 400 В | 30А | 1 | 600В | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДРУГОЙ | 100°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XZFM-T25 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ75СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 5 кГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fsam75sm60a-datasheets-1583.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | Без свинца | 32 | 6 недель | 46 938 г | Нет СВХК | 32 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 253В | 8541.29.00.95 | 1 | 75А | е3 | ИНН | 189 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | 15 В | 16,5 В | 13,5 В | 189 Вт | 600В | 110А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,4 В | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФНБ51060ТД1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение SPM® 55 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fnb51060td1-datasheets-1593.pdf | Модуль 20-PowerDIP (1,220, 31,00 мм) | 4 недели | 5.70216г | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | не_совместимо | 10А | е3 | Олово (Вс) | 600В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 2,15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BM63364S-VC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 6 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-bm63364svc-datasheets-1605.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,327, 33,70 мм) | 38 мм | 24 мм | 25 | 13 недель | Нет СВХК | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ ОТ 13 В ДО 18,5 В. | 15А | 8542.39.00.01 | 1 | 600В | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДРУГОЙ | 100°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XZMA-T25 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SP0430T2B0C-FF1500R12IE5 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ВЕСЫ™-2 | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/powerintegrations-2sp0430t2a0cff1800r17ip5-datasheets-1522.pdf | Модуль | 16 недель | 1500А | 1,2 кВ | 3-фазный инвертор | 9100 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ10Ч120Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 20 кГц | 5мА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fsbb10ch120d-datasheets-1616.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44,2 мм | 5,7 мм | 27 мм | 600В | 27 | 6 недель | 13,32 г | 900В | 27 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 10А | 69 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | Электроника управления движением | 15 В | 1,2 кВ | 10А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 кВ | 2,8 В | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FNA41560B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение SPM® 45 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fna41560-datasheets-1539.pdf | Модуль 26-PowerDIP (1,024, 26,00 мм) | 39,5 мм | 4,8 мм | 23,5 мм | Без свинца | 26 | 46 недель | 17.088г | 16,5 В | 13,5 В | 26 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | е3 | Олово (Вс) | 41 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 2,54 мм | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | 3,65 мА | Не квалифицирован | 3 фаза | 5 кГц | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 1,8 В | 30А | 2,3 В | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NFAL7565L4BT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | 8,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfal7565l4bt-datasheets-1644.pdf | Модуль 31-PowerDIP (1,385, 35,17 мм) | 79 мм | 31 мм | 31 | 4 недели | да | НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ УПРАВЛЕНИЯ = 15 В. | 75А | 1 | 650В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 300В | Р-XDMA-T31 | 3-фазный инвертор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ВЕСЫ™-2 | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/powerintegrations-2sp0430t2a0cff1800r17ip5-datasheets-1522.pdf | Модуль | 16 недель | 1800А | 1,7 кВ | 3-фазный инвертор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SP0430T2B0C-FF1500R17IP5 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ВЕСЫ™-2 | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/powerintegrations-2sp0430t2a0cff1800r17ip5-datasheets-1522.pdf | Модуль | 16 недель | 1500А | 1,7 кВ | 3-фазный инвертор | 9100 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SP0430T2A0C-FF1500R12IE5 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ВЕСЫ™-2 | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/powerintegrations-2sp0430t2a0cff1800r17ip5-datasheets-1522.pdf | Модуль | 16 недель | 1500А | 1,2 кВ | 3-фазный инвертор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SP0430T2B0C-FF1800R12IE5 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ВЕСЫ™-2 | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/powerintegrations-2sp0430t2a0cff1800r17ip5-datasheets-1522.pdf | Модуль | 16 недель | 1800А | 1,2 кВ | 3-фазный инвертор | 9100 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FNA27560 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | 9,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fna27560-datasheets-1528.pdf | Модуль 34-PowerDIP (1,480, 37,60 мм) | 80 мм | 33 мм | 34 | 7 недель | 32,58 г | Нет СВХК | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ УПРАВЛЕНИЯ (VCC) = 15 В | 1 | 75А | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 300В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 400В | НЕ УКАЗАН | Р-XDMA-T34 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 150А | 2,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БМ63363С-ВА | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-bm63363svc-datasheets-1310.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,134, 28,80 мм) | 24 | 13 недель | Нет СВХК | 10А | 8542.39.00.01 | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 125°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XDFM-T24 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БМ63563С-ВА | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-bm63563sva-datasheets-1457.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,134, 28,80 мм) | 24 | 13 недель | 10А | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 125°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XDFM-T24 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БМ63564С-ВА | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-bm63564sva-datasheets-1459.pdf | Модуль 25-PowerDIP (1,134, 28,80 мм) | 24 | 13 недель | 15А | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 125°С | -25°С | НЕ УКАЗАН | Р-XDFM-T24 | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФНБ51560ТД1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение SPM® 55 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 6 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fnb51560td1-datasheets-1461.pdf | Модуль 20-PowerDIP (1,220, 31,00 мм) | 37 мм | 21 мм | 16,5 В | 20 | 6 недель | 5.70216г | 20 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 14 В | НЕ УКАЗАН | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 30А | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FNA41060 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение SPM® 45 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fna41060b2-datasheets-0952.pdf | Модуль 26-PowerDIP (1,024, 26,00 мм) | 39,5 мм | 4,5 мм | 23,5 мм | 26 | 8 недель | 16 712 г | 16,5 В | 13,5 В | 26 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 10А | е3 | Олово (Вс) | 34 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | НЕ УКАЗАН | Электроника управления движением | 15 В | 3,65 мА | Не квалифицирован | 3 фаза | 5 кГц | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 1,7 В | 20А | 2,2 В | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| GCMS020A120S1-E1 | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | Крепление на шасси | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-gcms020a120s1e1-datasheets-1478.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 12 недель | 120А | 1,2 кВ | 1 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ20Ч120Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-fsbb20ch120d-datasheets-1480.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 27 | 8 недель | 13,32 г | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ УПРАВЛЕНИЯ (VCC) = 15 В | 1 | 20А | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 600В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 800В | 300В | Р-XDFM-T27 | 3-фазный инвертор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 кВ | 40А | 2,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FND43060T2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение SPM® 45 | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | /files/onsemiconductor-fnd43060t2-datasheets-1487.pdf | Модуль 26-PowerDIP (1,024, 26,00 мм) | 26 | 8 недель | да | 30А | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 300В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Р-КДФМ-Т26 | 3-фазный инвертор | 2000 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФПАБ30БХ60Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ПФК СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fpab30bh60b-datasheets-1491.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 26,8 мм | 27 | 8 недель | 21,39 г | 27 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | 30А | 8541.29.00.95 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 104 Вт | ЗИГ-ЗАГ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 16,5 В | 13,5 В | НЕ УКАЗАН | 104 Вт | Импульсный регулятор или контроллеры | 15 В | Не квалифицирован | 1 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,8 В | 60А | Возможность увеличивать высоту | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FNA25060 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | 8,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fna25060-datasheets-6333.pdf | Модуль 34-PowerDIP (1,480, 37,60 мм) | 80 мм | 33 мм | Без свинца | 34 | 7 недель | 32,58 г | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | 50А | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 16,5 В | 14 В | НЕ УКАЗАН | Р-XDMA-T34 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 100А | 2,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGIF7CH60TS-L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СЛИММ™ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgif7ch60tsl-datasheets-1431.pdf | Модуль 26-PowerDIP (1,134, 28,80 мм) | 26 | 26 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 10А | 8542.39.00.01 | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | STGIF7 | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | Р-ПДФМ-Т26 | 3 фаза | 1500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НФЛ25065L4BT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | 8,7 мм | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nfl25065l4bt-datasheets-1507.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 31 мм | 32 | 4 недели | да | ТАКЖЕ ИМЕЕТ ВХОДНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 187 ВСКЗ ДО 253 ВСКЗ. | 50А | 1 | 650В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Р-XDMA-T32 | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НФКС1060Л3ТТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | 6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-nfcs1060l3tt-datasheets-1434.pdf | Модуль 35-PowerSSIP, 25 выводов, формованные выводы | 62 мм | 8,7 мм | 25 | 4 недели | да | WD-РАСКЕТ | 10А | 1 | 600В | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | 15 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 100°С | -40°С | Р-XZMA-T25 | 3-фазный инвертор | 2000 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ30Ч60Б | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение-СПМ® | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fsbb30ch60b-datasheets-1509.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 27 | 30А | 1 | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 15 В | 27 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-XDMA-T27 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) |
