Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA114ECAHZGT116 | РОМ Полупроводник | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-dta114ecahzgt116-datasheets-3582.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 350 мВт | 250 МГц | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC144ECAHZGT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohm-dtc144ecahzgt116-datasheets-1254.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1,0. | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 350 мВт | 250 МГц | 100 мА | NPN — предварительное размещение + диод | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2237LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2237lt1g-datasheets-3744.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА144ЕС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pdta144eu115-datasheets-3597.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТА144 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dtc114ekat146-datasheets-2224.pdf | 50В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,3 мм | 1,6 мм | 50В | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC114 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 150°С | 100 мА | 250 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC124XU,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-pdtc124xu115-datasheets-3787.pdf | СК-70, СОТ-323 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 124,596154 мг | Нет СВХК | 3 | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,14. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТК124 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2115LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmun2115lt1g-datasheets-3243.pdf | -50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 50В | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММУН21**Л | 3 | Одинокий | 40 | 246мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА144ЕТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pdta144eu115-datasheets-3597.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТА144 | 3 | 150°С | 40 | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 мВт | 100 МГц | 50В | 100 мА | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 5 В | 5пФ | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА143ЗТ,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pdta143zt215-datasheets-3570.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 10 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ПДТА143 | 3 | Одинокий | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 10 мА 5 В | 100 мВ @ 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА144ЕТ,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pdta144eu115-datasheets-3597.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ПДТА144 | 3 | Одинокий | 150 мВт | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 100 МГц | -10В | 80 | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2133LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mmun2133lt1g-datasheets-1653.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | 50В | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 0,1 | Олово | Нет | е3 | ПНП | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММУН21**Л | 3 | Одинокий | 40 | 246мВт | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| SMUN5113T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2113lt1g-datasheets-1641.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МУН51**Т | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC114YT,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pdtc114yu115-datasheets-1922.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТК114 | 3 | 150°С | 40 | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 мВт | 50В | 100 мА | 0,25 Вт | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 100 при 5 мА 5 В | 100 мВ @ 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТК114ТТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nexperiausainc-pdtc114tu115-datasheets-3657.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ПДТК114 | 3 | 250 мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 100 мА | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 200 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДРДНБ16W-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-drdn005w7-datasheets-4818.pdf | 50В | 600 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДРДНБ16 | 6 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 600 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600 мА | 50В | 50В | 300мВ | 600 мА | 200 МГц | 5В | 56 | 500нА | NPN — предварительное размещение + диод | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТД113ЗКТ146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 50В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | 50В | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД113 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 500 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 82 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 82 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5213T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mmun2213lt1g-datasheets-1617.pdf | 50В | 100 мА | СК-70, СОТ-323 | 50В | Без свинца | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МУН52**Т | 3 | Одинокий | 40 | 202мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-dta114yet1g-datasheets-3438.pdf | -50В | -100 мА | СК-75, СОТ-416 | 50В | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА114 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТД143ЕКТ146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 50В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 50В | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД143 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 500 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 47 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 47 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC124EET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mmun2212lt1g-datasheets-1623.pdf | 50В | 100 мА | СК-75, СОТ-416 | 1,65 мм | 800 мкм | 900 мкм | 50В | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC124 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 60 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА143ЗТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pdta143zt215-datasheets-3570.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТА143 | 3 | 150°С | 40 | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 мВт | 50В | 100 мА | 0,25 Вт | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 10 мА 5 В | 5пФ | 100 мВ @ 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА114ЕЭТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dta114euat106-datasheets-2198.pdf | -50В | -50 мА | СК-75, СОТ-416 | 50В | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА114 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | 100 мА | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -50 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУН2233Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmun2233lt1g-datasheets-1466.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,09 мм | 1,5 мм | 50В | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 230мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN2233 | 3 | Одинокий | 40 | 338мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПДЦ114Ю,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pdtc114yu115-datasheets-1922.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТК114 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 100 при 5 мА 5 В | 230 МГц | 100 мВ @ 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТК114ТУ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pdtc114tu115-datasheets-3657.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТК114 | 3 | 30 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | NPN — предварительный смещенный | 200 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC143XCAHZGT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,1. | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 350 мВт | 250 МГц | 100 мА | NPN — предварительное размещение + диод | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА143ЕТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pdta143et215-datasheets-3694.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТА143 | 3 | 150°С | 40 | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 5пФ | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА143XT,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pdta143xt215-datasheets-3700.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | 50В | Без свинца | 3 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТА143 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 180 МГц | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 100 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC143EETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dtc143ekat146-datasheets-2117.pdf | 50В | 100 мА | СК-75, СОТ-416 | 50В | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТД123ЮТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-pdtd123yt215-datasheets-3122.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 мм | 1 мм | 1,4 мм | 50В | Без свинца | 3 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,21. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТД123 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | 500А | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 500 мА | 5В | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм |
