Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МУН2237Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmun2237lt1g-datasheets-3744.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 338мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 230мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMUN2116LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmun2116lt1g-datasheets-1549.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММУН21**Л | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУН2240Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmun2240lt1g-datasheets-6022.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 338мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 230мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 120 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2309,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2316,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2140LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-dta144tm3t5g-datasheets-5287.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 120 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA143ZETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dta143zuat106-datasheets-2343.pdf | -50В | -100 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА114ТУ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pdta114tt215-datasheets-4033.pdf | СК-70, СОТ-323 | 50В | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТА114 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 200 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2131МФВ,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-723 | 3 | 10 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 150 мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА144ЕЭТЛ | РОМ Полупроводник | 0,01 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-dta144eubtl-datasheets-6990.pdf | -50В | -30 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА144 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300мВ | 30 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA114EEBTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-dta114euat106-datasheets-2198.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА114 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 20 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2132МФВ,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 200 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2101MFV,L3F(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2105MFV,L3F(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD123YCT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 4,5. | не_совместимо | 8541.21.00.75 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 0,3 В | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА143ЕМТ2Л | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dta143ekat146-datasheets-2360.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА123ЕТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/nexperiausainc-pdta123etvl-datasheets-1270.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТА123 | 3 | 30 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 20 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1105МФВ,L3F(КТ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТК115ТУА-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc114tua7f-datasheets-4887.pdf | 50В | 100 мА | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТК115 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| РН1131МФВ,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1112(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СК-75, СОТ-416 | 10 недель | ДА | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТД123ТТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-pdtd123ts126-datasheets-8930.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТД123 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 500 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 50 мА 5 В | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC014ТУБТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-dtc014tmt2l-datasheets-8281.pdf | СК-85 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | EAR99 | 250 МГц | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 150 мВ | 100 мА | 250 МГц | 5В | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 5 мА 10 В | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2316(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 16 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН231* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTA123TCA-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-ddta144tca7-datasheets-5253.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТА123 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTC143FCA-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-ddtc123jca7f-datasheets-1365.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА124ЕЭТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dta124euat106-datasheets-4379.pdf | -50В | -30 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА124 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 30 мА | 250 МГц | 56 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТД123ЕТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-pdtd123es126-datasheets-8940.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПДТД123 | 3 | Одинокий | 40 | 250мВт | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 500 мА | 10 В | 40 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 40 @ 50 мА 5 В | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTD543ZETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | Нет | 260 МГц | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД543 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 60мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 12 В | 12 В | 300мВ | 500 мА | 260 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTC143EE-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc123ee7-datasheets-6097.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 19 недель | 2,012816мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 10 В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 20 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм |
