Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НСВДТА114ЕМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmun2111lt1g-datasheets-1510.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТБ113ZQAZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdtb143xqaz-datasheets-5622.pdf | 3-XDFN Открытая площадка | 3 | 4 недели | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 10. | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 325 МВт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 325 МВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 150 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 150 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTD143EQAZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pdtd143eqaz-datasheets-5660.pdf | 3-XDFN Открытая площадка | 4 недели | 325 МВт | DFN1010D-3 | 325 МВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 50В | 500 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 @ 50 мА 5 В | 210 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1317(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 100мВт | РН131* | Одинокий | 100мВт | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 30 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТБ113EQAZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdtb113eqaz-datasheets-5601.pdf | 3-XDFN Открытая площадка | 3 | 4 недели | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 325 МВт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 325 МВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 150 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 33 @ 50 мА 5 В | 150 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR573E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcr573e6433htma1-datasheets-5486.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 26 недель | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 0,1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCR573 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 330мВт | 150 МГц | 50В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2310(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-rn2310te85lf-datasheets-3894.pdf | СК-70, СОТ-323 | 16 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН231* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 120 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR553E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcr553e6327htsa1-datasheets-5497.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 330мВт | 150 МГц | 50В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 40 @ 50 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВДТК144ТМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmun2240lt1g-datasheets-6022.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 260мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR555E6433HTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcr555e6327htsa1-datasheets-0576.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 26 недель | да | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 0,22 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR555 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 330мВт | 150 МГц | 50В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВДТК113ЕМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-dtc113eet1g-datasheets-6559.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 260мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА124ТМТ2Л | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | -50В | -100 мА | СОТ-723 | 50В | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА124 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| НСВММУН2114LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-dta114yet1g-datasheets-3438.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 246мВт | 246мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА143ХМТ2Л | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dta143xuat106-datasheets-7494.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1. | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300 мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||
| НСВММУН2217LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2217lt1g-datasheets-6069.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТД114ЭТВЛ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdtd143xtr-datasheets-7421.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | 320мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 320мВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 225 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 225 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТБ114ЭТВЛ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pdtb114etvl-datasheets-5585.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 320мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 320мВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 140 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 140 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВДТК123JM3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-dtc123jet1g-datasheets-1889.pdf | СОТ-723 | 3 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21. | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 260мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА115ТМТ2Л | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohm-dta115tmt2l-datasheets-3915.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА115 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| НСВДТА143ЕМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-nsvmun5132t1g-datasheets-6400.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 260мВт | 260мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR573E6433HTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcr573e6433htma1-datasheets-5486.pdf | -50В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 26 недель | 3 | да | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 0,1 | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR573 | Одинокий | 1 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 300 мВ | 500 мА | 150 МГц | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВДТК123ЕМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmun2231lt1g-datasheets-1634.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 260мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 8 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТД114ЕУФ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300мВт | 50В | 100 мВ | 500 мА | 225 МГц | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 225 МГц | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМУН2111Т3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2111lt1g-datasheets-1510.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 230мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МУН2111 | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 35 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА123ЕМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-nsvmun5131t1g-datasheets-5034.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 часа назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА123 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 8 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 8 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||
| НСВДТА114YM3T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-dta114yet1g-datasheets-3438.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 260мВт | 260мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВДТА113ЕМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-dta113em3t5g-datasheets-5357.pdf | СОТ-723 | Без свинца | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 260мВт | 260мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR523E6433HTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-bcr523ue6433htma1-datasheets-5336.pdf | 50В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 6 | 26 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,1. | Олово | Нет | НПН | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR523 | Одинокий | 1 | Р-ПДСО-Г6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 500 мА | 100 МГц | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 70 @ 50 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR521E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/infineontechnologies-bcr521e6327htsa1-datasheets-5466.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCR521 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 330мВт | 100 МГц | 50В | 500 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 20 @ 50 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА115ЕМ3Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-dta115eet1g-datasheets-0616.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-723 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 260мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТА115 | 3 | Одинокий | 40 | 260мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм |
