Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактRF BJT Transistors (1743)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | На | Это | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАССА | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛАНА | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Полаяня | Спр | Пефер | МАКСИМАЛЕВАЯ | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Я | Поседл | PoSta | Posta | Коунфигуразия | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | R. | Колист | Подкейгория | Питания | Прирост | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Взёд | Nomer- /Водад | Poluhith | MATERIOLTRANSHOTORA | Коунфигура | Слюна | Прилоэна | Пола | Neprerыvnыйtokkollekshyorana | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Имея | Канала Дма | ШIMCANALы | Канала | Oprogrammirueomostath | Na чip -programme шyrina pзu | СЕМЕНА | Синла - МАКС | СОМАНИЕ ВСЕГО СОЗДА | МАКСИМАЛИН | Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles | Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera | NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) | МАККСКОЛЕРНА | ASTOTA -PRERESHODA | Рим (Слова) | Ох (бахт) | ТАКТОВА | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | В конце концов | Napraheneee boshovowowogogolyheenhynaipe (Vebo) | Hfe Min | Это | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | Коллексионер-бара-я-мкост-макс | ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | ASTOTA - PRERESHOD |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5006-T1-A | Cel (kalipornipa vonoStoчne llaboratoriтов) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | SOT-523 | 9db | 125 м | 12 | 100 май | Npn | 80 @ 7ma 3V | 1,2db @ 1 ggц | 4,5 -е | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE202930-T1-A | Cel (kalipornipa vonoStoчne llaboratoriтов) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | SC-70, SOT-323 | 3 | Не | 150 м | 13,5db | 150 м | 6в | 6в | 100 май | 9в | Npn | 85 @ 5ma 5V | 1,15 дБ @ 1ggц | 11 -е | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2304 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Креплэни, Винт | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | 4,32 ММ | В | /files/microsemicorporation-2304-datasheets-6579.pdf | 55bt | 22,8 мм | 7,62 мм | 18 | 55 | в дар | 3A991.A.2 | Оло | 8542.31.00.01 | E3 | 10,2 | Дон | СКВОХА | Nukahan | 5в | 2,54 мм | 18 | 5,5 В. | 3В | Nukahan | МИККРОКОНТРОЛЕР | 3/5. | 8 дБ | Н.Квалиирована | R-PDIP-T18 | 13 | 4 мг | МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC | 8 | Не | Не | Не | Не | Otprom | 14 | Картинка | 10,2 | 45 | 45 | 600 май | 512 | 96 | 4 мг | Npn | 10 @ 300 май 5в | 2,3 -е | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3585-T1B-A | Cel (kalipornipa vonoStoчne llaboratoriтов) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | 1.437803G | 3 | Оло | 200 м | 9db | 200 м | 10 В | 10 В | 10 В | 35 май | 20 | 1,5 В. | Npn | 50 @ 10ma 6v | 1,8db @ 2 ggц | 10 -е | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UTV005 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШASCI, STAUD | ШAsci, Стало | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 1996 | /files/microsemicorporation-utv005-datasheets-6308.pdf | 55 Футов | 4 | 12 | 55 | Проиод. | не | Ear99 | Вес | Не | 860 мг | E0 | Олейнн | 8 Вт | Рриал | Плоски | 4 | 1 | 11 дБ | O-CRPM-F4 | Кремни | Одинокий | Исилитель | Npn | Илтра | 24 | 45 | 750 май | Npn | 20 @ 100ma 5 | 470 мг ~ 860 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4427 | Central Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | -65 ° C ~ 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2001 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4427-datasheets-6438.pdf | 205 годов, 39-3 Металлабанка | СОУДНО ПРИОН | 3 | 8 | не | Ear99 | not_compliant | 8541.29.00.75 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 1 Вт | Униджин | Проволока | Nukahan | Одинокий | Nukahan | 1 | Дригейтере | 10 дБ | Н.Квалиирована | O-MBCY-W3 | 1 Вт | 500 мг | Кремни | Исилитель | Npn | 400 май | Оео -сара | 20 | 500 м | 20 | 400 май | 500 мг | 40 | 2в | 10 | Npn | 10 @ 100ma 5 | 4pf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1536-08 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Креплэни, Винт | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | /files/microsemicorporation-sd153608-datasheets-6310.pdf | M105 | 2 | 3 | не | Ear99 | Не | 1,15 -е | E0 | Олейнн | 292 Вт | Дон | Плоски | 2 | 1 | Дригейтере | 8,4 дБ | S-CDFM-F2 | Кремни | Одинокий | Nbaзa | Исилитель | Npn | Фунт | 65 | 65 | 10 часов | 1025 мг | 65 | Npn | 5 @ 100ma 5 | 1 025 гг ~ 1,15 гг. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH3134-75S | Macom Technology Solutions | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШASCI | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2009 | /files/macomtechnologysolutions-ph313475s-datasheets-6313.pdf | МЕТАЛЛЛ | 2 | 2 | в дар | С.Миттеро -баллан | 75 Вт | Дон | Плоски | Nukahan | Nukahan | 1 | Дригейтере | 7,5 дБ | Н.Квалиирована | Кремни | Одинокий | Nbaзa | Исилитель | Npn | 75 Вт | Сб | 65 | 65 | 8.9a | Npn | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE202930-A | Cel (kalipornipa vonoStoчne llaboratoriтов) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | SC-70, SOT-323 | 3 | Не | 150 м | 13,5db | 150 м | 6в | 6в | 100 май | 9в | Npn | 85 @ 5ma 5V | 1,15 дБ @ 1ggц | 11 -е | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2sc5066-y, lf | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 125 ° C TJ | Веса | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | SC-75, SOT-416 | НЕИ | 100 м | 100 м | 12 | 12 | 30 май | Npn | 120 @ 10ma 5v | 1db @ 500 -hgц | 7 гер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5096-R, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 125 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 2014 | SC-75, SOT-416 | 1,4 дБ | 100 м | 10 В | 15 май | Npn | 50 @ 7ma 6V | 1,4db @ 1 ggц | 10 -е | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF517 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/microsemicorporation-mrf517-datasheets-6351.pdf | 205 годов, 39-3 Металлабанка | 3 | 13 | 3 | Проидж (poslegedene obnowneeshe: 3 nededeli -nanazhad) | не | Ear99 | Не | 8541.29.00.75 | E0 | Олейнн | 2,5 | Униджин | Проволока | 3 | 1 | 9db ~ 10db | Кремни | Одинокий | Исилитель | Npn | 2,5 | Илтра | 20 | 20 | 150 май | 4000 мг | 35 | Npn | 50 @ 60 мам 10 | 4.5pf | 4 Гер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1035MP | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШASCI | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | /files/microsemicorporation-1035MP-datasheets-6361.pdf | 55FW-1 | 20 | не | Ear99 | 125 Вт | 4 | 10 дБ ~ 10,5 дБ | 65 | 2.5A | 2.5A | Npn | 20 @ 100ma 5 | 1 025 гг ~ 1,15 гг. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Umil10 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШASCI, STAUD | ШAsci, Стало | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/microsemyporation-umil10-datasheets-6381.pdf | 55 Футов | 4 | 55 | Проиод. | не | Ear99 | Вес | Не | 8541.29.00.95 | E0 | Олейнн | 28 wt | Рриал | Плоски | 4 | 1 | Дригейтере | 10 дБ | O-CRPM-F4 | Кремни | Одинокий | Npn | 28 wt | Илтра | 30 | 30 | 1,5а | Npn | 10 @ 200 Мас 5 В | 100 мг ~ 400 мгц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBTH11 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 650 мг | Rohs3 | 2002 | /files/onsemyonductor-mmbth11-datasheets-6342.pdf | 25 В | 50 май | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | СОУДНО ПРИОН | 3 | 6 | 30 метров | 3 | Lifetime (poslednniй obnowlenen: 4 дня назад) | в дар | Ear99 | Не | E3 | Олово (sn) | 225 м | Дон | Крхлоп | MMBTH11 | Одинокий | 225 м | 1 | Дригейтере | 225 м | 650 мг | Кремни | Исилитель | Npn | 50 май | 25 В | 25 В | 500 м | 25 В | 50 май | 650 мг | 30 | 3В | 60 | Npn | 60 @ 4ma 10 | 0,7pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2206 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Креплэни, то, что | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/microsemicorporation-ms2206-datasheets-6398.pdf | M115 | 4 | 4 | не | Ear99 | Не | E0 | Олейнн | 7,5 | Рриал | Плоски | 4 | Дригейтере | 10 дБ | Кремни | Одинокий | Nbaзa | Исилитель | Npn | 7,5 | Фунт | 20 | 20 | 1A | 45 | Npn | 20 @ 100ma 5 | 1 025 гг ~ 1,15 гг. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR720L3RHE6327XTSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/infineontechnologies-bfr720l3rhe6327xtsa1-datasheets-6400.pdf | SC-101, SOT-883 | 3 | 3 | Ear99 | Не | 80 м | Униджин | BFR720 | 1 | 24 дБ | Кремни Германия | Одинокий | Имени | Исилитель | Npn | 80 м | XB | 4,7 В. | 4,7 В. | 4 | 20 май | 45000 мг | 13 | Npn | 160 @ 13ma 3v | 0,5 дБ ~ 0,8 дбри При 1,8 Гер | 45 Гер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSH81 | Central Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | -65 ° C ~ 150 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2008 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsh81-datasheets-6402.pdf | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 3 | 8 | не | Ear99 | 8541.21.00.75 | E0 | Олейнн | 350 м | Униджин | Nukahan | 3 | Nukahan | 1 | Н.Квалиирована | O-PBCY-T3 | Кремни | Одинокий | Исилитель | Pnp | Оео -сара | 20 | 50 май | 600 мг | 50 май | Pnp | 60 @ 5ma 10 | 0,85 м | 600 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3357-T1-A | Cel (kalipornipa vonoStoчne llaboratoriтов) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 243а | 3 | Оло | 1,2 Вт | 10 дБ | 12 | 100 май | 20 | 3В | Npn | 50 @ 20 мая 10 | 1,8db @ 1 ggц | 6,5 -е | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5415AF-TD-E | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2012 | /files/onSemoronductor ----- STSC5415AFTDE-Datasheets-6429.pdf | 243а | СОУДНО ПРИОН | 4 neDe | 3 | Актио, А. Н. | в дар | Ear99 | E6 | Олово/Висмут (sn/bi) | 800 м | 3 | 9db | 800 м | 12 | 12 | 100 май | 2в | 70 | Npn | 90 @ 30 май 5в | 1,1db @ 1ggц | 6,7 -е | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4915-O, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 125 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | SC-75, SOT-416 | 16 | в дар | 100 м | 17 дб ~ 23 дБ | 100 м | 30 | 30 | 20 май | Npn | 70 @ 1MA 6V | 2,3 дб ~ 5 дбри При 100 мгги | 550 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1202 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Шascipreplene, шpilaka | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/microsemicorporation-ms1202-datasheets-6306.pdf | M135 | 4 | 4 | Проидж (poslegedene obnowneeshe: 3 nededeli -nanazhad) | Ear99 | Веса, в положении | Не | 15 Вт | Рриал | Плоски | 4 | 1 | Дригейтере | 8,4 дБ | Кремни | Одинокий | Имени | Исилитель | Npn | 15 Вт | Оео -сара | 35 | 35 | 1A | 65 | Npn | 5 @ 100ma 5 | 15pf | 118 Mmgц ~ 136 Mmgц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFU580QX | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 150 ° C TJ | Веса | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2011 год | /files/nxpusainc-bfu580qx-datasheets-5297.pdf | 243а | 3 | 13 | Унихкин | AEC-Q101; IEC-60134 | В дар | Одинокий | Плоски | Nukahan | BFU580 | 3 | Nukahan | 1 | 8,5 Дб | R-PSSO-F3 | Кремни | Одинокий | Колькшионер | Исилитель | Npn | 1 Вт | Фунт | 10500 мг | 12 | 60 май | Npn | 60 @ 30 май 8 | 1,3db pri 1,8gц | 10,5 -е | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5087YTE85LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 125 ° C TJ | Веса | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | SC-61AA | 11 nedely | Ear99 | 150 м | Одинокий | Дригейтере | 13 дБ | 7 гер | Npn | 150 м | 12 | 12 | 12 | 80 май | 5000 мг | 20 | 3В | 80 | Npn | 120 @ 20 май 10 В | 1,1db @ 1ggц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1748GRL | Panasonic glektronnene -Componentы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/panasonicelectroniccomponents-2sa1748grl-datasheets-5121.pdf | SC-85 | 85 | 150 м | 2SA1748 | Smini3-F2 | 150 м | 50 | 50 | 50 май | 50 | 50 май | Pnp | 200 @ 2MA 10V | 250 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1509 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШASCI | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/microsemicorporation-ms1509-datasheets-6260.pdf | M168 | 12 | Проиод. | не | Ear99 | 260 Вт | 8 | 5,5dbi | 33 В | 15A | 15A | Npn | 20 @ 1MA 5V | 500 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 10A030 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Шpiolga | Стало | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 200 ° C. | -65 ° С | ROHS COMPRINT | 1996 | /files/microsemicorporation-10a030-datasheets-6265.pdf | 55 Футов | 13 | 55 | Проидж (poslegedene obnowneeshe: 3 nededeli -nanazhad) | Оло | Npn | 13 Вт | 13 Вт | 1 | 7,8 дб ~ 8,5 дБ | 55 Футов | 13 Вт | 24 | 24 | 1,5а | 24 | 1,5а | 3,5 В. | Npn | 20 @ 200 Мас 5 В | 2,5 -е | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF586G | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2004 | 205 годов, 39-3 Металлабанка | 12 | 3 | Проидж (poslegedene obnowneeshe: 3 nededeli -nanazhad) | Не | 1 Вт | 2 | 13,5db | Не 39 | 1 Вт | 17 | 200 май | 17 | 200 май | Npn | 40 @ 50 май 5в | 3 гер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPR175 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Креплэни, Винт | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 1996 | /files/microsemicorporation-tpr175-datasheets-6277.pdf | 55cx | 2 | 55 | не | Ear99 | Не | E0 | Олейнн | 290 Вт | Дон | Плоски | 2 | 1 | 8db ~ 9db | R-CDFM-F2 | Кремни | Одинокий | Исилитель | Npn | 290 Вт | Фунт | 55 | 55 | 9 часов | Npn | 10 @ 20 май 5в | 1,03 ~ 1,09 -ggц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPR1000 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Креплэни, Винт | ШASCI | 200 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/microsemicorporation-tpr1000-datasheets-6283.pdf | 55 кв | 4 | 55 | не | Ear99 | Не | 1,09 -е | E0 | Олейнн | 2,9 кстр | Дон | Плоски | 4 | 6db | R-CDFM-F4 | Кремни | Npn | 2900 Вт | Фунт | 65 | 65 | 80A | Npn | 10 @ 1a 5v | 1,09 -е |
