Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодел | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | ТИП | Упако | Статус Ройс | Техниль | Деликат | Поседл | Коунфигура | Eccn (cшa) | МИНИМАЛАНА РОБЕЙС | МАКСИМАЛАНСКА | Станодар | Покат -ву | МОНТА | В.А. | Ипаскоски | Шyrina Upakokki | Пеата | HTS | Форма Свина | ВОЗДЕЛАН | МАКСИМАЛНА | Пико -впоследствии. | Mmakcymalgnый neprerеvnый -norvardnnыйtok (a) | ПИКЕТОРИВНЕКА | Пико, в то же время (v) | Пикрант ТОК (ua) | Пиковив ВОССАН | Вкладка | Aec квалисирована |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SK26AR2 | Тайнах | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-sk24ae3g-datasheets-2321.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-214-AC | СМА | Пефер | 2.3 (M -MAKS) | 4.6 (MAKS) | 2.83 (MMAKS) | 2 | Внутронни л -лид | Не | 60 | 60 | 2 | 50 | 0,7 | 500 | Не | |||||||
GBS4G | DIOTEC Semiconductor AG | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Коробка | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/diotecsemonductorag-gbs4a-datasheets-9189.pdf | 4 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
SS210HR4 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-ss26r5-datasheets-9982.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
2SS100L-W | Руттрон | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | ROHS COMPRINT | /files/rectron-2ss100lwit1-datasheets-5711.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
FM240-W | Руттрон | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/rectron-fm230w-datasheets-2409.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
ES1A R2 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-es1hf3-datasheets-1640.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
W10M B0 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Коробка | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-w06mb0-datasheets-7358.pdf | 9.1 (MMAKS) | 4 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
HS1JL R2G | Тайнах | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-hs1glr2g-datasheets-6935.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
RS2K R4G | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-rs2jm4g-datasheets-9723.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
GRP-A-Data-JantX1N5819UR-1 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Симка | Rohs | /files/microsemi-grpadatajan1n5819ur1-datasheets-5682.pdf | 2.66 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
USL1G | DIOTEC Semiconductor AG | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/diotecsemonductorag-usl1k-datasheets-0310.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
GRP-A-Data-Jantx1n4245 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Симка | Rohs | /files/microsemi-grpadatajan1n4247-datasheets-6670.pdf | 2.16 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
70HFR140 | Виал | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-70hfr120-datasheets-7066.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -65 | 150 | DO-203-AB | До 5 | Шpiolga | 22,9 (MMAKS) | 20.08 | 17.4 | 2 | Терминал | Не | 1400 | 70 | 1250 | 1.46@220a | 4500 | Не | |||||||||
1n5806us-t & r | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | Rohs | /files/microsemi-grpadatajantx1n5802us-datasheets-6897.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
MBD4448HCDW REGE | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Диджон | Лю | ROHS COMPRINT | /files/taiwansemiconductor-mbd4448haqwreg-datasheets-0758.pdf | 6 | Дзодоно -дюжес | ||||||||||||||||||||||||||
Jantxtr1n5418 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Симка | Rohs | /files/microsemi-grpbdatajantx1n5420-datasheets-7765.pdf | 3.42 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
BA158G A1G | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | БОЭПРИПАС | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-ba157ga1g-datasheets-9144.pdf | 2.7 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
Gnog | ХOroShyй poluprovowodonyk | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | ROHS COMPRINT | /files/godarksemyonductor-gnom-datasheets-2454.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
GRP-A-Data-Jantx1n1206a | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Поднос | Rohs | /files/microsemi-grpbdatajantx1n1204a-datasheets-7518.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
GRP-ABC-JANTX1N6075 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Симка | Rohs | /files/microsemi-grpbdatajantx1n6080-datasheets-6141.pdf | 2.16 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
FM5822-W | Руттрон | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/rectron-fm5821w-datasheets-0731.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
LSX101-23-2 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ШOTTTSKIй -DIOD | ROHS COMPRINT | /files/microchiptechnology-lxs101232-datasheets-9267.pdf | 3 | Дюйна | ||||||||||||||||||||||||||||
RS1AL R3 | Тайнах | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-rs1mlrqg-datasheets-8046.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | DO-219-AA | Скабма | Пефер | 1.33 (M -MAKS) | 2.9 (MAKS) | 1.9 (M -MAKS) | 2 | Плоски | Не | 50 | 50 | 0,8 | 30 | 1.3 | 5 | 150 | Не | ||||||
SS16L R2 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-ss14lhr3-datasheets-6244.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
APT15D100BHB | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Переклхейни | Rohs | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-apt15d100bhb-datasheets-3633.pdf | 3 | Дюйна | Ear99 | -55 | 175 | 247 | 247 | Чereз dыru | 21,46 (MMAKS) | 16.26 (MMAKS) | 5.31 (M -MAKS) | 3 | 8541.10.00.80 | Чereз dыru | Не | 1000 | 1000 | 15 | 80 | 2.3 | 250 | 260 (typ) | Вкладка | Не | ||||||
Br86dl | МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Rohs | /files/microcommercialComponents BR86DL-DATASHEETS-3102.pdf | 4 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||
SS315HV7G | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-ss320hv6g-datasheets-7324.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
Sn3ks | EIC Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/eicsemiconductor-sn3ms-datasheets-2543.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||
SS32E357T | Виал | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/vishay-ss34he3bh-datasheets-6612.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
HSM845J | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Rohs | /files/microsemi-hsm845jtr13-datasheets-5857.pdf | 2 | Одинокий |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.