Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | ТИП | Упако | Статус Ройс | Техниль | Деликат | Поседл | Коунфигура | Eccn (cшa) | МИНИМАЛАНА РОБЕЙС | МАКСИМАЛАНСКА | Станодар | Покат -ву | МОНТА | В.А. | Ипаскоски | Шyrina Upakokki | Пеата | Форма Свина | ВОЗДЕЛАН | Пико -впоследствии. | Mmakcymalgnый neprerеvnый -norvardnnыйtok (a) | ПИКЕТОРИВНЕКА | Пико, в то же время (v) | Пикрант ТОК (ua) | ТИП МОССТА | Пик Среднего -Тока | Пико -Серэквадратихно Обратно | Пик, | Aec квалисирована |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LS914B L1G | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Диджон | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-ls4148l1g-datasheets-1300.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
HER502GP-TP | МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/microcommercialcomponents-her504GPAP-datasheets-0238.pdf | 5.3 (MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
GBL08 C2 | Тайнах | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Трубка | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-gbl04c2g-datasheets-5460.pdf | 4 | Одинокий | Ear99 | -55 | 150 | Дело GBL | Дело GBL | Чereз dыru | 11.3 (MMAKS) | 20,3 (MMAKS) | 3.7 (M -MAKS) | 4 | Не | 800 | 1.1 | 5 | ОДИНАНАНА | 4 | 560 | 150 | Не | ||||||||
ES2J R5 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-es2ar5-datasheets-0011.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
SX6627 | Sensitron Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Rohs | /files/sensitronsemiconductor-sx6626u-datasheets-0947.pdf | 3.5 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
1n5615us-tr | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Переклхейни | Лю | Поставик | /files/microsemi-jantx1n56151515ustr-datasheets-9139.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
SS1J | EIC Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | ROHS COMPRINT | /files/eicsemiconductor-ss1b-datasheets-8929.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
GRP-ABC-JAN1N3611 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Симка | Rohs | /files/microsemi-grpbdatajan1n3611-datasheets-4721.pdf | 2.16 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
CPT20135 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | ROHS COMPRINT | /files/microsemi-cpt20130-datasheets-4013.pdf | 3 | Дон | |||||||||||||||||||||||||||
RS3BHV7G | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-rs3bv7g-datasheets-1190.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
HT18G R0 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-ht11gb0g-datasheets-7875.pdf | 2.7 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
RS1507M | Руттрон | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/rectron-rs1506m-datasheets-6023.pdf | 4 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||
GBL201 B0 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Коробка | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-gbl205c2-datasheets-7408.pdf | 4 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
SS3C | EIC Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | ROHS COMPRINT | /files/eicsemiconductor-ss3a-datasheets-6872.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
FST30045 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | ROHS COMPRINT | /files/microsemi-fst30040-datasheets-4666.pdf | 3 | Дон | |||||||||||||||||||||||||||
GRP-ABC-JAN1N5806US | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Симка | Rohs | /files/microsemi-grpadatajantx1n5802us-datasheets-6897.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
HN1D02FU (TE85L, F) | Torex Semiconductor Ltd | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ROHS COMPRINT | /files/toshiba-hn1d02fut5lft-datasheets-5653.pdf | 6 | Дзодоно -дюжес | ||||||||||||||||||||||||||
GRP-A-Data-Jantx1n3645 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Симка | Rohs | /files/microsemi-grpadatajantx1n3644-datasheets-3695.pdf | 2.8 (MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
KBL406 T0 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-kbl407t0-datasheets-6504.pdf | 4 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||
BAS70-05 RF | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Лю | ROHS COMPRINT | /files/taiwansemiconductor-bas7006rfg-datasheets-5405.pdf | 3 | Дон | ||||||||||||||||||||||||||
SR106 R0 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-sr104r0g-datasheets-7049.pdf | 2.7 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
BBY6605E6327 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Tюner | Vco | Лю | ROHS COMPRINT | /files/infineontechnologiesag-bby6602ve6327xt-datasheets-1012.pdf | 3 | Дон | ||||||||||||||||||||||||||
RS2DA R2 | Тайнах | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductor-rs2kar2-datasheets-9298.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
R4260 | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Поднос | Rohs | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-r42120-datasheets-7280.pdf | 2 | Одинокий | Ear99 | -65 | 200 | DO-205-AA | Дол | Шpiolga | 35,17 (MMAKS) | 31.07 (MMAKS) | 26,92 (MMAKS) | 2 | Терминал | Не | 600 | 125 | 2000 | 1.2@200a | 50 | Не | ||||||||
MUR280 | ХOroShyй poluprovowodonyk | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | ROHS COMPRINT | /files/godarksemyonductor-mur270-datasheets-9584.pdf | 3.6 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||
BAT54SD RF | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Nebolheй stygnaol шottki diod | Лю | ROHS COMPRINT | /files/taiwansemiconductor-bat544444adrfg-datasheets-8916.pdf | 6 | Дон | ||||||||||||||||||||||||||
Sn3q | EIC Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | /files/eicsemiconductor-sn3o-datasheets-9637.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||
BYM11-100-E396 | Виал | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Переклхейни | Лю | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/vishay-rgl41je397-datasheets-7782.pdf | 2.67 (M -MAKS) | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||
RBV5001 | EIC Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | /files/eicsemiconductor-rbv5004-datasheets-2365.pdf | 4 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||
SRAF10100 C0 | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШOTTTSKIй -DIOD | Трубка | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | /files/taiwansemiconductor-sraf1050c0-datasheets-3753.pdf | 2 | Одинокий |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.