Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактSCRS Thyristors (5405)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодел | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | В припании | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | PakeT / KORPUES | ПАКЕТИВАЕТСЯ | На | Current - On State (it (rms)) (MMaks) | Current - Hold (IH) (MMAKS) | На | Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) | TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) | Current - On State (It (av)) (MMAKS) | ТИП СКР | Napraheneeee - na -costoanaonik | ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| OT391412 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP USA Inc. | |||||||||||||||||
| 3p4mh (8) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| SNP3100SBT3G | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | OnSemi | |||||||||||||||||
| 2N4987 | ХArrISCORPORAHIN | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Чereз dыru | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | ДО 98-3 | О 98 | 30 | 155 май | - | 1 а | Станодано | ХArrISCORPORAHIN | ||||||||
| 3p4mh (5) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 2p4m (34) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 2p6m (db) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 2p6m (5) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 8p4j-z-az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 8p4sma (yk) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| SMT08B310T3G | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | OnSemi | |||||||||||||||||
| 2p4m (by) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 2N5060RL1 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | OnSemi | |||||||||||||||||
| 2p6m (9) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 3p4mh (14) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 2P4M (CB) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 2S4M (10) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| SCR5129SG | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | OnSemi | |||||||||||||||||
| SNP1100SAT3G | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | OnSemi | |||||||||||||||||
| NTE5410 | NTE Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | ДО 205AA, МАТА | По 5 | 600 | 4 а | 5 май | 800 м | 40a @ 60 gц | 200 мк | Чywytelnhe | 2,2 В. | 750 мка | NTE Electronics, Inc. | ||||
| 8p4j-z-e2-az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| NTE5427 | NTE Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Чereз dыru | -40 ° C ~ 110 ° C. | 205 годов, 39-3 Металлабанка | Не 39 | 200 | 7 а | 50 май | 1,5 В. | 80a @ 60 gц | 25 май | Станодано | 2 V. | 1 май | NTE Electronics, Inc. | ||||
| 2S4M (Cy) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| CR8CM-12A#C0G | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 2p4m (02) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| 2S4M (6) -az | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| NTE5419 | NTE Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Чereз dыru | -40 ° C ~ 110 ° C. | 220-3 | ДО-220 | 600 | 10 а | 30 май | 1,5 В. | 100a @ 60 gц | 25 май | Станодано | 1,8 В. | 500 мк | NTE Electronics, Inc. | ||||
| CR8CM-12A-A8#P01 | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Renesas Electronics America Inc | |||||||||||||||||
| NTE5424 | NTE Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | 220-3 | ДО-220 | 400 | 5 а | 50 май | 2,5 В. | 75a, 80a | 50 май | 3.2 A | Станодано | 4 | 3 мая | NTE Electronics, Inc. | |||
| NTE5416 | NTE Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Чereз dыru | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | 225AA, 126-3 | 126 | 600 | 5 май | 1 V. | 25А, 35А | 200 мк | 2,6 а | Чywytelnhe | 2,2 В. | 10 мк | NTE Electronics, Inc. |
