Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
SCRS Thyristors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Верна RMS Current (IRMS) Коунфигура Слюна Ток DerжaTTHTOK МАКСИМАЛНА JEDEC-95 Кодеб ВОЗНАЯ NeShaviymый pk -curte cur УДЕРИВОВОЙ Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТИП СКР Naprayжeniee - na -coStoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) Критистеска Айроф Сэма снета-с.
CNE60E2200TZ-TUB CNE60E2200TZ-TUB Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CNE60E2200TZ Пефер -40 ° C ~ 150 ° C TJ TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA 20 2,2 К. 94. 100 май 1,4 В. 720a 780a 80 май 60A Станодано 2,52 В.
CS19-12HO1C CS19-12HO1C Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2000 /files/ixys-cs1908ho1c-datasheets-8508.pdf Isoplus220 ™ 3 220 8541.30.00.80 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Одинокий Nukahan CS19 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована R-PSIP-T3 35A Одинокий Иолирована 1MA 50 май 105 а 1200 Скрип 1,2 кв 1200 35A 1,5 В. 100a 105a 25 май 13. Станодано 1,65 В. 1MA 500 В/С.С.А.
VS-22RIA40M VS-22RIA40M Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs22ria120-datasheets-5890.pdf До 208AA, до-48-3, Став 14 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan 35A 130 май Скрип 400 35A 335A 355A 60 май 22A Станодано 1,7 10 май
SJ6010VS2TP SJ6010VS2TP Littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА SJ Чereз dыru -40 ° C ~ 150 ° C TJ ROHS COMPRINT /files/littelfuseinc-sj6010ds2rp-datasheets-6560.pdf 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА 19 nedely Ear99 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 260 40 Скрип 600 10 часов 6ma 800 м 83а 200 мк 6,4а Чywytelnhe 1,6 В. 5 Мка
VS-16TTS08STRL-M3 VS-16tts08strl-M3 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs16tts08sm3-datasheets-8052.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 12 Ear99 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Одинокий Крхлоп 245 30 1 R-PSSO-G2 16A Одинокий Анодер 150 май 800 Скрип 800 800 16A 200a @ 50 gц 60 май 10 часов Станодано 1,4 В. 10 май
VS-2N683 VS-2N683 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 1997 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2n684-datasheets-8530.pdf 16A До 208AA, до-48-3, Став 2 14 13.999987G в дар Ear99 Вес 8541.30.00.80 Вергини Перо Nukahan 2n6* 2 Nukahan 1 O-Mupm-D2 25 а Одинокий 20 май 100 Скрип 100 145a 150a 40 май Станодано 6,5 мая
VS-2N687 VS-2N687 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 1997 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2n684-datasheets-8530.pdf До 208AA, до-48-3, Став 2 14 в дар Ear99 Вес 8541.30.00.80 Вергини Перо Nukahan 2n6* 2 Nukahan 1 O-Mupm-D2 25 а Одинокий 20 май 300 Скрип 300 145a 150a 40 май 16A Станодано 5 май
CS19-08HO1S-TUB CS19-08HO1S-TUB Ixys
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TJ 2015 /files/ixys-cs1908ho1strl-datasheets-8164.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Ear99 CS19 Скрип 800 31. 50 май 1,5 В. 180a 195a 28 май 20 часов Станодано 1,32 В. 50 мк
VS-22RIA40 VS-22RIA40 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs22ria120-datasheets-5890.pdf До 208AA, до-48-3, Став 14 Ear99 Не 22raips* 35A 130 май 400 Скрип 400 400A 420A 60 май 22A Станодано 1,7 10 май
VS-25TTS08-M3 VS-25TTS08-M3 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2015 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs25tts08m3-datasheets-8557.pdf 220-3 10,54 мм 8,76 ММ 4,57 мм 3 12 2 Ear99 НЕИ E3 МАГОВО Одинокий Neprigodnnый Neprigodnnый 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite R-PSFM-T3 25 а Одинокий 10 май 150 май 800 350 А. 100 май Скрип 800 270a @ 50 gц 45 май 16A Станодано 1,25 500 мк 500 В/С.С.А. 110 мкс
2N5204 2N5204 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 1997 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2n684-datasheets-8530.pdf До 208AA, до-48-3, Став 2 13 3 не НЕИ Вергини Перо Nukahan 2n52* 2 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-Mupm-D2 35A Одинокий 200 май 600 Скрип 600 600 35A 285A 300A 40 май 22A Станодано 2,3 В. 3,3 май 100 v/sшa
VS-2N690 VS-2N690 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 1997 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2n684-datasheets-8530.pdf До 208AA, до-48-3, Став 15,5 мм 31 8008 ММ 14,3 мм 2 14 3 в дар Ear99 Вес Вергини Перо Nukahan 2n6* 2 Одинокий Nukahan 1 O-Mupm-D2 25 а 20 май 600 125 м Скрип 600 145a 150a 40 май 16A Станодано 2,5 мая
VS-16TTS12-M3 VS-16TTS12-M3 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2015 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs16tts08m3-datasheets-8380.pdf 220-3 3 12 3 Ear99 НЕИ E3 МАГОВО Одинокий Neprigodnnый Neprigodnnый 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 16A Одинокий 10 май 150 май 1,2 кв ДО-220AB 200 А. 100 май Скрип 1,2 кв 1200 170a @ 50 gц 60 май 10 часов Станодано 1,4 В. 10 май 500 В/С.С.А. 110 мкс
VS-2N691 VS-2N691 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 1997 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2n684-datasheets-8530.pdf До 208AA, до-48-3, Став 2 14 НЕИ 3 в дар Ear99 Вес Не Вергини Перо 2n6* 2 1 O-Mupm-D2 25 а Одинокий 20 май 700 Скрип 700 145a 150a 40 май 16A Станодано 2,25 мая
S8035JTP S8035JTP Littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/littelfuseinc-s4035ktp-datasheets-6204.pdf До-218X-3 и-найрованажа 3 19 nedely Уль Прринанана НЕИ 8541.30.00.80 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Одинокий Перо 260 3 40 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована R-PSFM-D3 35A Одинокий 50 май 500 а 800 Скрип 800 800 35A 1,5 В. 425A 500A 40 май 22A Станодано 1,8 В. 20 мк 300 v/sшa
VS-2N689 VS-2N689 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 1997 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2n684-datasheets-8530.pdf До 208AA, до-48-3, Став 2 14 в дар Ear99 Вес Не Вергини Перо 2n6* 2 1 O-Mupm-D2 25 а Одинокий 20 май 500 Скрип 500 145a 150a 40 май 16A Станодано 3MA
CLA50E1200TC-TUB CLA50E1200TC-TUB Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° С ~ 150 ° С. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/ixys-cla50e1200tctub-datasheets-8511.pdf TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA 20 Скрип 1,2 кв 80A 75 май 1,5 В. 550a 590a 50 май 50 часов Станодано 1,6 В. 50 мк
S8070WTP S8070WTP Littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/littelfuseinc-s8065ktp-datasheets-4943.pdf DO-218X-3 3 18 НЕИ 8541.30.00.80 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Одинокий Перо 260 3 40 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована R-PSFM-D3 70A Одинокий Анодер 5 май 80 май 950 А. 800 Скрип 800 800 70A 800A 950A 50 май 45A Станодано 1,8 В. 20 мк 475 В/С.С.А.
S4055WTP S4055WTP Littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2004 /files/littelfuseinc-s8055rtp-datasheets-5318.pdf 35A DO-218X-3 16 мм 12,62 мм 4,78 мм 3 19 nedely НЕИ 8541.30.00.80 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Одинокий Перо 260 3 40 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована R-PSFM-D3 1,8 В. 55а Одинокий Анодер 2MA 60 май 650 А. 400 Скрип 400 400 55а 1,5 В. 550a 650a 40 май Станодано 1,8 В. 10 мк 550 v/sшa
S6015L52TP S6015L52TP Littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C TJ 1 (neograniчennnый) Rohs3 2010 ГОД /files/littelfuseinc-s6015ltp-datasheets-5362.pdf До-220-3 Иолированая 16 600 15A 40 май 1,5 В. 188a 225a 30 май 9.5A Станодано 1,6 В. 10 мк
S6008RS2TP S6008RS2TP Littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 110 ° C TJ 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/littelfuseinc-s8008drp-datasheets-6518.pdf 220-3 3 16 Уль Прринанана 8541.30.00.80 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Не Одинокий 260 3 40 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite R-PSFM-T3 Одинокий Анодер 0,25 мая ДО-220AB 100 а 6ma 600 Скрип 600 600 8. 6ma 800 м 83а 200 мк 5.1a Чywytelnhe 1,6 В. 5 Мка
CME30E1600PZ-TUB CME30E1600PZ-TUB Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CME30E1600PZ Пефер -40 ° C ~ 150 ° C TJ TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 20 Скрип 1,6 кв 35A 90 май 1,3 В. 260a 280a 50 май 30A Станодано 1,92
CS29-12IO1C CS29-12IO1C Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/ixys-cs2908io1c-datasheets-8506.pdf Isoplus220 ™ 3 220 8541.30.00.80 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Одинокий Nukahan 3 Nukahan 1 Н.Квалиирована R-PSIP-T3 35A Одинокий Иолирована 50 май 1200 Скрип 1,2 кв 1200 35A 1V 200a 215a 65 май 23 а Станодано 1,5 В. 2MA
S8016RATP S8016Ratp Littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Automotive, AEC-Q101, TECCOR® Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2017 /files/littelfuseinc-s8016narp-datasheets-8264.pdf 220-3 16 Ear99 E3 МАГОВОЙ 260 40 Скрип 800 25 а 150 май 1,5 В. 188a 225a 50 май 16A Станодано 1,4 В. 20 мк
VS-10RIA10 VS-10RIA10 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs10ria10-datasheets-8528.pdf До 208AA, до-48-3, Став 14 Ear99 НЕИ Nukahan 10 др.* Nukahan 25 а 130 май 100 Скрип 100 225A 240A 60 май 10 часов Станодано 1,75 В. 20 май
VS-2N684 VS-2N684 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -65 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2n684-datasheets-8530.pdf 150 25 а До 208AA, до-48-3, Став 14 Ear99 НЕИ Nukahan 2n6* Nukahan 25 а 20 май Скрип 20 май 145a 150a 40 май 16A Станодано 6,5 мая
VS-16TTS12STRL-M3 VS-16TTS12Strl-M3 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2009 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs16tts08sm3-datasheets-8052.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 10,67 мм 4,83 мм 9,65 мм 2 12 3 Ear99 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Одинокий Крхлоп 245 30 1 R-PSSO-G2 16A Одинокий Анодер 150 май 1,2 кв Скрип 1,2 кв 1200 200a @ 50 gц 60 май 10 часов Станодано 1,4 В. 10 май
CMA50E1600HB CMA50E1600HB Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CMA50E1600HB Чereз dыru -40 ° C ~ 150 ° C TJ В 247-3 28 nedely Ear99 Скрип 1,6 кв 79а 100 май 1,5 В. 550a 595a 50 май 50 часов Станодано 1,3 В.
CS60-14IO1 CS60-14IO1 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 140 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/ixys-cs6014io1-datasheets-8533.pdf 247-3 СОУДНО ПРИОН 3 20 3 в дар E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Одинокий Nukahan CS60 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 75а Одинокий Анодер 10 май 200 май 1500 А. 1400 Скрип 1,4 кв 1400 75а 1,5 В. 1500.10000 100 май 48. Станодано 1,4 В. 10 май
CS19-08HO1C CS19-08HO1C Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/ixys-cs1908ho1c-datasheets-8508.pdf Isoplus220 ™ 3 220 8541.30.00.80 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Одинокий Nukahan CS19 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована R-PSIP-T3 35A Одинокий Иолирована 1MA 50 май 105 а 800 Скрип 800 800 35A 1,5 В. 100a 105a 25 май 13. Станодано 1,65 В. 1MA 500 В/С.С.А.

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.