Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
SCRS Thyristors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

SCRS Thyristors (5405)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES Колист Верна - Колист PBFREE CODE КОД ECCN DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Поседл Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ ТИП ССЕЕМы RMS Current (IRMS) Коунфигура Ток DerжaTTHTOK МАКСИМАЛНА NeShaviymый pk -curte cur УДЕРИВОВОЙ Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На DC GATE TUCCE-MAX Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТИП СКР Naprayжeniee - na -coStoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) Критистеска Айроф Сэма снета-с. Среднеквадратично
N2825TJ450 N2825TJ450 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 4,5 кв 5520a 1A 3В 41000 @ 50 gц 300 май 2825. Станодано 3,37 В. 250 май
K2325TJ600 K2325TJ600 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 12 Скрип 6 к 4625а 1A 3В 36300a @ 50 gц 300 май 2380a Станодано 4,2 В. 200 май
N2825TE450 N2825TE450 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 4,5 кв 5520a 1A 3В 41000 @ 50 gц 300 май 2825. Станодано 3,37 В. 250 май
VS-ST1230C12K0P VS-ST1230C12K0P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1230c16k0-datasheets-2263.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.2ka 600 май 1,2 кв 1,2 кв 3200A 600 май 3В 28200A 29500A 200 май 1745. Станодано 1,62 В. 100 май
K1670HA650 K1670HA650 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 12 Скрип 6,5 кв 3255A 1A 3В 23900 @ 50 gц 300 май 1670a Станодано 2,4 В. 200 май
R1127NC32P R1127NC32P Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 3,2 кв 2247. 1A 3В 14100a @ 50 gц 300 май 1127. Станодано 2,42 В. 100 май
TCU428320HDH TCU428320HDH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ ROHS COMPRINT /files/powerexinc-tcu422320hdh-datasheets-4167.pdf DO 200AF 12 Ear99 Скрип 2,8 кв 5969. 4,5 В. 72000a 77000a 250 май 3800A Станодано 1,45
VS-ST1200C20K1P VS-ST1200C20K1P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1200c20k0lp-datasheets-4014.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.08ka 600 май 2 К. 2 К. 3080a 600 май 3В 25700a 26900a 200 май 1650a Станодано 1,73 В. 100 май
VS-ST1230C12K1 VS-ST1230C12K1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1230c16k0-datasheets-2263.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan 3.2ka 600 май 1,2 кв Скрип 1,2 кв 3200A 3В 28200A 29500A 200 май 1745. Станодано 1,62 В. 100 май
N2543ZD300 N2543ZD300 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 3 кв 32000a @ 50 gц 2543a Станодано
VS-ST1230C16K1P VS-ST1230C16K1P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1230c16k0-datasheets-2263.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.2ka 600 май 1,6 кв 1,6 кв 3200A 600 май 3В 28200A 29500A 200 май 1745. Станодано 1,62 В. 100 май
VS-ST330S16M1 VS-ST330S16M1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst330s12p0pbf-datasheets-7701.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 18 Ear99 НЕИ 520A 600 май Скрип 1,6 кв 520A 3В 7570A 7920A 200 май 330. Станодано 1,52 В. 50 май
VS-ST1200C16K3P VS-ST1200C16K3P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1200c20k0lp-datasheets-4014.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 A-24 (K-PUK) 3.08ka 600 май 1,6 кв 3080a 600 май 3В 25700a 26900a 200 май 1650a Станодано 1,73 В. 100 май
N2367MK200 N2367MK200 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 WP3 2 К. 4642a 1A 3В 35700a @ 50 gц 300 май 2367a Станодано 2,4 В. 100 май
N2543ZD240 N2543ZD240 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 2,4 кв 32000a @ 50 gц 2543a Станодано
C702LN C702LN Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2004 /files/powerexinc-c702cp-datasheets-4086.pdf TO-200AB, A-PUK 3 3 в дар НЕИ НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 1571ka Одинокий 65 май 15000 а 2800 Скрип 2,8 кв 2800 1571a 4,5 В. 20500a 21500a 200 май 1000A Станодано 1,85 150 май 200 В/С.С.А.
R1446NC12C R1446NC12C Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 Ear99 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 150 май 21500 а 1000 мат Скрип 1,2 кв 1200 2940a 1A 3В 21500а @ 50 г -дж 300 май 1446a Станодано 1,7 150 май 200 В/С.С.А. 15 мкс
TBS7222503DH TBS7222503DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 3 14 НЕИ 8541.30.00.80 В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА 3 125 ° С -40 ° С 1 Н.Квалиирована O-XXDB-X3 Одинокий 2200 Скрип 250 май 2200 Станодано 3925а
VS-ST303C08LFL1 VS-ST303C08LFL1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst303c04cfl0-datasheets-7463.pdf 620A TO-200AB, E-Puk 18 2 TO-200AB (E-PUK) Скрип 1,18 к.а. 600 май 800 800 1180a 600 май 3В 6690a 7000a 200 май 620A Станодано 2.16 50 май
TCU422340HDH TCU422340HDH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ ROHS COMPRINT /files/powerexinc-tcu422340hdh-datasheets-4171.pdf DO 200AF 12 Ear99 Скрип 2,2 К. 6283a 4,5 В. 75424A 80000A 250 май 4000 A Станодано 1,35 В.
N4340TE220 N4340TE220 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 2,2 К. 8545a 1A 3В 60500a @ 50 gц 300 май 4340a Станодано 2.12 200 май
N2825TJ400 N2825TJ400 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 4 к 5520a 1A 3В 41000 @ 50 gц 300 май 2825. Станодано 3,37 В. 250 май
N3790TE280 N3790TE280 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 2,8 кв 7410a 1A 3В 55000a @ 50 gц 300 май 3790A Станодано 2.1 250 май
N3790TE240 N3790TE240 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 W82 2,4 кв 7410a 1A 3В 55000a @ 50 gц 300 май 3790A Станодано 2.1 250 май
N4340TE180 N4340TE180 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 1,8 кв 8545a 1A 3В 60500a @ 50 gц 300 май 4340a Станодано 2.12 200 май
N3790TJ280 N3790TJ280 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 2,8 кв 7410a 1A 3В 55000a @ 50 gц 300 май 3790A Станодано 2.1 250 май
TCU422320HDH TCU422320HDH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ ROHS COMPRINT /files/powerexinc-tcu422320hdh-datasheets-4167.pdf DO 200AF 12 Ear99 Скрип 2,3 кв 5969. 4,5 В. 72000a 77000a 250 май 3800A Станодано 1,45
N4340TJ220 N4340TJ220 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AF 8 2,2 К. 8545a 1A 3В 60500a @ 50 gц 300 май 4340a Станодано 2.12 200 май
R1446NC12E R1446NC12E Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 Ear99 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 150 май 21500 а 1000 мат Скрип 1,2 кв 1200 2940a 1A 3В 21500а @ 50 г -дж 300 май 1446a Станодано 1,7 150 май 200 В/С.С.А. 25 мкс
TCU424320HDH TCU424320HDH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ ROHS COMPRINT /files/powerexinc-tcu422320hdh-datasheets-4167.pdf DO 200AF 12 Ear99 Скрип 2,4 кв 5969. 4,5 В. 72000a 77000a 250 май 3800A Станодано 1,45
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)