Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
SCRS Thyristors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это PakeT / KORPUES Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ ТИП ССЕЕМы RMS Current (IRMS) Ток-ток Коунфигура Слюна Ток DerжaTTHTOK МАКСИМАЛНА JEDEC-95 Кодеб NeShaviymый pk -curte cur УДЕРИВОВОЙ Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТИП СКР Naprayжeniee - na -coStoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) Критистеска Айроф Сэма снета-с.
T607081864BT T607081864BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021834bt-datasheets-7481.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 275A Одинокий 25 май 4500 а 150 май 800 Скрип 800 800 4500A @ 60 г -джи 150 май 175a Станодано 1,85 25 май
VS-ST300C18C1 VS-ST300C18C1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst300c04c0-datasheets-7224.pdf 650A TO-200AB, E-Puk 12 2 Ear99 Скрип 1,29 к.а. 600 май 1,8 кв Скрип 1290a 600 май 6730A 7040A 200 май Станодано 2.18 50 май
T507144084AQ T507144084AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t507024034aq-datasheets-7001.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 63а Одинокий 10 май 1000 а 150 май 1400 Скрип 1,4 кв 1400 1000a @ 60 gц 150 май 40a Станодано 4,2 В. 15 май 200 В/С.С.А.
T727104554DN T727104554DN Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t727024554dn-datasheets-7198.pdf SC-20, Stud 3 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XXDB-X3 700A Одинокий 30 май 8000 а 1000 Скрип 1 к 1000 8000a @ 60 gц 150 май 450A Станодано 1,45 30 май 300 v/sшa
T700123004BY T700123004BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t700123504by-datasheets-5429.pdf ДО 209 ВАРИАЙИИЙ 6 3 ДО 209 ВАРИАЙИИЙ 470a 1,2 кв 470a 7700A 8400A 150 май 300A Станодано 1,6 В. 30 май
VS-ST730C16L1 VS-ST730C16L1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst700c12l0-datasheets-7740.pdf 990a DO 200AC, B-PUK 18 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan Скрип 2KA 600 май 1,6 кв Скрип 2000a 600 май 15000a 15700a 200 май Станодано 1,62 В. 80 май
T600141504BT T600141504BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2006 /files/powerexinc-t600121804bt-datasheets-5832.pdf 1,4 кв 235а TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 235а Одинокий 25 май 4000 а 1400 Скрип 1400 3650a 4000a 150 май 150a Станодано 1,8 В. 25 май 100 мкс
T607121554BT T607121554BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021534bt-datasheets-7426.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 235а Одинокий 25 май 4000 а 150 май 1200 Скрип 1,2 кв 1200 4000a @ 60 gц 150 май 150a Станодано 2.1 25 май
T507147044AQ T507147044AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t507047034aq-datasheets-7097.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 110a Одинокий 10 май 1200 А. 150 май 1400 Скрип 1,4 кв 1400 1200a @ 60 gц 150 май 70A Станодано 3,5 В. 15 май 200 В/С.С.А.
T707083344BY T707083344BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t707023344by-datasheets-7591.pdf Do-200ab, b-puk 3 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини Перо Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XUPM-D3 500A Одинокий 30 май 8000 а 800 Скрип 800 800 8000a @ 60 gц 150 май 325а Станодано 1,4 В. 30 май 300 v/sшa
VS-ST780C06L0L VS-ST780C06L0L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst780c04l0-datasheets-7665.pdf DO 200AC, B-PUK 2 18 2 Ear99 НЕИ Кони NeT -lederStva Nukahan Nukahan 1 2.7ka Одинокий 600 май 600 Скрип 600 2700A 20550a 21500a 200 май 1350. Станодано 1,31 В. 80 май
P0848YC06B P0848YC06B Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 TO-200AB, B-PUK 8 600 м 1713a 1A 9625a @ 50 gц 200 май 848а Станодано 1,47 50 май
VS-ST733C04LFM1 VS-ST733C04LFM1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst733c04lfm1-datasheets-3745.pdf 940a DO 200AC, B-PUK 18 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan Скрип 1,9KA 600 май 400 Скрип 1900:00 600 май 16800 17600 200 май Станодано 1,63 В. 75 май
VS-ST730C18L1 VS-ST730C18L1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst700c12l0-datasheets-7740.pdf 990a DO 200AC, B-PUK 18 255.145708G 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan Скрип 2KA 600 май 1,8 кв Скрип 2000a 600 май 15000a 15700a 200 май Станодано 1,62 В. 80 май
VS-ST330C14L1 VS-ST330C14L1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2012 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst330c04c0-datasheets-7227.pdf 720A TO-200AB, E-Puk 18 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan Скрип 1,42ka 600 май 1,4 кв Скрип 1420a 600 май 7570A 7920A 200 май Станодано 1,96 50 май
VS-ST300C18L1 VS-ST300C18L1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst300c04c0-datasheets-7224.pdf 650A TO-200AB, E-Puk 2 Ear99 Скрип 1,29 к.а. 600 май 1,8 кв Скрип 1290a 600 май 6730A 7040A 200 май Станодано 2.18 50 май
VS-ST780C06L0 VS-ST780C06L0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst780c04l0-datasheets-7665.pdf 1,35 к.а. DO 200AC, B-PUK 2 2 Ear99 Не Кони 1 Скрип 2.7ka Одинокий 600 май 600 Скрип 600 2700A 24400A 25600A 200 май 1350. Станодано 1,31 В. 80 май
CS202-4D-2 CS202-4D-2 Central Semiconductor Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2016 /files/centralsemiconductorcorp-cs2024n2-datasheets-3492.pdf TO-202 Long Tab 3 не 8541.30.00.80 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Одинокий Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована R-PSFM-T3 4 а 4000 A Одинокий Анодер 2MA TO-202AB 30 а 5 май 400 Скрип 400 400 4 а 800 м 200 мк Станодано 1,8 В.
T727144544DN T727144544DN Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t727024554dn-datasheets-7198.pdf SC-20, Stud 3 6 3 в дар НЕИ НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Н.Квалиирована 700A Одинокий 1400 Скрип 1,4 кв 1400 8000a @ 60 gц 150 май 450A Станодано 1,45 30 май
CS220-35N CS220-35N Central Semiconductor Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2016 /files/centralsemiconductorcorp-cs22035m-datasheets-3601.pdf 220-3 не 8541.30.00.80 3 35A 40 май 800 35A 1V 30 май Станодано 2,2 В.
VS-ST730C14L1L VS-ST730C14L1L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst700c12l0-datasheets-7740.pdf DO 200AC, B-PUK 18 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan 2KA 600 май 1,4 кв Скрип 1,4 кв 2000a 15000a 15700a 200 май 990a Станодано 1,62 В. 80 май
T507108084AQ T507108084AQ Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t507028034aq-datasheets-7167.pdf TO-209AC, TO-94-4, STAD 3 10 nedely 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 125. Одинокий 10 май 1400 А. 150 май 1000 Скрип 1 к 1000 1400a @ 60 gц 150 май 80A Станодано 3,2 В. 15 май 200 В/С.С.А.
T6071018B4BT T6071018B4BT Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t607021834bt-datasheets-7481.pdf TO-209AB, TO-93-4, STAD 3 14 3 в дар НЕИ Вергини В. Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 275A Одинокий 25 май 4500 а 1000 Скрип 1 к 1000 4500A @ 60 г -джи 150 май 175a Станодано 1,85 25 май
T707063354BY T707063354BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t707023344by-datasheets-7591.pdf Do-200ab, b-puk 3 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини Перо Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XUPM-D3 500A Одинокий 30 май 8000 а 600 Скрип 600 600 8000a @ 60 gц 150 май 325а Станодано 1,4 В. 30 май 300 v/sшa
VS-ST300C18C0 VS-ST300C18C0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2013 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst300c04c0-datasheets-7224.pdf 650A TO-200AB, E-Puk 12 НЕИ 2 Ear99 ST300C*c Скрип 1,29 к.а. 600 май 1,8 кв Скрип 1290a 600 май 8000a 8380a 200 май Станодано 2.18 50 май
T820061404DH T820061404DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -20 ° C ~ 140 ° C TJ ROHS COMPRINT /files/powerexinc-t820041404dh-datasheets-7851.pdf TO-200AB, A-PUK 12 Ear99 Скрип 600 2576a 17253a 18300a 150 май 1640a Станодано 1,2 В.
VS-ST700C16L0L VS-ST700C16L0L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst700c12l0-datasheets-7740.pdf DO 200AC, B-PUK 18 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan 1857ka 600 май 1,6 кв Скрип 1,6 кв 1857a 13200a 13800a 200 май 910a Станодано 1,8 В. 80 май
C391PM C391PM Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-c391n-datasheets-7558.pdf B-puk (Do 200AC) 3 6 3 НЕИ Кони НЕВЕКАНА 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 770a Одинокий 45 май 8000 а 1600v Скрип 1,6 кв 1600v 7000a 8000a 150 май 490a Станодано 2,65 В. 45 май 200 В/С.С.А. 200 мкс
VS-ST780C04L1L VS-ST780C04L1L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst780c04l0-datasheets-7665.pdf DO 200AC, B-PUK 18 2 DO 200AC, B-PUK 2.7ka 600 май 400 400 2700A 600 май 20550a 21500a 200 май 1350. Станодано 1,31 В. 80 май
T700122504BY T700122504BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t700123504by-datasheets-5429.pdf ДО 209 ВАРИАЙИИЙ 6 3 ДО 209 ВАРИАЙИИЙ 1,2 кв 150 май 250a Станодано

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.