Одиночные транзисторы BJT – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Количество окончаний ECCN-код Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Мощность - Макс. Код JEDEC-95 Частота перехода Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) VCEsat-Макс Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Макс. емкость коллектора-базы Частота – переход Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
CP307V-MPSA13-WN CP307V-MPSA13-WN Центральная полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp307czta27ct-datasheets-4185.pdf
2PB709AS,115 2ПБ709АС,115 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-2pb709ar115-datasheets-4281.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 EAR99 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 2ПБ709А 3 40 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 0,2 Вт 250 мВт 80 МГц 45В 100 мА 0,5 В 10на ИКБО ПНП 290 при 2 мА 10 В 5пФ 80 МГц 500 мВ при 10 мА, 100 мА
BC556A,112 BC556A,112 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2002 г. /files/nxpusainc-bc557b116-datasheets-1004.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 ИНН НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН BC556 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 0,5 Вт 500мВт 100 МГц 65В 100 мА 0,65 В 15на ИКБО ПНП 125 @ 2 мА 5 В 100 МГц 650 мВ при 5 мА, 100 мА
2PD602AR,115 2ПД602АР,115 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-2pd602as115-datasheets-0937.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.75 е3 ИНН ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 2ПД602 3 40 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 250 мВт 160 МГц 50В 500 мА 0,6 В 10на ИКБО НПН 120 @ 150 мА 10 В 15пФ 160 МГц 600 мВ при 30 мА, 300 мА
BC547C,126 BC547C,126 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc847t115-datasheets-0574.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ 250 BC547 3 40 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 0,625 Вт 500мВт 100 МГц 45В 100 мА 0,6 В 15на ИКБО НПН 420 при 2 мА 5 В 100 МГц 400 мВ при 5 мА, 100 мА
2PC1815GR,126 2ПК1815ГР,126 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1996 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pc1815bl126-datasheets-4278.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2PC1815 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 0,5 Вт 500мВт 80 МГц 50В 150 мА 0,3 В 100на ИКБО НПН 200 @ 2 мА 6 В 3,5 пФ 80 МГц 300 мВ при 10 мА, 100 мА
2PA1015GR,126 2ПА1015ГР,126 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1999 год /files/nxpusainc-2pa1015gr126-datasheets-4306.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 0,5 Вт 500мВт 80 МГц 50В 150 мА 0,3 В 100на ИКБО ПНП 200 @ 2 мА 6 В 7пФ 80 МГц 300 мВ при 10 мА, 100 мА
2PB710AR,115 2ПБ710АР,115 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-2pb710as115-datasheets-0946.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 EAR99 8541.21.00.75 е3 ИНН ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 2ПБ710А 3 40 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 250 мВт 120 МГц 50В 500 мА 0,6 В 10на ИКБО ПНП 120 @ 150 мА 10 В 15пФ 120 МГц 600 мВ при 30 мА, 300 мА
BC337,116 BC337,116 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc33716126-datasheets-6587.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН BC337 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 0,625 Вт 625 МВт 100 МГц 45В 500 мА 0,7 В 100на ИКБО НПН 100 @ 100 мА 1 В 100 МГц 700 мВ при 50 мА, 500 мА
BC547,116 BC547,116 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc847t115-datasheets-0574.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН BC547 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 0,625 Вт 500мВт 100 МГц 45В 100 мА 0,6 В 15на ИКБО НПН 110 при 2 мА 5 В 100 МГц 400 мВ при 5 мА, 100 мА
2PC4617SM,315 2ПК4617СМ,315 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-2pc4617qm315-datasheets-6038.pdf СК-75, СОТ-416 3 EAR99 неизвестный е3 ИНН ДА НИЖНИЙ НЕТ ЛИДЕСА 2PC4617 3 1 Не квалифицирован Р-ПБСС-N3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 430мВт 100 МГц 50В 100 мА 100на ИКБО НПН 270 @ 1 мА 6 В 100 МГц 200 мВ при 5 мА, 50 мА
2PA1015Y,126 2PA1015Y,126 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1999 год /files/nxpusainc-2pa1015gr126-datasheets-4306.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 0,5 Вт 500мВт 80 МГц 50В 150 мА 0,3 В 100на ИКБО ПНП 120 @ 2 мА 6 В 7пФ 80 МГц 300 мВ при 10 мА, 100 мА
2PD601AQW,115 2PD601AQW,115 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pd601as115-datasheets-4296.pdf СК-70, СОТ-323 3 EAR99 8541.21.00.95 е3 ИНН ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 2ПД601А 3 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 200мВт 100 МГц 50В 100 мА 10на ИКБО НПН 160 при 2 мА 10 В 100 МГц 250 мВ при 10 мА, 100 мА
PBSS8110AS,126 ПБСС8110АС,126 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-pbss8110as126-datasheets-4315.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) НЕТ Другие транзисторы Одинокий НПН 0,83 Вт 830мВт 100 МГц 100В 100 нА НПН 150 @ 250 мА 10 В 100 МГц 200 мВ при 100 мА, 1 А
2PD601AS,115 2ПД601АС,115 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-2pd601as115-datasheets-4296.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 EAR99 8541.21.00.95 е3 ИНН ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 2ПД601А 3 40 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 250 мВт ТО-236АБ 100 МГц 50В 100 мА 0,5 В 10на ИКБО НПН 290 при 2 мА 10 В 3,5 пФ 100 МГц 250 мВ при 10 мА, 100 мА
2PD602AQ,115 2ПД602АК,115 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pd602as115-datasheets-0937.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.75 е3 ИНН ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 2ПД602 3 40 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 250 мВт 140 МГц 50В 500 мА 0,6 В 10на ИКБО НПН 85 @ 150 мА 10 В 15пФ 140 МГц 600 мВ при 30 мА, 300 мА
BC327,116 BC327,116 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc327412-datasheets-1067.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) EAR99 8541.21.00.95 BC327 3 625 МВт 45В 500 мА 100на ИКБО ПНП 100 @ 100 мА 1 В 80 МГц 700 мВ при 50 мА, 500 мА
2N5551,116 2N5551,116 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2n5551412-datasheets-1084.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2N5551 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 0,35 Вт 630мВт 100 МГц 160 В 300 мА 0,2 В 50на ИКБО НПН 80 @ 10 мА 5 В 6пФ 300 МГц 200 мВ при 5 мА, 50 мА
PBSS4160K,115 ПБСС4160К,115 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pbss4160k115-datasheets-4302.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ПБСС4160 425 МВт 60В 750 мА 100 нА НПН 200 @ 500 мА 5 В 220 МГц 280 мВ при 100 мА, 1 А
MPSA42,412 MPSA42,412 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-mpsa42126-datasheets-4241.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН MPSA42 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 0,625 Вт 500мВт 50 МГц 300В 100 мА 0,5 В 100на ИКБО НПН 40 @ 30 мА 10 В 3пФ 50 МГц 500 мВ при 2 мА, 20 мА
2PC1815Y,412 2PC1815Y,412 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1996 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pc1815bl126-datasheets-4278.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2PC1815 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 0,5 Вт 500мВт 80 МГц 50В 150 мА 0,3 В 100на ИКБО НПН 120 @ 2 мА 6 В 3,5 пФ 80 МГц 300 мВ при 10 мА, 100 мА
2N5401,116 2Н5401,116 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2n5401412-datasheets-1159.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2Н5401 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 0,63 Вт 630мВт 100 МГц 150 В 300 мА 0,5 В 50на ИКБО ПНП 60 @ 10 мА 5 В 6пФ 300 МГц 500 мВ при 5 мА, 50 мА
BC547C,116 BC547C,116 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc847t115-datasheets-0574.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ 250 BC547 3 40 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 0,625 Вт 500мВт 100 МГц 45В 100 мА 0,6 В 15на ИКБО НПН 420 при 2 мА 5 В 100 МГц 400 мВ при 5 мА, 100 мА
BF370,112 370 112 бельгийских франков NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bf370112-datasheets-4286.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 3 EAR99 8541.21.00.75 е3 ИНН НЕТ НИЖНИЙ 250 3 40 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 0,5 Вт 500мВт 500 МГц 15 В 100 мА 400нА ИКБО НПН 40 @ 10 мА 1 В 500 МГц
MPSA42,116 MPSA42,116 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-mpsa42126-datasheets-4241.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН MPSA42 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 0,625 Вт 500мВт 50 МГц 300В 100 мА 0,5 В 100на ИКБО НПН 40 @ 30 мА 10 В 3пФ 50 МГц 500 мВ при 2 мА, 20 мА
CP327V-MPSA13-CT CP327V-MPSA13-CT Центральная полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp327vmpsa13wn-datasheets-4265.pdf
M8050-D-BP M8050-D-BP Микро Коммерческая Компания
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-m8050cap-datasheets-3867.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 625 МВт 25В 800мА 100 нА НПН 160 @ 100 мА 1 В 150 МГц 500 мВ при 80 мА, 800 мА
2PC1815GR,412 2ПК1815ГР,412 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1996 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pc1815bl126-datasheets-4278.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.95 е3 Матовый олово (Sn) НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2PC1815 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 0,5 Вт 500мВт 80 МГц 50В 150 мА 0,3 В 100на ИКБО НПН 200 @ 2 мА 6 В 3,5 пФ 80 МГц 300 мВ при 10 мА, 100 мА
PBSS4350S,126 ПБСС4350С,126 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pbss4350s126-datasheets-4292.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) НЕТ ПБСС4350 Другие транзисторы Одинокий НПН 0,83 Вт 830мВт 100 МГц 50В 100на ИКБО НПН 100 @ 2А 2В 100 МГц 290 мВ при 200 мА, 2 А
PBSS4140S,126 ПБСС4140С,126 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pbss4140s126-datasheets-4293.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 EAR99 неизвестный е3 ИНН НЕТ НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН ПБСС4140 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 830мВт 150 МГц 40В 100 нА НПН 300 @ 500 мА 5 В 150 МГц 500 мВ при 100 мА, 1 А

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.