| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | VCEsat-Макс | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CP307V-MPSA13-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp307czta27ct-datasheets-4185.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2ПБ709АС,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-2pb709ar115-datasheets-4281.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2ПБ709А | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,2 Вт | 250 мВт | 80 МГц | 45В | 100 мА | 0,5 В | 10на ИКБО | ПНП | 290 при 2 мА 10 В | 5пФ | 80 МГц | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||
| BC556A,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/nxpusainc-bc557b116-datasheets-1004.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC556 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,5 Вт | 500мВт | 100 МГц | 65В | 100 мА | 0,65 В | 15на ИКБО | ПНП | 125 @ 2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||
| 2ПД602АР,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-2pd602as115-datasheets-0937.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2ПД602 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | 160 МГц | 50В | 500 мА | 0,6 В | 10на ИКБО | НПН | 120 @ 150 мА 10 В | 15пФ | 160 МГц | 600 мВ при 30 мА, 300 мА | |||||||
| BC547C,126 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc847t115-datasheets-0574.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC547 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,625 Вт | 500мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||
| 2ПК1815ГР,126 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pc1815bl126-datasheets-4278.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2PC1815 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 Вт | 500мВт | 80 МГц | 50В | 150 мА | 0,3 В | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 2 мА 6 В | 3,5 пФ | 80 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||
| 2ПА1015ГР,126 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/nxpusainc-2pa1015gr126-datasheets-4306.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,5 Вт | 500мВт | 80 МГц | 50В | 150 мА | 0,3 В | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 2 мА 6 В | 7пФ | 80 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||
| 2ПБ710АР,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-2pb710as115-datasheets-0946.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2ПБ710А | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 250 мВт | 120 МГц | 50В | 500 мА | 0,6 В | 10на ИКБО | ПНП | 120 @ 150 мА 10 В | 15пФ | 120 МГц | 600 мВ при 30 мА, 300 мА | ||||||||
| BC337,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc33716126-datasheets-6587.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC337 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,625 Вт | 625 МВт | 100 МГц | 45В | 500 мА | 0,7 В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||
| BC547,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc847t115-datasheets-0574.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC547 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,625 Вт | 500мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||
| 2ПК4617СМ,315 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-2pc4617qm315-datasheets-6038.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2PC4617 | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПБСС-N3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 430мВт | 100 МГц | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 1 мА 6 В | 100 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||
| 2PA1015Y,126 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/nxpusainc-2pa1015gr126-datasheets-4306.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,5 Вт | 500мВт | 80 МГц | 50В | 150 мА | 0,3 В | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 2 мА 6 В | 7пФ | 80 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||
| 2PD601AQW,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pd601as115-datasheets-4296.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2ПД601А | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200мВт | 100 МГц | 50В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 160 при 2 мА 10 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||
| ПБСС8110АС,126 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-pbss8110as126-datasheets-4315.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | НЕТ | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,83 Вт | 830мВт | 100 МГц | 100В | 1А | 100 нА | НПН | 150 @ 250 мА 10 В | 100 МГц | 200 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||
| 2ПД601АС,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-2pd601as115-datasheets-4296.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2ПД601А | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | ТО-236АБ | 100 МГц | 50В | 100 мА | 0,5 В | 10на ИКБО | НПН | 290 при 2 мА 10 В | 3,5 пФ | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||
| 2ПД602АК,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pd602as115-datasheets-0937.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2ПД602 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | 140 МГц | 50В | 500 мА | 0,6 В | 10на ИКБО | НПН | 85 @ 150 мА 10 В | 15пФ | 140 МГц | 600 мВ при 30 мА, 300 мА | |||||||
| BC327,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc327412-datasheets-1067.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | EAR99 | 8541.21.00.95 | BC327 | 3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N5551,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2n5551412-datasheets-1084.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2N5551 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,35 Вт | 630мВт | 100 МГц | 160 В | 300 мА | 0,2 В | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 6пФ | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||
| ПБСС4160К,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pbss4160k115-datasheets-4302.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ПБСС4160 | 425 МВт | 60В | 750 мА | 100 нА | НПН | 200 @ 500 мА 5 В | 220 МГц | 280 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA42,412 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-mpsa42126-datasheets-4241.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | MPSA42 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,625 Вт | 500мВт | 50 МГц | 300В | 100 мА | 0,5 В | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 3пФ | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||
| 2PC1815Y,412 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pc1815bl126-datasheets-4278.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2PC1815 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,5 Вт | 500мВт | 80 МГц | 50В | 150 мА | 0,3 В | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 2 мА 6 В | 3,5 пФ | 80 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||
| 2Н5401,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2n5401412-datasheets-1159.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2Н5401 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,63 Вт | 630мВт | 100 МГц | 150 В | 300 мА | 0,5 В | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 6пФ | 300 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||
| BC547C,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc847t115-datasheets-0574.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC547 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,625 Вт | 500мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||
| 370 112 бельгийских франков | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bf370112-datasheets-4286.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 Вт | 500мВт | 500 МГц | 15 В | 100 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 МГц | |||||||||||
| MPSA42,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-mpsa42126-datasheets-4241.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | MPSA42 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,625 Вт | 500мВт | 50 МГц | 300В | 100 мА | 0,5 В | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 3пФ | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||
| CP327V-MPSA13-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp327vmpsa13wn-datasheets-4265.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M8050-D-BP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-m8050cap-datasheets-3867.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 625 МВт | 25В | 800мА | 100 нА | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 150 МГц | 500 мВ при 80 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2ПК1815ГР,412 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pc1815bl126-datasheets-4278.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2PC1815 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,5 Вт | 500мВт | 80 МГц | 50В | 150 мА | 0,3 В | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 2 мА 6 В | 3,5 пФ | 80 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||
| ПБСС4350С,126 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pbss4350s126-datasheets-4292.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | НЕТ | ПБСС4350 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,83 Вт | 830мВт | 100 МГц | 50В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 2А 2В | 100 МГц | 290 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||
| ПБСС4140С,126 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pbss4140s126-datasheets-4293.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | ПБСС4140 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 830мВт | 150 МГц | 40В | 1А | 100 нА | НПН | 300 @ 500 мА 5 В | 150 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.