Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЯН2Н3418 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/393 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n3421-datasheets-3848.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-5 | 60В | 3А | 40 МГц | 3А | 85В | 5 мкА | НПН | 20 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3868 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3867s-datasheets-4969.pdf | ТО-5 | 3 | 12 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 3А | 60 МГц | 20 | 600 нс | 60В | 4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ47G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/onsemiconductor-tip50g-datasheets-7435.pdf | 250 В | 1А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 40 Вт | 260 | СОВЕТ47 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2 Вт | ТО-220АБ | 250 В | 1В | 250 В | 1А | 10 МГц | 350В | 5В | 30 | 1 мА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APT13003EU-G1 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-apt13003eztrg1-datasheets-0144.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 15 недель | APT13003EU-G1 | 20 Вт | ТО-126 | 20 Вт | 465В | 400мВ | 1,5 А | 465В | 1,5 А | НПН | 13 @ 500 мА 2 В | 4 МГц | 400 мВ при 250 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD47G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-njvmjd47t4g-datasheets-0699.pdf | 250 В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD47 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 10 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 В | 1В | 250 В | 1А | 10 МГц | 350В | 5В | 30 | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5152 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/544 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | НПН | ТО-5 | 80В | 2А | 2А | 100В | 50 мкА | НПН | 30 @ 2,5 А 5 В | 1,5 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н2369АУБ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/317 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2369a-datasheets-0290.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 360мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 360мВт | 15 В | 450 мВ | 400 нА | 18нс | 12нс | 40В | НПН | 20 @ 100 мА 1 В | 450 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5784 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | Свинец, Олово | е0 | Оловянный свинец | 10 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | ТО-5 | 65В | 3,5 А | 20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3420С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/393 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n3419s-datasheets-5134.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 3А | 3А | 85В | 5 мкА | НПН | 40 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДЖАН2Н2484UA | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/376 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2484-datasheets-7974.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 | 23 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/376 | 360мВт | ДВОЙНОЙ | 4 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 360мВт | 60В | 50 мА | 60В | 2нА | НПН | 225 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНВ2Н2605 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/354 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n2605-datasheets-5095.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 400мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 400мВт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 60В | 30 мА | 70В | 6В | 10нА | ПНП | 100 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2895 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 3 | 12 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,5 Вт | 1А | 65В | ТО-206АА | 120 МГц | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3764 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-2n3765-datasheets-5188.pdf | ТО-46 | 3 | 12 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | ПНП | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 1,5 А | 35 | 40В | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД17516СТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bd17516stu-datasheets-4928.pdf | 45В | 3А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 19 недель | 761 мг | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 30 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 80В | 800мВ | 45В | 3А | 3 МГц | 45В | 5В | 40 | 100 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 800 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5681 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n5681-datasheets-5209.pdf | 3 | 12 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | 8541.29.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-5 | 100В | 1А | 30 МГц | 5 | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3019С | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microsemicorporation-jantx2n3019s-datasheets-4938.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 12 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е4 | Золото (Ау) | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 800мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 80В | 80В | 1А | 140 В | 7В | 10нА | НПН | 50 @ 500 мА 10 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD210G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjd200rlg-datasheets-1569.pdf | -25В | -5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,223 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД210 | 3 | Одинокий | 40 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 65 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25 В | 1,8 В | 25 В | 5А | 65 МГц | 40В | 8В | 70 | 100на ИКБО | ПНП | 45 @ 2А 1В | 1,8 В при 1 А, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3740 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n3741-datasheets-5059.pdf | ТО-66 | 12 недель | 3 | Нет | ПНП | 25 Вт | 25 Вт | 1 | 60В | 4А | 60В | 7В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н2221АУА | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/255 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n2222a-datasheets-6667.pdf | 4-СМД, без свинца | 23 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 500мВт | UA | 500мВт | 50В | 800мА | 50В | 800мА | 75В | 50нА | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N5238 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/394 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 170 В | 10А | 2000 нс | 550 нс | 200В | 10 В | 10 мкА | НПН | 40 @ 5А 5В | 2,5 В при 1 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE180G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mje181g-datasheets-6841.pdf | 40В | 3А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 1,5 Вт | 260 | MJE180 | 3 | Одинокий | 40 | 12,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 1,7 В | 40В | 3А | 50 МГц | 60В | 7В | 50 | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 100 мА 1 В | 1,7 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5662 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n5662-datasheets-5218.pdf | 3 | 12 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | ОДИНОКИЙ | НПН | ТО-5 | 200В | 2А | 40 | 850 нс | 250 нс | 250 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н5237С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/394 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-5 | 120 В | 10А | 2000 нс | 550 нс | 150 В | 10 В | 10 мкА | НПН | 40 @ 5А 5В | 2,5 В при 1 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4033UA | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n4029-datasheets-4911.pdf | 4-СМД, без свинца | 3 | 12 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 500мВт | 1 | Не квалифицирован | Р-ЦДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 1А | 80В | 5В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N2484UB | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/376 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n2484-datasheets-7974.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 360мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 360мВт | 60В | 300мВ | 50 мА | 60В | 2нА | НПН | 225 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3741А | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-2n3741a-datasheets-5201.pdf | ТО-66 | 2 | 12 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 25 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | О-МБФМ-П2 | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 4А | 3 МГц | 10 | 80В | 7В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5786 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 3 | 8 недель | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 10 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | ТО-5 | 40В | 3,5 А | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4911 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | ТО-66 | 2 | 12 недель | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | НПН | 25 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 200°С | 25 Вт | 1 | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 4А | 20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3498L | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/366 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n3501l-datasheets-4895.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 100В | 500 мА | 1150 нс | 115 нс | 100В | 10 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 600 мВ при 30 мА, 300 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3419С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/393 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n3419s-datasheets-5134.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 3А | 3А | 125 В | 5 мкА | НПН | 20 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А |
