Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC6011A | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-2sc6011a-datasheets-3850.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | неизвестный | 160 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 160 Вт | 230В | 500мВ | 15А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 3А 4В | 20 МГц | 500 мВ при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н1480 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n1480pbfree-datasheets-3804.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 55В | 1,5 А | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 200 мА 4 В | 1,5 МГц | 1,4 В при 20 мА, 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС2Н3637 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 33 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 1 Вт | 175В | 600мВ | 1А | 200 МГц | 650 нс | 200 нс | 175В | 10 мкА | ПНП | 100 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ89 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul89-datasheets-3807.pdf | 400В | 12А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 110 Вт | БУЛ89 | 3 | Одинокий | 110 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 1В | 400В | 12А | 850В | 9В | 10 | 100 мкА | НПН | 10 @ 5А 5В | 5 В при 2,4 А, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4013 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n4014pbfree-datasheets-1760.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | 30В | 1,7 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZTA42 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-czta92trpbfree-datasheets-1799.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 2 Вт | 2 Вт | 50 МГц | 300В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2151A | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-2sa2151a-datasheets-3825.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | неизвестный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 160 Вт | 20 МГц | 230В | 15А | 10 мкА ИКБО | ПНП | 50 @ 3А 4В | 20 МГц | 500 мВ при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3421 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3440pbfree-datasheets-8788.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40 МГц | 80В | 1200 нс | 300 нс | 500нА ИКБО | НПН | 40 @ 1А 2В | 40 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6011 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-2sc6011-datasheets-3830.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | неизвестный | 160 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 160 Вт | 200В | 500мВ | 15А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 3А 4В | 20 МГц | 500 мВ при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4304 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sc4304-datasheets-3832.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | неизвестный | 35 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 35 Вт | ТО-220АБ | 800В | 500мВ | 3А | 15 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 700 мА 4 В | 15 МГц | 500 мВ при 140 мА, 700 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУД941ZTT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bu941zt-datasheets-7885.pdf | 350В | 15А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 150 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | БУД941 | 4 | Одинокий | 30 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 15А | 350В | 350В | 1,8 В | 350В | 15А | 5В | 5В | 300 | 100 мкА | NPN – Дарлингтон | 300 @ 5А 10В | 1,8 В при 250 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR586D3ФРАТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 13 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10 Вт | 80В | 5А | 1 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 3 В | 200 МГц | 300 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1567 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sa1567-datasheets-3841.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | 35 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 35 Вт | ТО-220АБ | 50В | 350 мВ | 12А | 40 МГц | 100 мкА ИКБО | ПНП | 50 @ 6А 1В | 40 МГц | 350 мВ при 300 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N6299 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/540 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jantx2n6299-datasheets-3843.pdf | ТО-213АА, ТО-66-2 | 2 | 20 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 64 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | Одинокий | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 64 Вт | 80В | 2В | 80В | 500 мкА | 4 МГц | 8А | 80В | 5В | PNP - Дарлингтон | 750 @ 4А 3В | 2 В при 16 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6058 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/502 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-204АА, ТО-3 | Содержит свинец | 2 | 20 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 150 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 150 Вт | 80В | 3В | 80В | 12А | 80В | 5В | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 6А 3В | 3 В @ 120 мА, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N3498 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/366 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n3501-datasheets-6705.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100В | 500 мА | 150 МГц | 100В | 6В | 10 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 600 мВ при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZT4033 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-czt4033trpbfree-datasheets-3557.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 2 Вт | 100 МГц | 80В | 1А | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2223 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-2sa2223-datasheets-3798.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | 160 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 160 Вт | 230В | 500мВ | 15А | 35 МГц | 10 мкА ИКБО | ПНП | 40 @ 5А 4В | 35 МГц | 500 мВ при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST8812FX | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-st8812fx-datasheets-3708.pdf | ISOWATT218FX | 3 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 50 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ST8812 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50 Вт | 600В | 3В | 7А | 1 мА | НПН | 4,5 @ 5А 5В | 3 В @ 800 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1351 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sb1351-datasheets-3734.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,05. | 30 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 Вт | ТО-220АБ | 60В | 1,5 В | 12А | 130 МГц | 10 мкА ИКБО | PNP - Дарлингтон | 2000 @ 10А 4В | 130 МГц | 1,5 В при 20 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4511 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sc4511-datasheets-3740.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | 30 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30 Вт | ТО-220АБ | 80В | 500мВ | 6А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 2А 4В | 20 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУД323ZT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bub323zt4g-datasheets-3746.pdf | 350В | 10А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 150 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БУД323 | 3 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10А | 350В | 350В | 1,6 В | 350В | 10А | 2 МГц | 6В | 500 | 100 мкА | NPN – Дарлингтон | 500 @ 5А 4,6В | 2 МГц | 1,7 В @ 250 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N3250 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3250pbfree-datasheets-3751.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 360мВт | 40В | 200 мА | ПНП | 50 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD47 TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cjd47tr13pbfree-datasheets-3647.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 14 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 15 Вт | 1,56 Вт | 10 МГц | 250 В | 1А | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 10 МГц | 1 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD45H11 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cjd44h11tr13-datasheets-3730.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 20 Вт | 1,75 Вт | 80В | 8А | 10 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 50 МГц | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5071 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc5071-datasheets-3773.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | неизвестный | 100 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100 Вт | 400В | 500мВ | 12А | 10 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 7А 4В | 10 МГц | 500 мВ при 1,4 А, 7 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СД2017 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sd2017-datasheets-3775.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 35 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 35 Вт | 250 В | 1,5 В | 6А | 20 МГц | 100 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 2А 2В | 20 МГц | 1,5 В при 2 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD32C TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/centralsemiconductorcorp-cjd31ctr13pbfree-datasheets-1750.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 14 недель | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 15 Вт | 1,56 Вт | 3 МГц | 100В | 3А | 15 Вт | 1,2 В | 50 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4546 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc4546-datasheets-3784.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | неизвестный | 30 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 Вт | ТО-220АБ | 400В | 700мВ | 7А | 10 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 3А 4В | 10 МГц | 700 мВ при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD44H11 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cjd44h11tr13-datasheets-3730.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 33 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 20 Вт | 1,75 Вт | 80В | 8А | 10 мкА | НПН | 40 @ 4А 1В | 60 МГц | 1 В при 400 мА, 8 А |
