Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPSA05RA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mpsa05ra-datasheets-2341.pdf | 60В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 201мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | MPSA05 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60В | 60В | 250 мВ | 60В | 500 мА | 100 МГц | 60В | 4В | 100 | 100 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC33740BU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | 45В | 800 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 5,33 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC337 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 210 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 700мВ | 45В | 800 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 60 | 100нА | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4923G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n4921g-datasheets-7072.pdf | 80В | 1А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,7978 мм | 11,0998 мм | 2,9972 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 30 Вт | 260 | 2N4923 | 3 | Одинокий | 40 | 30 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 600мВ | 80В | 1А | 3 МГц | 80В | 5В | 40 | 500 мкА | НПН | 30 @ 500 мА 1 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1386T100Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-2sb1412tlr-datasheets-0971.pdf | -20В | -5А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Медь, Олово | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2SB1386 | 3 | Одинокий | 10 | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 2 Вт | 20 В | 20 В | 1В | 5А | 120 МГц | -30В | -6В | 1 В | 82 | 500нА ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 2 В | 1 В при 100 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВ1К301ЕТ4Г-ВФ01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-nss1c301et4g-datasheets-1196.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 8 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2,1 Вт | 120 МГц | 100В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 1А 2В | 120 МГц | 250 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС8550ДТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ss8550cbu-datasheets-1027.pdf | -25В | -1,5 А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1 Вт | НИЖНИЙ | СС8550 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25 В | 25 В | -280мВ | 25 В | 1,5 А | 200 МГц | -40В | -6В | 85 | 100нА | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 80 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5191G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2n5192g-datasheets-7270.pdf | 60В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 31,75 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | 2Н5191 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 1,4 В | 60В | 4А | 2 МГц | 60В | 5В | 25 | 1 мА | НПН | 25 @ 1,5 А 2 В | 1,4 В при 1 А, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КСА1142ОСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksa1142ostu-datasheets-2442.pdf | -180В | -100 мА | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 761 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 8 Вт | Одинокий | 8 Вт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 1,2 Вт | 180 В | -160мВ | 180 В | 100 мА | 180 МГц | -180В | -5В | 100 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZX5T3ZTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 152 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/diodesincorporated-zx5t3zta-datasheets-2392.pdf | -40В | -5,5 А | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 51,993025мг | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | ZX5T3 | 3 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 152 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -5,5 А | 2,1 Вт | 40В | 40В | 40В | 5,5 А | 152 МГц | 50В | -7,5 В | 200 | 20нА | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 185 мВ при 550 мА, 5,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ32БГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-tip32ag-datasheets-6773.pdf | -80В | -3А | ТО-220-3 | 10,2616 мм | 15 748 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ32 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 80В | 1,2 В | 80В | 3А | 3 МГц | 80В | 5В | 25 | 300 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TBC847B,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 320мВт | СОТ-23 | 320мВт | 50В | 50В | 400мВ | 150 мА | 50В | 150 мА | 30на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 100 мА, 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FMMT38CTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fmmt38cta-datasheets-2301.pdf | 60В | 300 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФММТ38C | 3 | Одинокий | 40 | 1 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 мА | 60В | 60В | 1,25 В | 60В | 300 мА | 100 МГц | 80В | 10 В | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 5000 @ 100 мА 5 В | 1,25 В при 8 мА, 800 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5030FRTU | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-ksc5030frtu-datasheets-2306.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | ТО-3ПФ | 60 Вт | 800В | 6А | 10 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 600 мА 5 В | 2 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STN93003 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stn93003-datasheets-2308.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,9 мм | 3,5 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТН93 | 4 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 400В | 400В | -500мВ | -400В | -1,5 А | 1,5 А | -10В | 16 | 1 мА | ПНП | 16 @ 350 мА 5 В | 500 мВ при 100 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA1298YMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-ksa1298ymtf-datasheets-2313.pdf | -25В | -800мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КСА1298 | Одинокий | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 120 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25 В | 25 В | -400мВ | 25 В | 800 мА | 120 МГц | -30В | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 400 мВ при 20 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-zxtn4240f7-datasheets-2320.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 13 недель | 730мВт | 40В | 2А | 100на ИКБО | НПН | 300 @ 1А 2В | 100 МГц | 320 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ6520LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-nsvmmbt6520lt1g-datasheets-8868.pdf | -350В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 2,64 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ6520 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 225 МВт | 350В | 350В | -1В | 350В | 500 мА | 40 МГц | 350В | 5В | 20 | 50на ИКБО | ПНП | 20 @ 50 мА 10 В | 1 В @ 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| MJD47T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-njvmjd47t4g-datasheets-0699.pdf | 250 В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 17 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD47 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 10 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 В | 250 В | 1В | 250 В | 1А | 10 МГц | 350В | 5В | 30 | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| NJVMJD50T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-njvmjd47t4g-datasheets-0699.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 22 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | MJD50 | 3 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 1В | 400В | 1А | 10 МГц | 500В | 5В | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547BBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | 45В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC547 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 250 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4886 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc4886-datasheets-2252.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | -3пФ | Без свинца | 3 | 36 недель | да | EAR99 | неизвестный | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80 Вт | 150 В | 2В | 14А | 60 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 5А 4В | 60 МГц | 2 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJF15030 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mjf15030-datasheets-2261.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 240 | 3 | 30 | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2 Вт | ТО-220АБ | 30 МГц | 150 В | 8А | 10 мкА | НПН | 20 @ 4А 2В | 30 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1162-Y,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 7,994566мг | да | 150 мВт | Одинокий | 80 МГц | 150 мВт | 50В | 50В | 100 мВ | 50В | 150 мА | 50В | 5В | 70 | 100 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 2 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3904ТФР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n3904ta-datasheets-0597.pdf&product=onsemiconductor-2n3904tfr-6310573 | 40В | 200 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 8,77 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н3904 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC32740TA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | -45В | -800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC327 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | -700мВ | 45В | 800 мА | 100 МГц | -5В | 100 | 100нА | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE5850 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-mje5851-datasheets-2186.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | 80 Вт | 300В | 8А | ПНП | 5 @ 5А 5В | 5 В при 3 А, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2907ATF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-pn2907abu-datasheets-1335.pdf | -60В | -800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | PN2907A | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | -1,6 В | 60В | 800 мА | 200 МГц | 45нс | -60В | -5В | 100 | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДПБТ8105-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dpbt81057-datasheets-2177.pdf | -60В | -1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДПБТ8105 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 600мВт | 60В | 60В | -600мВ | 60В | 1А | 150 МГц | 80В | -5В | 100нА | ПНП | 100 @ 500 мА 5 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6042 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-2n6045-datasheets-2031.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | 75 Вт | 100В | 8А | 20 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 2 В при 12 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF6810ATU | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fjaf6810atu-datasheets-2231.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60 Вт | 750В | 10А | 1 мА | НПН | 5 @ 6А 5В | 3 В @ 1,5 А, 6 А |
