Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время включения-Макс (тонна) | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЯНС2Н5339У3 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/560 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 5-СМД | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/560 | 1 Вт | НИЖНИЙ | 5 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | ТО-276АА | 100В | 5А | 100В | 100 мкА | НПН | 60 @ 2А 2В | 1,2 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N697A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n697apbfree-datasheets-1865.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 6 недель | 35В | 1 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 50 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP710V-MPSA92-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp710vmpsa92ct20-datasheets-1836.pdf | Править | 10 недель | Править | 300В | 500мВ | 500 мА | 300В | 500 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857BWH6327XTSA1 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-bc857bwh6327xtsa1-datasheets-1868.pdf | СК-70, СОТ-323 | PG-SOT323-3 | 250 мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СТА2120 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 25 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2sta2120-datasheets-1772.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 18,7 мм | 5 мм | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 200 Вт | 2СТА | 3 | Одинокий | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 25 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 250 В | 3В | 250 В | 17А | 25 МГц | 250 В | 6В | 80 | 5 мкА ИКБО | ПНП | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N930 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/253 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jantx2n930-datasheets-1796.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 45В | 45В | 30 мА | 30 МГц | 60В | 6В | 2нА | НПН | 100 @ 10 мкА 5 В | 1 В @ 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STC4467 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 20 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stc4467-datasheets-1798.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 80 Вт | 260 | 2СТЦ | 3 | Одинокий | 30 | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 120 В | 120 В | 120 В | 8А | 20 МГц | 120 В | 6В | 10 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 3А 4В | 1,5 В при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2907A | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pn2907a-datasheets-1799.pdf | -60В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 6А | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | 60В | 500мВт | НИЖНИЙ | PN2907 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | 600 мА | 200 МГц | 600 мА | 45нс | -60В | -5В | 100 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4138 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sc4138-datasheets-1800.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | неизвестный | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 400В | 500мВ | 10А | 10 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 6А 4В | 10 МГц | 500 мВ при 1,2 А, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP127-2N6301-CT5 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp1272n6301ct5-datasheets-1802.pdf | Править | 10 недель | Править | 80В | 3В | 8А | 80В | 8А | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 4А 3В | 4 МГц | 3 В @ 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2151 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/sanken-2sa2151-datasheets-1813.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | неизвестный | 160 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 160 Вт | 200В | 500мВ | 15А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | ПНП | 50 @ 3А 4В | 20 МГц | 500 мВ при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP591X-2N2907A-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp591x2n2907act20-datasheets-1815.pdf | Править | 10 недель | Править | 60В | 1,6 В | 600 мА | 60В | 600 мА | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N1485 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/180 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n1485-datasheets-1820.pdf | ТО-233АА, ТО-8-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-С-19500/180Д | 1,75 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 40В | 3А | 1,25 МГц | 3А | 60В | 15 мкА ИКБО | НПН | 35 @ 750 мА 4 В | 750 мВ при 40 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP310-MPSA42-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp310mpsa42ct20-datasheets-1821.pdf | Править | 10 недель | Править | 300В | 500мВ | 500 мА | 300В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N1711S | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/225 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-jantx2n1711s-datasheets-1825.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | нет | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | ТО-5 | 30В | 500 мА | 70 МГц | 75В | 7В | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1,5 В @ 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3501 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3501pbfree-datasheets-1826.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 34 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 150 В | 300 мА | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 150 МГц | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N3501 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/366 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jantx2n3501-datasheets-6705.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 150 В | 150 В | 300 мА | 150 В | 6В | 10 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС2Н2907А | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/291 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n2907aub-datasheets-8826.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 33 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/291 | 400мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 500мВт | 60В | 600 мА | 200 МГц | 45нс | 60В | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2222АЕ4 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n2222a-datasheets-6667.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 8 недель | 3 | Нет | 500мВт | ТО-18 | 500мВт | 50В | 800мА | 50В | 800мА | 75В | 10 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV27E6395HTMA1 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 | 360мВт | 30В | 500 мА | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 170 МГц | 1 В при 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5415UA | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n5415ua-datasheets-1790.pdf | 12 недель | 4 | нет | Нет | е4 | ЗОЛОТО НАД НИКЕЛЕМ | 750 мВт | 200В | 1А | 200В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE210 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mje210-datasheets-1791.pdf | -40В | -5А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 1,5 Вт | MJE210 | 3 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 65 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25 В | 25 В | 5А | 65 МГц | 40В | -8В | 45 | 100на ИКБО | ПНП | 45 @ 2А 1В | 1,8 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP527-2N6299-CT5 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp5272n6299ct5-datasheets-1792.pdf | Править | 10 недель | Править | 80В | 3В | 8А | 80В | 8А | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 4А 3В | 4 МГц | 3 В @ 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ14160РА | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sb14160ra-datasheets-1725.pdf | -60В | -3А | 3-SIP | Содержит свинец | 3 | 1,5 Вт | 2СБ1416 | МТ-3-А1 | 1,5 Вт | 60В | 60В | 1,2 В | 3А | 60В | 3А | 300 мкА | ПНП | 120 @ 1А 4В | 270 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJB5742T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mjb5742t4g-datasheets-1752.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,29 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 2.000002г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | MJB5742 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8А | 100 Вт | 400В | 400В | 2В | 400В | 8А | 8В | NPN – Дарлингтон | 200 @ 4А 5В | 3 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ126 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip121-datasheets-7098.pdf | -80В | -5А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 2 Вт | СОВЕТ126 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 80В | 2В | 80В | 5А | 80В | 5В | 4 В | 1000 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 3А 3В | 4 В при 20 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4014 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4014pbfree-datasheets-1760.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 50В | 1,7 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6668 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/stmicroelectronics-2n6668-datasheets-1764.pdf | -80В | -10А | ТО-220-3 | Содержит свинец | 3 | Нет СВХК | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 65 Вт | 2Н66 | 3 | Одинокий | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10А | ТО-220АБ | 80В | 80В | 10А | 20 МГц | 80В | 5В | 3 В | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6059 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2n6059-datasheets-1767.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЕ РЕЗИСТОРЫ СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2Н60 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 150 Вт | 150 Вт | 4 МГц | 100В | 12А | 150 Вт | 3 В | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 6А 3В | 4 МГц | 3 В @ 120 мА, 12 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ510 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul510-datasheets-1774.pdf | 450В | 10А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100 Вт | БУЛ510 | 3 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 450В | 1,5 В | 450В | 10А | 1кВ | 9В | 15 | 250 мкА | НПН | 15 @ 1А 5В | 1,5 В @ 1,25 А, 5 А |
