Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Время падения-Макс (тс) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856AW, 135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc857bw135-datasheets-1230.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC856 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Не квалифицированный | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 65В | 65В | 100 мА | 100 МГц | 80В | 5В | 15на ИКБО | ПНП | 125 при 2 мА 5 В | 5пФ | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858W,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc857bw135-datasheets-1230.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC858 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30В | 30В | 30В | 100 мА | 100 МГц | 30В | 5В | 15на ИКБО | ПНП | 125 при 2 мА 5 В | 5пФ | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856W,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc857bw135-datasheets-1230.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC856 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 65В | 65В | 65В | 100 мА | 100 МГц | 80В | 5В | 15на ИКБО | ПНП | 125 при 2 мА 5 В | 5пФ | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857W,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc857bw135-datasheets-1230.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC857 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 15на ИКБО | ПНП | 125 при 2 мА 5 В | 5пФ | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4126LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mmbt4126lt1g-datasheets-2957.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 2,64 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ4126 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 225 МВт | 25 В | -400мВ | 25 В | 200 мА | 250 МГц | 25 В | 4В | 120 | ПНП | 120 при 2 мА 1 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC848W,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-bc848b215-datasheets-1101.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC848 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30В | 30В | 100 мА | 100 МГц | 30В | 5В | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП147ФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-tip147ftu-datasheets-7419.pdf | -100В | -2А | ТО-3П-3 Полный пакет | 15,7 мм | 16,7 мм | 5,7 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 6,962 г | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 125 Вт | СОВЕТ147 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 125 Вт | 100В | 2В | 100В | 10А | -100В | -5В | 1000 | 2мА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 5А 4В | 3 В при 40 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJPF13009H1TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjpf13009h1tu-datasheets-7434.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, формованные выводы | 10,36 мм | 16,07 мм | 4,9 мм | 3 | 11 недель | 2,27 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | НЕ УКАЗАН | FJPF13009 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 3В | 400В | 12А | 4 МГц | 700В | 9В | 6 | НПН | 6 @ 8А 5В | 3 В при 3 А, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НО30В | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпус, панель, винт | Крепление на шасси | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-but30v-datasheets-7448.pdf | 125 В | 100А | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,2 мм | 9,1 мм | 25,5 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Никель | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НО30 | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | BIP Мощность общего назначения | Р-XUFM-X3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200В | 700мВ | 125 В | 100А | 2200 нс | 200В | 7В | 0,9 В | 27 | 200 нс | НПН | 27 @ 100 А 5 В | 900 мВ при 10 А, 100 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2222АЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-mmbt2222lt1g-datasheets-1598.pdf | 40В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | Олово | Нет | 100 МГц | НПН | 225 МВт | ММБТ2222А | Одинокий | 300мВт | 1 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 300 МГц | 300мВт | 40В | 40В | 1В | 40В | 600 мА | 40В | 600 мА | 75В | 6В | 35 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc856alt1g-datasheets-0945.pdf | -65В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 65В | 65В | -650мВ | 65В | 100 мА | 100 МГц | 80В | 5В | 220 | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БК816-25ВЛ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 4 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850BLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC850*Л | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 45В | 45В | 600мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 200 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BD440S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-bd440s-datasheets-7288.pdf | -60В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 761 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 36 Вт | БД440 | Одинокий | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | -800мВ | 60В | 4А | 3 МГц | -60В | -5В | 25 | 100 мкА | ПНП | 40 @ 500 мА 1 В | 800 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МЖД253-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 40 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd253t4g-datasheets-1247.pdf | -100В | -4А | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 12,5 Вт | 260 | МЖД253 | 4 | Одинокий | 40 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | 40 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 100В | 600мВ | 100В | 4А | 40 МГц | 100В | 7В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 200 мА 1 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC847AW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-bc847bw7f-datasheets-3258.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC847 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 65В | 45В | 600мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 6В | 20на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3906LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbt3906lt1g-datasheets-6861.pdf | -40В | -200мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ3906 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 40В | 40В | -400мВ | 40В | 200 мА | 250 МГц | 70нс | 40В | 5В | 0,4 В | 60 | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 4,5 пФ | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3904LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbt3904lt1g-datasheets-6737.pdf&product=onsemiconductor-mmbt3904lt3g-6306901 | 40В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ3904 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 40В | 40В | 300 мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 40 | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2620G0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sd2620g0l-datasheets-7359.pdf | СК-89, СОТ-490 | 125 МВт | 2SD2620 | ССМини3-F3 | 125 МВт | 100В | 100В | 200 мВ | 20 мА | 100В | 20 мА | 1 мкА | НПН | 400 при 2 мА 10 В | 200 МГц | 200 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858ALT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc856alt1g-datasheets-0945.pdf | -30В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 2,64 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 30В | 30В | -650мВ | 30В | 100 мА | 100 МГц | 30В | 5В | 125 | 15на ИКБО | ПНП | 125 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BD244BG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bd243cg-datasheets-7401.pdf | -80В | -6А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 65 Вт | 260 | БД244 | 3 | Одинокий | 40 | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 80В | 1,5 В | 80В | 6А | 3 МГц | 80В | 5В | 30 | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 1 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5884 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5884pbfree-datasheets-7412.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 80В | 25А | 2мА | ПНП | 20 @ 10 А 4 В | 4 МГц | 4 В при 6,25 А, 25 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДЖЛ0281ДГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-njl0302dg-datasheets-2101.pdf | -260В | -15А | ТО-264-5 | 20,02 мм | 26,111 мм | 5,182 мм | Без свинца | 5 | 2 недели | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 180 Вт | НЕ УКАЗАН | 5 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 260В | 1В | 260В | 15А | 30 МГц | 260В | 5В | 75 | 10 мкА ИКБО | НПН | 75 @ 3А 5В | 1 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1819АРЛ | Электронные компоненты Panasonic | $6,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sd1819aql-datasheets-4816.pdf | 50В | 100 мА | СК-70, СОТ-323 | Содержит свинец | 150 мВт | 2SD1819 | SMini3-G1 | 150 мВт | 50В | 50В | 300 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100 мкА | НПН | 210 при 2 мА 10 В | 150 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1805G-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1805ftle-datasheets-0953.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 1 Вт | 2SD1805 | 3 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 20 В | 500мВ | 5А | 5А | 60В | 6В | 280 | 100на ИКБО | НПН | 280 @ 500 мА 2 В | 500 мВ при 60 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1803T-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-2sb1203ttle-datasheets-9227.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 6 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | Нет | 180 МГц | Без галогенов | 1 Вт | 2SD1803 | 3 | Одинокий | 50В | 400мВ | 50В | 5А | 60В | 6В | 70 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 2 В | 180 МГц | 400 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1816S-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sb1216se-datasheets-7140.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е6 | НЕТ | 1 Вт | 2SD1816 | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100В | 100В | 4А | 180 МГц | 120 В | 6В | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 5 В | 400 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB0709AQL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sb0709asl-datasheets-1953.pdf | -45В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 200мВт | 2SB0709 | Мини3-G1 | 200мВт | 45В | 45В | 500мВ | 100 мА | 45В | 100 мА | 100 мкА | ПНП | 160 при 2 мА 10 В | 80 МГц | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD242BG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bd241cg-datasheets-7381.pdf | -80В | -3А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 40 Вт | 260 | БД242 | 3 | Одинокий | 40 | 40мВт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40 Вт | ТО-220АБ | 80В | 1,2 В | 80В | 3А | 3 МГц | 115В | 5В | 25 | 300 мкА | ПНП | 25 @ 1А 4В | 1,2 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСД363РТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksd363rtu-datasheets-7214.pdf | 120 В | 6А | ТО-220-3 | 9,9 мм | 14,2 мм | 4,5 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 40 Вт | КСД363 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ТО-220АБ | 120 В | 1В | 120 В | 6А | 10 МГц | 300В | 8В | 40 | 1 мА ИКБО | НПН | 40 @ 1А 5В | 1 В при 100 мА, 1 А |
