Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3456BDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3456bdvt1e3-datasheets-8200.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 19,986414мг | 35МОм | 6 | Нет | 1 | Одинокий | 6-ЦОП | 10 нс | 15 нс | 10 нс | 25 нс | 4,5 А | 20 В | 30 В | 1,1 Вт Та | 35мОм | 30 В | N-канал | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,5 А Та | 13 НК при 10 В | 35 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2331DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2331dst1ge3-datasheets-6132.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | Одинокий | 710мВт | 1 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 780пФ | 35 нс | 35 нс | 65 нс | 3,2А | 8В | 12 В | 710мВт Та | 48мОм | 20 В | P-канал | 780пФ при 6В | 48 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 3.2А Та | 14 НК при 4,5 В | 48 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2311DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2311dst1ge3-datasheets-6150.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,02 мм | 1,4 мм | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | СОТ-23-3 | 970пФ | 18 нс | 45нс | 45 нс | 40 нс | -3А | 8В | 8В | 710мВт Та | 45мОм | -8В | P-канал | 970пФ при 4В | 45 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 3А Та | 12 НК при 4,5 В | 45 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3454CDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3454cdvt1e3-datasheets-6102.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1,25 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 3,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,25 Вт Ta 1,5 Вт Tc | 4,2А | 0,05 Ом | 30 В | N-канал | 305пФ при 15В | 50 мОм при 3,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,2 А Тс | 10,6 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1054X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1054xt1ge3-datasheets-0096.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 32,006612мг | 95мОм | 1 | Одинокий | СК-89-6 | 480пФ | 5,5 нс | 13нс | 13 нс | 37 нс | 1,32А | 8В | 12 В | 236мВт Та | 95мОм | N-канал | 480пФ при 6В | 95 мОм при 1,32 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 8,57 НК при 5 В | 95 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1413DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1413dht1e3-datasheets-6146.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Нет | СК-70-6 (СОТ-363) | 13 нс | 32нс | 42 нс | 34 нс | 2,3А | 8В | 20 В | 1 Вт Та | P-канал | 115 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 800 мВ при 100 мкА | 2,3А Та | 8,5 нк @ 4,5 В | 115 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3445DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3445dvt1ge3-datasheets-6159.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 нс | 50 нс | 60 нс | 110 нс | -5,6А | 8В | КРЕМНИЙ | 2 Вт Та | 20А | 0,042 Ом | 8В | P-канал | 42 мОм при 5,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 25 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ90Н08-6М2П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum90n086m2pe3-datasheets-4955.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | Нет | 3,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 16 нс | 11нс | 10 нс | 24 нс | 90А | 20 В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 240А | 0,0062Ом | 75В | N-канал | 4620пФ при 30В | 6,2 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 90А Ц | 115 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1307DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1307dlt1ge3-datasheets-6164.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 3 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | 7,5 нс | 32нс | 11,5 нс | 17 нс | 850 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 12 В | 12 В | 290мВт Та | 0,85 А | 0,29 Ом | P-канал | 290 мОм при 1 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 850 мА Та | 5нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1450DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1450dht1e3-datasheets-8067.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | СК-70-6 (СОТ-363) | 535пФ | 6.04А | 8В | 1,56 Вт Ta 2,78 Вт Tc | N-канал | 535пФ при 4В | 47 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,53 А Та 6,04 А Тс | 7,05 НК при 5 В | 47 мОм | 1,5 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3456CDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3456cdvt1ge3-datasheets-6168.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 19,986414мг | 34мОм | 6 | 1 | Одинокий | 6-ЦОП | 460пФ | 7,7А | 20 В | 30 В | 2 Вт Та 3,3 Вт Тс | 34мОм | N-канал | 460пФ при 15В | 34 мОм при 6,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,7 А Тс | 12 НК при 10 В | 34 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3493DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3493dvt1e3-datasheets-6170.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,0988 мм | 990,6 мкм | 1,7018 мм | Без свинца | 27мОм | 6 | Нет | Одинокий | 1,9 Вт | 6-ЦОП | 20 нс | 40 нс | 40 нс | 125 нс | 5,3А | 8В | 20 В | 1,1 Вт Та | 27мОм | -20В | P-канал | 27 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5.3А Та | 32 НК при 4,5 В | 27 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2321DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2321dst1ge3-datasheets-6173.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Нет | Одинокий | 710мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | 715пФ | 15 нс | 35 нс | 40 нс | 60 нс | 2,9 А | 8В | 20 В | 710мВт Та | 57мОм | 20 В | P-канал | 715пФ при 6В | 57 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 2,9А Та | 13 НК при 4,5 В | 57 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3446ADV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si3446advt1e3-datasheets-8083.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 86нс | 10 нс | 25 нс | 5,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 В | 2 Вт Та 3,2 Вт Тс | 6А | 0,037Ом | 20 В | N-канал | 640пФ при 10 В | 1,8 В | 37 мОм при 5,8 А, 4,5 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6А Ц | 20 НК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФЗ44ЗС | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-auirfz44zstrl-datasheets-9445.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 11,3 мм | 2 | 16 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 80 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 68нс | 41 нс | 33 нс | 51А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 80 Вт Тс | 200А | 55В | N-канал | 1420пФ при 25В | 13,9 мОм при 31 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 51А Ц | 43 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI3455ADV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3455advt1e3-datasheets-8115.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1,14 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 7нс | 10 нс | 20 нс | 2,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,14 Вт Та | 30 В | P-канал | 100 мОм при 3,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 13 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1413DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1413dht1e3-datasheets-6146.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | Нет | Одинокий | 1 Вт | 1 | СК-70-6 (СОТ-363) | 13 нс | 32нс | 32 нс | 34 нс | 2,3А | 8В | 20 В | 1 Вт Та | 220мОм | 20 В | P-канал | 115 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 800 мВ при 100 мкА | 2,3А Та | 8,5 нк @ 4,5 В | 115 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1031X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1031rt1ge3-datasheets-1079.pdf | СК-75А | 29,993795мг | 3 | 1 | Одинокий | 340мВт | СК-75А | 55 нс | 30 нс | 30 нс | 60 нс | 155 мА | 6В | 20 В | 300мВт Та | 8Ом | -20В | P-канал | 8 Ом @ 150 мА, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 155 мА Та | 1,5 нк @ 4,5 В | 8 Ом | 1,5 В 4,5 В | ±6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3424DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3424dvt1e3-datasheets-8104.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1,14 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,14 Вт Та | 5А | 0,028 Ом | 30 В | N-канал | 28 мОм при 6,7 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 5А Та | 18 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3454ADV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3454advt1e3-datasheets-8119.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1,14 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 10 нс | 7 нс | 20 нс | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,14 Вт Та | 30 В | N-канал | 60 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,4А Та | 15 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3451DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3451dvt1e3-datasheets-8099.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Одинокий | 1,25 Вт | 6-ЦОП | 250пФ | 2,8А | 12 В | 20 В | 1,25 Вт Ta 2,1 Вт Tc | 115мОм | 20 В | P-канал | 250пФ при 10В | 115 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,8 А Тс | 5,1 нк при 5 В | 115 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3410DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | $3,95 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3410dvt1ge3-datasheets-9140.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | 19,986414мг | Неизвестный | 6 | 1 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 6-ЦОП | 1,295 нФ | 10 нс | 8нс | 8 нс | 21 нс | 8А | 20 В | 30 В | 3В | 2 Вт Та 4,1 Вт Тс | 19,5 мОм | N-канал | 1295пФ при 15В | 3 В | 19,5 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А Тк | 33 НК при 10 В | 19,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3434DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3434dvt1e3-datasheets-8126.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 45нс | 30 нс | 40 нс | 4,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 1,14 Вт Та | 0,034Ом | 30 В | N-канал | 4 В | 34 мОм при 6,1 А, 4,5 В | 600 мВ @ 1 мА (мин) | 4,6А Та | 12 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2335DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2335dst1ge3-datasheets-6121.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 750 мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 13 нс | 50 нс | 3,2А | 8В | КРЕМНИЙ | 750мВт Та | 0,051 Ом | 12 В | P-канал | 1225пФ при 6В | 51 мОм при 4 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 3.2А Та | 15 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1488DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1488dht1e3-datasheets-8029.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 1 | 8,5 нс | 45нс | 82 нс | 35 нс | 6,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,5 Вт Ta 2,8 Вт Tc | 20А | 0,049 Ом | 5 мДж | N-канал | 530пФ при 10 В | 49 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 6.1А Ц | 10 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1433DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1433dht1e3-datasheets-7971.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 1 | Другие транзисторы | 11 нс | 17нс | 13 нс | 18 нс | 1,9 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 950мВт Та | 0,15 Ом | P-канал | 150 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В при 100 мкА | 1,9 А Та | 5нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3433BDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3433bdvt1e3-datasheets-8123.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | 15 нс | 45нс | 60 нс | 80 нс | -4,3А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | -450мВ | 1,1 Вт Та | 0,042 Ом | -20В | P-канал | -450 мВ | 42 мОм при 5,6 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 4.3А Та | 18 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2331DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2331dst1ge3-datasheets-6132.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 48мОм | Одинокий | 710мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | 780пФ | 65 нс | 3,2А | 8В | 12 В | 710мВт Та | 48мОм | 20 В | P-канал | 780пФ при 6В | 48 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 3.2А Та | 14 НК при 4,5 В | 48 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1305EDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1305edlt1e3-datasheets-7912.pdf | СК-70, СОТ-323 | СК-70-3 | 860 мА | 8В | 290мВт Та | P-канал | 280 мОм при 1 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 860 мА Та | 4нК при 4,5 В | 280 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛР2905 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-auirlr2905trl-datasheets-5812.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 52 недели | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 110 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 84нс | 15 нс | 26 нс | 42А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 110 Вт Тс | ТО-252АА | 55В | N-канал | 1700пФ при 25В | 27 мОм при 25 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 42А Тк | 48 НК при 5 В | 4В 10В | ±16 В |
