Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SS1H6LW РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss1h6lwrvg-datasheets-1397.pdf | СОД-123W | 10 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 нА при 60 В | 700 мВ при 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1КЛС РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs1mlsrvg-datasheets-0984.pdf | СОД-123Н | 10 недель | СОД-123ХЭ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 300 нс | Стандартный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,3 В @ 1,2 А | 1,2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT46WFILM | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bat46awfilm-datasheets-1433.pdf | 100В | 150 мА | СК-70, СОТ-323 | 10пФ | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Стандартный | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БАТ46 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 150 мА | 150 мА | 1В | 1А | 5 мкА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 1А | 5 мкА | 100В | 1А | Шоттки | 100В | 150 мА | 10 пФ @ 0 В 1 МГц | 5 мкА при 75 В | 1 В @ 250 мА | 150 мА постоянного тока | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS110AGC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-scs106agc-datasheets-4405.pdf | ТО-220-2 | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | 57 Вт | 175°С | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 10А | 1,6 В | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 40А | 200 мкА | 600В | 40А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 600В | 10А | 430пФ @ 1В 1МГц | 200 мкА при 600 В | 1,7 В при 10 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACDBA140-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/comchiptechnology-acdba140hf-datasheets-1173.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 12 недель | да | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 125°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | Шоттки | 1А | 65пФ @ 4В 1МГц | 40В | 500 мкА при 40 В | 500 мВ при 1 А | 1А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1А Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs1gr3g-datasheets-8450.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 нс | Стандартный | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC30X-600P, 127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | 2 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 175°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | МОЩНОСТЬ СВЕРХБЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 10 мкА | ТО-220АС | 35 нс | Стандартный | 220А | 1 | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,8 В при 30 А | 30А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1МЛШРВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs1mlsrvg-datasheets-0984.pdf | СОД-123Н | 10 недель | СОД-123ХЭ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 300 нс | Стандартный | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,3 В @ 1,2 А | 1,2А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1KLW РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СОД-123W | 10 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 1 мкА при 800 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1Б Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs1gr3g-datasheets-8450.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 нс | Стандартный | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS2D-E3/I | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-cs2me3i-datasheets-2065.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 11 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 2,1 мкс | Стандартный | 200В | 1,6А | 50А | 1 | 12пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,15 В при 2 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1ДЖ Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs1gr3g-datasheets-8450.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 нс | Стандартный | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1J R3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-s1mr3g-datasheets-8328.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 12пФ @ 4В 1МГц | 600В | 1 мкА при 600 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1Г-Е3/5АТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rs1je35at-datasheets-8195.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | РС1Г | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,3 В | 30А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 400В | 30А | 400В | 150 нс | 150 нс | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSE07PGHM3/89A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mse07pjhm389a-datasheets-8000.pdf | МикроСМП | 2 | 28 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 780 нс | Стандартный | 400В | 700 мА | 0,7 А | 5пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,08 В @ 700 мА | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАВ203-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bav202gs08-datasheets-5036.pdf | 250 мА | 1,6 мм | Вариант СОД-80 | 3,5 мм | 1,5 мм | 1,7 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БАВ203 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 250 мА | 1В | 1А | 100нА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 15 мкА | 250 В | 1А | 50 нс | 50 нс | Стандартный | 200В | 250 мА | 1,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 100 нА при 200 В | 1 В при 100 мА | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПСК606Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stpsc606d-datasheets-1076.pdf | ТО-220-2 | Без свинца | 2 | 14 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | Олово | 8541.10.00.80 | е3 | НЕ УКАЗАН | СТПСК6 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 6А | 1,7 В | 27А | 75 мкА | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 75 мкА | 600В | 110А | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 600В | 6А | 1 | 6А | 375пФ при 0 В 1 МГц | 75 мкА при 600 В | 1,7 В при 6 А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В2ПМ12-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-v2pm12m3h-datasheets-1216.pdf | ДО-219АД | 140пФ | 730 мкм | 2 | 10 недель | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 175°С | Р-ПДСО-Ф2 | 2А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 50 мкА | 120 В | Шоттки | 1 | 1,4 А | 140пФ @ 4В 1МГц | 50 мкА при 120 В | 980 мВ при 2 А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1ГЛ РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs1klrvg-datasheets-8026.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 нс | Стандартный | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В @ 800 мА | 800мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РСФИЛ РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rsfjlr3g-datasheets-8615.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 нс | Стандартный | 4пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 500 мА | 500 мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-1Н1188А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без блокировки) | 190°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs1n1184ra-datasheets-5851.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 36,9062 мм | 1 | 13 недель | 2 | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1Н1188 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | О-МУПМ-Д1 | 40А | 1,3 В | 800А | КАТОД | ВЛАСТЬ | 0,25 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 800А | 2,5 мА | 400В | 800А | 400В | Стандартный | 400В | 40А | 1 | 2,5 мА при 400 В | 1,3 В при 126 А | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-30WQ10FNHM3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs30wq10fnhm3-datasheets-1104.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30WQ10 | 150°С | 10 | 1 | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | ТО-252АА | Шоттки | 100В | 3,5 А | 70А | 1 | 92пФ @ 5В 1МГц | 100В | 1 при мА 100 В | 810 мВ при 3 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РСФКЛ РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rsfjlr3g-datasheets-8615.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 нс | Стандартный | 4пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 500 мА | 500 мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1ДЛ РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-s1alrvg-datasheets-7819.pdf | ДО-219АБ | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | 1,8 мкс | Стандартный | 1А | 9пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РСФМЛ РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rsfjlr3g-datasheets-8615.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 нс | Стандартный | 4пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,3 В при 500 мА | 500 мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1JLW РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОД-123W | 10 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 600В | 1 мкА при 600 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В1ПМ15ХМ3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v1pm15hm3h-datasheets-1131.pdf | ДО-219АД | 10 недель | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 65пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 50 мкА при 150 В | 1,21 В при 1 А | 1А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1ФЛБ-М-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s1flbm08-datasheets-1080.pdf | ДО-219АБ | 2 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 2 | 150°С | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,8 мкс | Стандартный | 100В | 700 мА | 22А | 0,7 А | 4пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РСФГЛ РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rsfjlr3g-datasheets-8615.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | Суб-SMA | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 нс | Стандартный | 4пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 500 мА | 500 мА | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1GLW РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОД-123W | 10 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К |
