Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальная мощность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| С2БА-13-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-s2ma13f-datasheets-2602.pdf | 100 В | 1,5 А | ДО-214АС, СМА | 20пФ | 4,6 мм | 2,1 мм | 2,92 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 64,013223мг | 2 | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С2Б | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,5 А | 1,15 В | 50А | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 100 В | 50А | 1 нс | Стандартный | 100 В | 1,5 А | 1 | 100 В | 20пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 100 В | 1,15 В @ 1,5 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1К-Е3/5АТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rs1je35at-datasheets-8195.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 1А | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 800В | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | РС1К | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,3 В | 30А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 30А | 800В | 500 нс | 500 нс | Стандартный | 800В | 1А | 7пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 1 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭС1МЕ-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microcommercialco-es1metp-datasheets-8565.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000В | 100 нс | Стандартный | 1А | 45пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,7 В при 1 А | 1А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1КЛ Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs1klrvg-datasheets-8026.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | Суб-SMA | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 нс | Стандартный | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,3 В @ 800 мА | 800мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1ПМ-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s1pmm384a-datasheets-8359.pdf | ДО-220АА | 3,61 мм | 1,15 мм | 2,18 мм | Без свинца | 10 недель | 24,012046мг | Неизвестный | 2 | Нет | С1ПМ | Одинокий | ДО-220АА (СМП) | 1А | 1,1 В | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 30А | 1 мкА | 1кВ | 30А | 1,8 мкс | 1,8 мкс | Стандартный | 1кВ | 1А | 1кВ | 6пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭС1Г-ЛТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-es1gltp-datasheets-8356.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 14 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 2 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 35 нс | Стандартный | 30А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,25 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС13 Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss14r3g-datasheets-9162.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30В | 200 мкА при 30 В | 500 мВ при 1 А | 1А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPG06G-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mpg06ge354-datasheets-8621.pdf | MPG06, Осевой | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | MPG06 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,1 В | 40А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | 40А | 400В | 600 нс | 600 нс | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РСФИЛ R3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rsfjlr3g-datasheets-8615.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | Суб-SMA | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 250 нс | Стандартный | 4пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 500 мА | 500 мА | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LL43-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-ll42gs08-datasheets-8977.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | Без свинца | 11 недель | 2 | LL43 | Одинокий | СОД-80 МиниМЭЛФ | 200 мА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 30В | 4А | 5 нс | Шоттки | 30В | 200 мА | 7пФ @ 1В 1МГц | 30В | 500 нА при 25 В | 450 мВ при 15 мА | 200 мА | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УФ4007 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 10 недель | EAR99 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 150°С | 1 | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000В | 75нс | Стандартный | 1А | 17пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,7 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBAS16WT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bas16wt1g-datasheets-6495.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 900 мкм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БАС16 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,25 В | 500 мА | 50 мкА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 75В | 6 нс | 6 нс | Стандартный | 75В | 200 мА | 0,5 А | 0,5 А | 2пФ @ 0В 1МГц | 1 мкА при 75 В | 1,25 В @ 150 мА | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС16 Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss14r3g-datasheets-9162.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 200 мкА при 60 В | 750 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD103CW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-sd103aw13f-datasheets-2360.pdf | СОД-123 | 2,85 мм | 1,25 мм | 1,7 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | 10,007382мг | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | 400мВт | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | SD103C | 2 | Одинокий | 40 | 400мВт | 1 | Выпрямительные диоды | 200 мА | 600мВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1,5 А | 5 мкА | 20 В | 1,5 А | 10 нс | Шоттки | 20 В | 350 мА | 0,35 А | 28пФ @ 0В 1МГц | 5 мкА при 10 В | 600 мВ при 200 мА | 350 мА постоянного тока | -65°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCL101C-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mcl101ctr-datasheets-8262.pdf | 30 мА | 2-СМД, без свинца | 13 недель | 2 | Серебро, Олово | Нет | Одинокий | МикроМЭЛФ | 30 мА | 900 мВ | 2А | 200нА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200нА | 40В | 2А | Шоттки | 40В | 30 мА | 40В | 200 нА при 30 В | 900 мВ при 15 мА | 30 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС14LS РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss14lsrvg-datasheets-8533.pdf | СОД-123Н | 10 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 80пФ @ 4В 1МГц | 40В | 400 мкА при 40 В | 550 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSS1P5HM3_A/H | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mss1p6m389a-datasheets-7134.pdf | ДО-219АД | 2 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50В | 150 мкА | Шоттки | 25А | 1 | 1А | 40пФ @ 4В 1МГц | 50В | 150 мкА при 50 В | 680 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1FLM-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s1flmgs08-datasheets-8046.pdf | ДО-219АБ | 2 | 12 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 500 мА | 1,1 В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 22А | 1кВ | 22А | 1,8 мкс | Стандартный | 1кВ | 700 мА | 1,5 А | 4пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD103AW-HE3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sd103awe308-datasheets-7464.pdf | СОД-123 | 2 | 12 недель | 10,290877мг | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Одинокий | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | 350 мА | 600мВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 2А | 5 мкА | 40В | 2А | 10 нс | Шоттки | 40В | 350 мА | 0,35 А | 50пФ @ 0В 1МГц | 5 мкА при 30 В | 600 мВ при 200 мА | 350 мА постоянного тока | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S15DLWHRVG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОД-123W | 2 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | 1 мкА | Стандартный | 50А | 1 | 1,5 А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 200В | 1 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| B0540W РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/taiwansemiconductorcorporation-b0540wrhg-datasheets-8436.pdf | СОД-123 | 20 недель | СОД-123 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 170пФ при 0В 1МГц | 40В | 20 мкА при 40 В | 510 мВ при 500 мА | 500 мА | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1ПГ-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s1pmm384a-datasheets-8359.pdf | ДО-220АА | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 2 | Нет | С1ПГ | Одинокий | ДО-220АА (СМП) | 1А | 1,1 В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 30А | 1 мкА | 400В | 30А | 1,8 мкс | Стандартный | 400В | 1А | 6пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1Г Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-rs1gr3g-datasheets-8450.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 150 нс | Стандартный | 1А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1ПЖ-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-s1pmm384a-datasheets-8359.pdf | ДО-220АА | 3,61 мм | 1,15 мм | 2,18 мм | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 2 | Нет | S1PJ | Одинокий | ДО-220АА (СМП) | 1А | 1,1 В | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 30А | 1 мкА | 600В | 30А | 600В | 1,8 мкс | 1,8 мкс | Стандартный | 600В | 1А | 6пФ @ 4В 1МГц | 600В | 1 мкА при 600 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Б130-Е3/5АТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-b140e361t-datasheets-7496.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | Б130 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 520 мВ | 30А | 200 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200 мкА | 30В | 30А | Шоттки | 30В | 1А | 1А | 200 мкА при 30 В | 520 мВ при 1 А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLL4150 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4150trpbfree-datasheets-8473.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 70 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 4нс | Стандартный | 4пФ @ 0В 1МГц | 50В | 100 нА при 50 В | 1 В при 200 мА | 300 мА | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLL4448 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4448trpbfree-datasheets-8444.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 70 недель | ДА | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 4нс | Стандартный | 0,2 А | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 25 нА при 20 В | 1 В при 100 мА | 250 мА | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1MLHRVG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-s1alrvg-datasheets-7819.pdf | ДО-219АБ | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1000В | 1,8 мкс | Стандартный | 1А | 9пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1М Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-s1mr3g-datasheets-8328.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 12пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБЕ1ВАМ20АТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/rohmsemiconductor-rbe1vam20atr-datasheets-8124.pdf | 2-СМД, плоский вывод | 800 мкм | 2 | 12 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 125°С | Р-ПДСО-Ф2 | 1А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3А | 200 мкА | 30В | 20 В | Шоттки | 20 В | 1А | 1А | 200 мкА при 20 В | 530 мВ при 1 А | 125°С Макс. |
