| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | мощность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Напряжение проба | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4937RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n4935rlg-datasheets-2980.pdf | 600В | 1А | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 2,7 мм | 2,7 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N4937 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,2 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 600В | 30А | 600В | 300 нс | 300 нс | Стандартный | 600В | 1А | 5 мкА при 600 В | 1,2 В при 1 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4448WX-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-1n4448wxtp-datasheets-3016.pdf | СК-76, СОД-323 | 2 | 12 недель | да | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1N4448W | 2 | 150°С | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 0,2 Вт | 75В | 4нс | Стандартный | 4А | 0,25 А | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 2,5 мкА при 75 В | 1,25 В при 150 мА | 250 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАС316-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-bas316tp-datasheets-3020.pdf | СК-76, СОД-323 | 2 | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БАС316 | 2 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 0,4 Вт | 100 В | 4нс | Стандартный | 0,25 А | 1,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 100 В | 1 мкА при 75 В | 1,25 В при 150 мА | 250 мА постоянного тока | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБД914-Е3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mmbd914he318-datasheets-7021.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 15 недель | 8,788352мг | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБД914 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | 200 мА | 1В | 5 мкА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 100 В | 4 нс | 4 нс | Стандартный | 100 В | 200 мА | 0,2 А | 4пФ @ 0В 1МГц | 5 мкА при 75 В | 1 В при 10 мА | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74 215 баллов | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1ПС76СБ10,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-1ps76sb10135-datasheets-2554.pdf | СК-76, СОД-323 | Без свинца | 2 | 4 недели | 2 | Олово | Нет | 2А | е3 | 30В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1ПС76СБ10 | 2 | Одинокий | 1 | 200 мА | 800мВ | 300 мА | 2мкА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 2мкА | 30В | 600 мА | Шоттки | 30В | 200 мА | 10пФ @ 1В 1МГц | 2 мкА при 25 В | 800 мВ при 100 мА | 200 мА постоянного тока | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС355 РРГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1ss355rrg-datasheets-3068.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 20 недель | СОД-323Ф | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 4нс | Стандартный | 4пФ @ 500мВ 1МГц | 80В | 100 нА при 80 В | 1,2 В @ 100 мА | 150 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС367,Х3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-76, СОД-323 | 12 недель | 2 | Серебро, Олово | неизвестный | Одинокий | 200 мА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 15 В | 1А | Шоттки | 10 В | 100 мА | 40пФ при 0В 1МГц | 20 мкА при 10 В | 500 мВ при 100 мА | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5392-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5392e354-datasheets-2650.pdf | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1N5392 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,4 В | 50А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 100 В | 50А | 100 В | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 100 В | 1,5 А | 1 | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 100 В | 1,4 В @ 1,5 А | -50°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС404, Х3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-76, СОД-323 | 12 недель | да | Серебро, Олово | неизвестный | Одинокий | 300 мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 В | Шоттки | 20 В | 300 мА | 46пФ при 0 В 1 МГц | 50 мкА при 20 В | 450 мВ при 300 мА | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБ140ТА | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 8 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 110пФ @ 4В 1МГц | 40В | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 1 А | 1А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4448W-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microcommercialco-1n4448wtp-datasheets-3011.pdf | СОД-123 | 2 | 12 недель | да | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1N4448W | 2 | 150°С | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 100 В | 4нс | Стандартный | 2А | 0,25 А | 4пФ @ 4В 1МГц | 75В | 2,5 мкА при 75 В | 1 В при 100 мА | 250 мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4007-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4004e353-datasheets-9234.pdf&product=vishaysemiconductordiodesdivision-1n4007e354-5833193 | 1кВ | 1А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 15пФ | 5,2 мм | 2,7 мм | 2,7 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 1А | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1кВ | ПРОВОЛОКА | 1N4007 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 150°С | 1А | 1А | 1,1 В | 45А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 30 мкА | 1кВ | 45А | 1кВ | Стандартный | 1кВ | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4148WQ-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-1n4148w13f-datasheets-7524.pdf&product=diodesincorporated-1n4148wq7f-5833196 | СОД-123 | 2пФ | 1,45 мм | Без свинца | 2 | 19 недель | 10,007382мг | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.70 | е3 | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 150°С | 300 мА | 1,25 В | 2А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 1 мкА | 100 В | 2А | 100 В | 4 нс | 4 нс | Стандартный | 0,3 А | 2пФ @ 0В 1МГц | 1 мкА при 75 В | 1,25 В при 150 мА | 300 мА постоянного тока | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4935RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-1n4935rlg-datasheets-2980.pdf | 200В | 1А | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N4935 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,2 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 200В | 30А | 200В | 300 нс | 300 нс | Стандартный | 200В | 1А | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 1 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4001-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4004e353-datasheets-9234.pdf | 50В | 1А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 15пФ | 5,1816 мм | 2,7 мм | 2,7 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 1А | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 50В | ПРОВОЛОКА | 1N4001 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 50В | 45А | 50В | Стандартный | 50В | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 1 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСД103Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmsd103t1g-datasheets-2841.pdf | 250 В | 200 мА | СОД-123 | 2,84 мм | 1,25 мм | 1,8 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 9 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММСД103 | 2 | Одинокий | 40 | 400мВт | 1 | Выпрямительные диоды | 200 мА | 200 мА | 1,25 В | 625 мА | 1 мкА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 30 мА | 250 В | 625 мА | 50 нс | 50 нс | Стандартный | 250 В | 200 мА | 5 пФ @ 0 В 1 МГц | 1 мкА при 200 В | 1,25 В @ 200 мА | 200 мА постоянного тока | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАВ16W-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/diodesincorporated-1n4148w13f-datasheets-7524.pdf&product=diodesincorporated-bav16w7f-5833173 | 75В | 150 мА | СОД-123 | 2пФ | 2,85 мм | 1,45 мм | 1,7 мм | Без свинца | 2 | 17 недель | 10,007382мг | 2 | да | EAR99 | Олово | Нет | 15А | 8541.10.00.70 | 400мВт | е3 | 100 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БАВ16В | 2 | Одинокий | 40 | 400мВт | 1 | Выпрямительные диоды | 150°С | 150 мА | 300 мА | 1,25 В | 2А | БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 1А | 1 мкА | 100 В | 2А | 100 В | 4 нс | 4 нс | Стандартный | 100 В | 150 мА | 1 | 2пФ @ 0В 1МГц | 1 мкА при 75 В | 1,25 В при 150 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БАС116ТТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-bas116tt1g-datasheets-2803.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | Без галогенов | ДА | 360мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БАС116 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | 200 мА | 500 мА | 80нА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 5нА | 75В | 3 мкс | 3 мкс | Стандартный | 75В | 200 мА | 0,2 А | 2пФ @ 0В 1МГц | 5 нА при 75 В | 1,25 В при 150 мА | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4448WS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-1n914bws-datasheets-7602.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 18 недель | 27,6 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 часа назад) | Олово | Нет | 1N4448W | Одинокий | 200мВт | СОД-323Ф | 150 мА | 1В | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 4А | 5 мкА | 75В | 75В | 4 нс | 4 нс | Стандартный | 75В | 150 мА | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 5 мкА при 75 В | 1 В при 100 мА | 150 мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС387,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-79, СОД-523 | 12 недель | неизвестный | 1СС387 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 4 нс | Стандартный | 80В | 100 мА | 3пФ при 0 В 1 МГц | 80В | 500 нА при 80 В | 1,2 В @ 100 мА | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4005RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n4007rlg-datasheets-7952.pdf | 600В | 1А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 6,35 мм | 5,2 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N4005 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 600В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 10 мкА | 600В | 30А | 600В | Стандартный | 600В | 1А | 10 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4003RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-1n4007rlg-datasheets-7952.pdf | 200В | 1А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 31,75 мм | 5,2 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N4003 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 10 мкА | 200В | 30А | 200В | Стандартный | 200В | 1А | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАС70Л,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bas7004215-datasheets-6862.pdf | СОД-882 | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | НИЖНИЙ | 260 | БАС70Л | 2 | Одинокий | 40 | 1 | 70 мА | 1В | 100 мА | 10 мкА | КАТОД | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 70В | 100 мА | Шоттки | 70В | 70 мА | 0,07А | 2пФ @ 0В 1МГц | 10 мкА при 70 В | 1 В при 15 мА | 70 мА постоянного тока | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4002RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-1n4007rlg-datasheets-7952.pdf | 100 В | 1А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 5,2 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N4002 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 10 мкА | 100 В | 30А | 100 В | Стандартный | 100 В | 1А | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4006RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n4007rlg-datasheets-7952.pdf | 800В | 1А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,1816 мм | 5,2 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N4006 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,1 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 800В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 10 мкА | 800В | 30А | 800В | Стандартный | 800В | 1А | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ521CS30L,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-rb521cs30l315-datasheets-2683.pdf | СОД-882 | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 565мВт | НИЖНИЙ | 2 | Одинокий | 1 | 100 мА | 280 мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 3А | 2мкА | 30В | 3А | 10 В | Шоттки | 30В | 100 мА | 1 | 0,1 А | 8пФ @ 1В 1МГц | 10 мкА при 10 В | 350 мВ при 10 мА | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБД4448-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-mmbd44487f-datasheets-2775.pdf | 75В | 250 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4пФ | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.70 | 350 мВт | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБД4448 | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Выпрямительные диоды | 250 мА | 250 мА | 1,25 В | 4А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 4А | 2,5 мкА | 75В | 4А | 4 нс | 4 нс | Стандартный | 75В | 250 мА | 4пФ @ 0В 1МГц | 2,5 мкА при 75 В | 1,25 В при 150 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАВ103-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bav103gs08-datasheets-2718.pdf | 1,6 мм | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 1,5 пФ | 3,683 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | Серебро, Олово | Нет | 1А | 250 В | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | БАВ103 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 175°С | 250 мА | 1В | 1А | 100нА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 15 мкА | 250 В | 1А | 200В | 50 нс | 50 нс | Стандартный | 200В | 250 мА | 1,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 100 нА при 200 В | 1 В при 100 мА | 250 мА постоянного тока | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАТ43XV2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-bat43xv2-datasheets-2793.pdf | СК-79, СОД-523Ф | 7пФ | 1,3 мм | 700 мкм | 900 мкм | 2 | 18 недель | 10мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | БАТ43Х | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 125°С | 200 мА | 1В | 4А | 500нА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 4А | 500нА | 30В | 4А | 30В | 5 нс | 5 нс | Шоттки | 30В | 200 мА | 7пФ @ 1В 1МГц | 500 нА при 25 В | 1 В @ 200 мА | 125°С Макс. |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.