Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | мощность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В2ПМ10ХМ3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v2pm10hm3h-datasheets-7615.pdf | ДО-219АД | 2 | 10 недель | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 В | 50 мкА | Шоттки | 30А | 1 | 1,5 А | 150пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 50 мкА при 100 В | 830 мВ при 2 А | 2А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CCS15F40,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s56asll3f-datasheets-2826.pdf | 0603 (1608 Метрическая единица) | 12 недель | CST2C | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 1,5 А | 130пФ при 0В 1МГц | 40В | 25 мкА при 40 В | 640 мВ при 1,5 А | 1,5 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСС54У РГГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tss54urgg-datasheets-8449.pdf | 0201 (0603 Метрическая система) | 2 | 18 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 125°С | 1 | Р-PBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 0,15 Вт | 30 В | 5нс | Шоттки | 0,2 А | 10пФ @ 1В 1МГц | 30 В | 2 мкА при 30 В | 1 В при 100 мА | 200 мА | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК16-ЛТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-sk16ltp-datasheets-8452.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | СК16 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | Шоттки | 1А | 60В | 500 мкА при 60 В | 720 мВ при 1 А | 1А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD101CW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-sd101aw7f-datasheets-8094.pdf | 40В | 15 мА | СОД-123 | 2,1пФ | 2,85 мм | 1,25 мм | 1,7 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | 10,007382мг | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | 400мВт | е3 | Матовый олово (Sn) | Стандартный | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | SD101C | 2 | Одинокий | 40 | 400мВт | 1 | Выпрямительные диоды | 15 мА | 15 мА | 900 мВ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 2А | 200нА | 40В | 2А | 1 нс | Шоттки | 40В | 15 мА | 2,2 пФ при 0 В 1 МГц | 200 нА при 30 В | 900 мВ при 15 мА | 15 мА постоянного тока | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАТ54-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-bat54stp-datasheets-9753.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | БАТ54 | СОТ-23 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 5нс | Шоттки | 30 В | 2 мкА при 25 В | 1 В при 100 мА | 200 мА постоянного тока | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-rs1g-datasheets-9555.pdf | 200В | 1А | ДО-214АС, СМА | 10пФ | 4,75 мм | 2,2 мм | 2,95 мм | Без свинца | 10 недель | 106мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | Нет | Стандартный | РС1Д | Одинокий | 1,19 Вт | СМА (ДО-214АС) | 1А | 1А | 1,3 В | 30А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30А | 5мкА | 200В | 30А | 200В | 150 нс | 150 нс | Стандартный | 200В | 1А | 10пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1ПС79СБ40,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nexperiausainc-bas4004235-datasheets-9171.pdf&product=nexperiausainc-1ps79sb40115-5832298 | СК-79, СОД-523 | 1,25 мм | 650 мкм | 850 мкм | Без свинца | 2 | 4 недели | 2 | EAR99 | Олово | Нет | 12А | 8541.10.00.70 | е3 | 40В | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 1ПС79СБ40 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | 120 мА | 1В | 200 мА | 10 мкА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 200 мА | 10 мкА | 40В | 200 мА | Шоттки | 40В | 120 мА | 5 пФ @ 0 В 1 МГц | 10 мкА при 40 В | 1 В при 40 мА | 120 мА постоянного тока | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD101AW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-sd101aw7f-datasheets-8094.pdf | 60В | 15 мА | СОД-123 | 2пФ | 2,85 мм | 1,25 мм | 1,7 мм | Без свинца | 15 недель | 10,007382мг | Нет СВХК | 2 | Олово | Нет | 400мВт | Стандартный | 400мВт | SD101A | Одинокий | 400мВт | СОД-123 | 15 мА | 15 мА | 1В | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 2А | 200нА | 60В | 2А | 1 нс | Шоттки | 60В | 15 мА | 2пФ @ 0В 1МГц | 60В | 200 нА при 50 В | 1 В при 15 мА | 15 мА постоянного тока | -65°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1ДБ-13-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-s1m13f-datasheets-6717.pdf | 200В | 1А | ДО-214АА, СМБ | 10пФ | 4,57 мм | 2,42 мм | 3,94 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 92,986436мг | 2 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С1Д | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,1 В | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 30А | 3 мкс | 1,8 мкс | Стандартный | 200В | 1А | 200В | 10пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS1GFL | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-hs1kfl-datasheets-7267.pdf | СОД-123Ф | 6 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 11пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | 1 А постоянного тока | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBU0130 | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-cdbu0130-datasheets-8062.pdf | 2-СМД, без свинца | 8 недель | да | EAR99 | 8541.10.00.70 | ДА | CDBU0130 | 125°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 35В | Шоттки | 1А | 0,1 А | 9пФ @ 10В 1МГц | 30 В | 30 мкА при 30 В | 440 мВ при 100 мА | 100 мА | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| B140Q-13-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ДО-214АС, СМА | 2 | 19 недель | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Олово | не_совместимо | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 40В | 30А | Шоттки | 40В | 1А | 1А | 110пФ @ 4В 1МГц | 500 мкА при 40 В | 500 мВ при 1 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСС2П2-М3/89А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mss2p3m389a-datasheets-9433.pdf | ДО-219АД | 2,3 мм | 730 мкм | 1,4 мм | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | МСС2П2 | 2 | Одинокий | 1 | 2А | 600мВ | 30А | 250 мкА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 250 мкА | 20 В | 30А | Шоттки | 20 В | 2А | 1 | 2А | 65пФ @ 4В 1МГц | 250 мкА при 20 В | 600 мВ при 2 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1ПС79СБ40 699 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bas4004235-datasheets-9171.pdf | СК-79, СОД-523 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | 2 | 16 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1ПС79СБ40 | 2 | Одинокий | 1 | 120 мА | 1В | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 200 мА | 10 мкА | 40В | 200 мА | Шоттки | 40В | 120 мА | 5 пФ @ 0 В 1 МГц | 10 мкА при 40 В | 1 В при 40 мА | 120 мА постоянного тока | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LL101C-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ll101cgs08-datasheets-8172.pdf | 30А | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,7 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | Нет | 2А | 40В | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | LL101 | 2 | Одинокий | 400мВт | 1 | 30 мА | 900 мВ | 2А | 200нА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 2А | 200нА | 40В | 2А | 1 нс | 1 нс | Шоттки | 40В | 30 мА | 2,2 пФ при 0 В 1 МГц | 200 нА при 30 В | 390 мВ при 1 мА | 30 мА постоянного тока | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT43WS-HE3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bat43wse308-datasheets-7609.pdf | СК-76, СОД-323 | 2 | 12 недель | 4,309128 мг | да | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Одинокий | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г2 | 200 мА | 450 мВ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 4А | 100 мкА | 30 В | 5 нс | Шоттки | 30 В | 200 мА | 0,2 А | 7пФ @ 1В 1МГц | 500 нА при 25 В | 450 мВ при 15 мА | 200 мА постоянного тока | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG4002EJ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-pmeg4002ej115-datasheets-8175.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 2 | 4 недели | 2 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ПМЭГ4002 | 2 | 1 | 200 мА | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 1045 Вт | 5нс | Шоттки | 14пФ @ 1В 1МГц | 40В | 10 мкА при 40 В | 600 мВ при 200 мА | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1ДЖ-Е3/5АТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rs1je35at-datasheets-8195.pdf | ДО-214АС, СМА | 6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 1А | 8541.10.00.80 | е3 | 600В | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | RS1J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,3 В | 30А | 5мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 5мкА | 600В | 30А | 250 нс | 250 нс | Стандартный | 600В | 1А | 7пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 1 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LL103A-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ll103cgs08-datasheets-7584.pdf | 400А | 1,6 мм | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 50пФ | 3,7 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | Серебро, Олово | Нет | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | LL103 | 2 | Одинокий | 400мВт | 1 | 125°С | 200 мА | 600мВ | 15А | 5мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 15А | 5мкА | 40В | 15А | 40В | 10 нс | 10 нс | Шоттки | 40В | 200 мА | 50пФ @ 0В 1МГц | 5 мкА при 30 В | 600 мВ при 200 мА | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАТ5403WE6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bat5404e6327htsa1-datasheets-9465.pdf | СК-76, СОД-323 | Без свинца | 2 | 5 недель | 2 | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | АЭК-Q101 | Не содержит галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БАТ54-03W | 150°С | Одинокий | 1 | 200 мА | 800мВ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 600 мА | 5 нс | Шоттки | 30 В | 200 мА | 10пФ @ 1В 1МГц | 2 мкА при 25 В | 800 мВ при 100 мА | 200 мА постоянного тока | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBU0130L-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-cdbu0130l-datasheets-9665.pdf | 2-СМД, без свинца | 1 | 8 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | ДВОЙНОЙ | CDBU0130 | 125°С | 1 | Р-ПДСО-Н2 | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 10 В | Шоттки | 30 В | 100 мА | 1А | 1 | 0,1 А | 30 В | 10 мкА при 10 В | 350 мВ при 10 мА | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD103AWS-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sd103awse308-datasheets-8251.pdf | СК-76, СОД-323 | 1,95 мм | 1,05 мм | 1,5 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 4,309128 мг | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | SD103A | 2 | Одинокий | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | 350 мА | 600мВ | 2А | 5мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 2А | 5мкА | 40В | 2А | 10 нс | 10 нс | Шоттки | 40В | 350 мА | 0,35 А | 50пФ @ 0В 1МГц | 5 мкА при 30 В | 600 мВ при 200 мА | 350 мА постоянного тока | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS1MFL | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-hs1kfl-datasheets-7267.pdf | СОД-123Ф | 6 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 75нс | Стандартный | 6пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,7 В при 1 А | 1 А постоянного тока | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBW0540-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/comchiptechnology-cdbw0540g-datasheets-8253.pdf | СОД-123 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Олово (Вс) | CDBW0540 | 125°С | 1 | Выпрямительные диоды | 500 мА | 620 мВ | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 5,5 А | 20 мкА | 40В | Шоттки | 40В | 500 мА | 0,5 А | 20 мкА при 40 В | 510 мВ при 500 мА | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТС245СФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nts245sft1g-datasheets-8038.pdf | СОД-123Ф | 2,9 мм | 880 мкм | 1,8 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 2А | 630мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 90 мкА | 45В | Шоттки | 45В | 2А | 1 | 2А | 45В | 120 мкА при 45 В | 630 мВ при 2 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЭГ2010ЕХ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-pmeg2010eh115-datasheets-7896.pdf | СОД-123Ф | Без свинца | 2 | 4 недели | 2 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | 375 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ПМЭГ2010 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 1А | 500 мВ | 9А | 200 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200 мкА | 20 В | 9А | Шоттки | 20 В | 1А | 1А | 80пФ @ 1В 1МГц | 200 мкА при 20 В | 500 мВ при 1 А | 1 А постоянного тока | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT54W-E3-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bat54we308-datasheets-7906.pdf | СОД-123 | 2,85 мм | 1,25 мм | 1,7 мм | 2 | 12 недель | 10,290877мг | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БАТ54В | 2 | Одинокий | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | 200 мА | 800мВ | 600 мА | 2мкА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 600 мА | 2мкА | 30 В | 600 мА | 5 нс | 5 нс | Шоттки | 30 В | 200 мА | 10пФ @ 1В 1МГц | 2 мкА при 25 В | 800 мВ при 100 мА | 200 мА постоянного тока | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСС83Л45 МВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОД-128 | 2 | 20 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | 500 мкА | Шоттки | 30А | 1 | 3А | 220пФ @ 4В 1МГц | 45В | 500 мкА при 45 В | 560 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В1П6ХМ3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v1p6hm3h-datasheets-7917.pdf | МикроСМП | 2 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | Шоттки | 1А | 130пФ @ 4В 1МГц | 60В | 150 мкА при 60 В | 600 мВ при 1 А | 1А | -40°К~150°К |
