| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Напряжение проба | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STPSC10H065GY-TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stpsc10h065gytr-datasheets-5658.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 14 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | СТПСК10 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 100 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 650В | 10А | 80А | 1 | 480пФ при 0В 1МГц | 650В | 100 мкА при 650 В | 1,75 В при 10 А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н649-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n6491-datasheets-5760.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 14 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | 8541.10.00.70 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 600В | Стандартный | 0,4 А | 600В | 50 нА при 600 В | 1 В при 400 мА | 400 мА | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСЭИ12-12А | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-dsei1212a-datasheets-2174.pdf&product=ixys-dsei1212a-5831717 | 1,2 кВ | 11А | ТО-220-2 | 10,66 мм | 9,15 мм | 4,82 мм | Без свинца | 2 | 28 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | 3 | Одинокий | 78 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 11А | 11А | 2,6 В | 25А | 80А | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 75А | 250 мкА | 1,2 кВ | 80А | 1,2 кВ | 70 нс | 70 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 11А | 1 | 1200В | 250 мкА при 1200 В | 2,6 В при 12 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSHD8-200 TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cshd8200tr13pbfree-datasheets-5506.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 35 недель | ДА | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200В | Шоттки | 85А | 8А | 200В | 50 мкА при 200 В | 900 мВ при 8 А | 8А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДС3200-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-pds320013-datasheets-5526.pdf | 200В | 3А | PowerDI™ 5 | 4,05 мм | 1,15 мм | 5,45 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 95,991485мг | Нет СВХК | 2 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | Стандартный | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ПДС3200 | 3 | Общий анод | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 150°С | Р-ПДСО-Ф3 | 3А | 3А | 880мВ | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 180А | 1 мкА | 200В | 180А | 200В | Шоттки | 200В | 3А | 1 | 10 мкА при 200 В | 780 мВ при 3 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР8100ЕГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-mur8100eg-datasheets-5638.pdf | 1кВ | 8А | ТО-220-2 | 10,29 мм | 9,27 мм | 4,82 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | НЕТ | 260 | МУР8100 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 8А | 8А | 1,8 В | 100А | КАТОД | СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЧНОСТИ | 1кВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 25 мкА | 1кВ | 100А | 1кВ | 100 нс | 100 нс | Стандартный | 1кВ | 8А | 1 | 1000В | 25 мкА при 1000 В | 1,8 В при 8 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР10100Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mbr10100g-datasheets-5663.pdf | 100 В | 10А | ТО-220-2 | 10 287 мм | 15 748 мм | 4826 мм | Без свинца | 11 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | Олово | Нет | Стандартный | МБР10100 | Одинокий | ТО-220-2 | 10А | 10А | 800мВ | 150А | 100 мкА | 100 В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150А | 100 мкА | 100 В | 150А | Шоттки | 100 В | 10А | 100 В | 100 мкА при 100 В | 800 мВ при 10 А | 10А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4148УР-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/avxcorporation-cwr09fb105mb-datasheets-1730.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 4пФ | 1,7 мм | Без свинца | 6 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | Одинокий | 175°С | ДО-213АА | 100 мА | 1,2 В | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 2А | 500нА | 75В | 2А | 75В | 5 нс | Стандартный | 75В | 200 мА | 75В | 500 нА при 75 В | 1,2 В @ 100 мА | 200 мА | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПР20Е3/ТР7 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-upr20e3tr7-datasheets-5615.pdf | ДО-216АА | Без свинца | 18 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | Нет | УПО20 | Одинокий | Пауэрмит | 2А | 1,25 В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 10 мкА | 200В | 20А | 50 нс | Стандартный | 200В | 2А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,25 В при 1 А | 2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-8EWF02S-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | $3,23 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs8ewf02sm3-datasheets-5703.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8EWF02 | 3 | Общий анод | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 1,2 В | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | ТО-252АА | 55 нс | Стандартный | 200В | 8А | 120А | 1 | 8А | 100 мкА при 200 В | 1,2 В при 8 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДМ10G120C5XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-idm10g120c5xtma1-datasheets-5717.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 16 недель | да | EAR99 | PD-CASE | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 38А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 223 Вт | 62 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 38А | 1 | 29пФ при 800В 1МГц | 1200В | 62 мкА при 12 В | 1,8 В @ 10 А | 38А постоянного тока | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСИ30-16АС-ТУБ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ixys-dsi3016astub-datasheets-5724.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, PD-CASE | МЭК-60747 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ДСИ30-16 | 175°С | 1 | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 160 Вт | 40 мкА | Стандартный | 1,6 кВ | 30А | 275А | 1 | 10пФ при 400В 1МГц | 1600В | 40 мкА при 1600 В | 1,29 В при 30 А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБР12У45ЛХ1-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СБР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-sbr12u45lh113-datasheets-5540.pdf | PowerDI™ 5SP | 5,9 мм | 750 мкм | 5,9 мм | 2 | 16 недель | 95,991485мг | 2 | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 12А | 420 мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 300А | 90 мкА | 45В | 300А | Супер Барьер | 45В | 12А | 1 | 300 мкА при 45 В | 500 мВ при 12 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМШ1-40М ТР13 ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmsh140mtr13pbfree-datasheets-5522.pdf | ДО-214АС, СМА | 28 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40В | Шоттки | 30А | 1А | 100пФ @ 4В 1МГц | 40В | 500 мкА при 40 В | 500 мВ при 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB1245 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-sb1245-datasheets-5583.pdf | 5,6 мм | ДО-201АД, Осевой | 9,5 мм | Без свинца | 2 | 13 недель | 360мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ПРОВОЛОКА | SB1245 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 12А | 550 мВ | 150А | 100 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 100нА | 45В | 150А | Шоттки | 45В | 12А | 1 | 100 мкА при 45 В | 550 мВ при 12 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИБП840Е3/ТР13 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-ups840e3tr13-datasheets-5573.pdf&product=microsemicorporation-ups840e3tr13-5831677 | 40В | 8А | Powermite®3 | 4,43 мм | 1,14 мм | 4,09 мм | Без свинца | 2 | 19 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | Стандартный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ИБП840 | 3 | Общий анод | 1 | Р-ПССО-Г2 | 8А | 8А | 450 мВ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 5мА | 40В | 150А | Шоттки | 40В | 8А | 1 | 40В | 5 при мА 40 В | 450 мВ при 8 А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС30СМ60СГ-ТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps30sm60sgtr-datasheets-5531.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТПС30 | Общий анод | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 30А | 615мВ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600А | 135 мкА | 60В | 600А | Шоттки | 60В | 30А | 1 | 135 мкА при 60 В | 615 мВ при 30 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СММШ1-100Г ТР ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmmsh1100gtrpbfree-datasheets-5425.pdf | СОД-123Ф | 28 недель | ДА | 125°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | Шоттки | 30А | 1А | 100 В | 500 мкА при 100 В | 850 мВ при 1 А | 1А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VB30100S-E3/8W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vb30100se38w-datasheets-5617.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4394 мм | 4,83 мм | 4826 мм | Без свинца | 14 недель | Неизвестный | 2 | Нет | VB30100S-E3/8W | ВБ30100С | Одинокий | 150°С | ТО-263АБ | 30А | 910 мВ | 250А | 350 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 250А | 1А | 100 В | 250А | Шоттки | 100 В | 30А | 100 В | 1 при мА 100 В | 910 мВ при 30 А | 30А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР10200UPS-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microcommercialco-mbr10200upstp-datasheets-5238.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 100 мкА | ТО-277Б | Шоттки | 180А | 1 | 10А | 200В | 100 мкА при 200 В | 880 мВ при 10 А | 10А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДС5100-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-pds510013-datasheets-5420.pdf | 100 В | 5А | PowerDI™ 5 | 4,05 мм | 1,15 мм | 5,45 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 95,991485мг | Нет СВХК | 2 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Стандартный | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ПДС5100 | 3 | Общий анод | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 150°С | Р-ПДСО-Ф3 | 5А | 5А | 890мВ | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 120А | 15 мкА | 100 В | 120А | 100 В | Шоттки | 100 В | 5А | 1 | 200 мкА при 100 В | 790 мВ при 5 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 12TQ200 | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-220-2 | 17 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 300пФ @ 5В 1МГц | 200В | 550 мкА при 200 В | 920 мВ при 15 А | 15А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРС410LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbrs410lt3g-datasheets-5398.pdf | 10 В | 4А | ДО-214АБ, СМК | 7,11 мм | 2,26 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Стандартный | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | МБРС410 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 4А | 4А | 330 мВ | 150А | 5мА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 5мА | 10 В | 150А | Шоттки | 10 В | 4А | 1 | 5 при мА 10 В | 330 мВ при 4 А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БИВ28-200-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-byv28200tr-datasheets-5476.pdf | 3,5 А | СОД-64, Осевой | Без свинца | 2 | 17 недель | 2 | да | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | Серебро, Олово | неизвестный | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3,5 А | 1,1 В | 90А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 200В | 90А | 200В | 30 нс | 30 нс | лавина | 200В | 3,5 А | 1 | 1 мкА при 200 В | 1,1 В при 5 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-15AWL06ФНТР-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs15awl06fntrm3-datasheets-5316.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 14 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Двойной | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 15А | 180А | КАТОД | ГИПЕР-УЛЬТРА-БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 600В | 180А | 600В | ТО-252АА | 120 нс | 60 нс | Стандартный | 600В | 15А | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,05 В @ 15 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SF5408-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-sf5408tr-datasheets-5371.pdf | 3А | СОД-64, Осевой | 2 | 17 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn96.5Ag3.5) | ПРОВОЛОКА | 260 | SF5408 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 1,7 В | 150А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 5мкА | 1кВ | 150А | 1кВ | 75 нс | 75 нс | лавина | 1кВ | 3А | 1 | 3А | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,7 В при 3 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК153-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-sk153tp-datasheets-5312.pdf | ДО-214АБ, СМК | 2 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СК153 | 2 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30 В | Шоттки | 275А | 1 | 15А | 500пФ @ 4В 1МГц | 30 В | 1 при мА 30 В | 550 мВ при 15 А | 15А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-30БК100-М3/9АТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs30bq100m39at-datasheets-5102.pdf | ДО-214АБ, СМК | 115пФ | 7,11 мм | 2,62 мм | 6,22 мм | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | 175°С | 3А | 900 мВ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 800А | 500 мкА | 100 В | 800А | 100 В | Шоттки | 100 В | 3А | 1 | 4А | 115пФ @ 5В 1МГц | 500 мкА при 100 В | 790 мВ при 3 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДС5100H-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/diodesincorporated-pds5100hq13-datasheets-5030.pdf | 100 В | 5А | PowerDI™ 5 | 4,05 мм | 1,15 мм | 5,45 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 95,991485мг | Нет СВХК | 2 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Стандартный | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ПДС5100 | 3 | Общий анод | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Ф3 | 5А | 5А | 800мВ | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250А | 3,5 мкА | 100 В | 250А | Шоттки | 100 В | 5А | 1 | 3,5 мкА при 100 В | 710 мВ при 5 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 10А05-Т | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-10a05t-datasheets-4980.pdf | 600В | 10А | 9,1 мм | R6, Осевой | 80пФ | 9,1 мм | 9,1 мм | 9,1 мм | 2 | 12 недель | 2,099991г | 2 | нет | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 260 | 10А05 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 10А | 10А | 1В | 600А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 600В | 600А | Стандартный | 600В | 10А | 1 | 600В | 80пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 600 В | 1 В при 10 А | -65°К~150°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.