Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CD214A-B190LF | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/bournsinc-cd214ab1100lf-datasheets-7482.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | CD214A | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 90В | Шоттки | 1А | 30пФ @ 4В 1МГц | 90В | 500 мкА при 90 В | 790 мВ при 1 А | 1А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПП60Г-01ХЭ3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | P600, Осевой | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 5,5 мкс | Стандартный | 110пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 6А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛШ1-50М832ДС БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh150m832dsbk-datasheets-2436.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | EAR99 | совместимый | ДА | 150°С | Другие диоды | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1,65 Вт | 50В | 50000мкА | 50В | Шоттки | 50пФ @ 4В 1МГц | 50В | 500 мкА при 50 В | 550 мВ при 1 А | 1А постоянного тока | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОБ2003/001В | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HER152-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-her157tp-datasheets-2050.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 50 нс | Стандартный | 50А | 1 | 1,5 А | 50пФ @ 4В 1МГц | 100В | 1 В @ 40 В | 1,5 А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПА806-БП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-gpa804bp-datasheets-2468.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 800В | ТО-220АС | Стандартный | 150А | 1 | 8А | 50пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | 8А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАС116Л2-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-bas116l2tp-datasheets-2359.pdf | 0402 (1006 Метрическая единица) | 2 | совместимый | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 150°С | 10 | 1 | Р-PBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 0,3 Вт | 85В | 3 мкс | Стандартный | 0,215А | 2пФ @ 0В 1МГц | 85В | 5 нА при 75 В | 1,25 В при 150 мА | 215 мА постоянного тока | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТВР06К-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-tvr06j5700e373-datasheets-2475.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-204АЛ (ДО-41) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,4 В при 600 мА | 600 мА | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФР504-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-fr502tp-datasheets-2008.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 150 нс | Стандартный | 200А | 1 | 5А | 65пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1,35 В @ 40 В | 5А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП10ГЭ-124Е3/91 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В10ВМ100-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-v10wm100m3i-datasheets-2409.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 18 недель | 379,997008мг | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 10 | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10А | 650 мВ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 180А | 700 мкА | 100В | 180А | ТО-252АА | Шоттки | 100В | 10А | 1 | 700 мкА при 100 В | 750 мВ при 10 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПА806ДТ-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-gpa802dttp-datasheets-2364.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | 8А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5-040 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CR5-010 | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5060tr-datasheets-2344.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | Стандартный | 200А | 1 | 5А | 50пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,2 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПА807ДТ-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-gpa802dttp-datasheets-2364.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 8 А | 8А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГПП60ГЛ-6000ХЭ3/2М | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП10ГЭ-110Е3/93 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLSH1-40M832DS ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh140m832dstr-datasheets-2459.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50пФ @ 4В 1МГц | 40В | 200 мкА при 40 В | 550 мВ при 1 А | 1А постоянного тока | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLSH1-40M832DS БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlsh140m832dstr-datasheets-2459.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50пФ @ 4В 1МГц | 40В | 200 мкА при 40 В | 550 мВ при 1 А | 1А постоянного тока | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5-080 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CR5-010 | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5060tr-datasheets-2344.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 800В | Стандартный | 200А | 1 | 5А | 25пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,2 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC8-1200PQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Соответствует RoHS | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 55нс | Стандартный | 1200В | 100 мкА при 1200 В | 3,2 В при 8 А | 8А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УХ1Б-М3/61Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-uh1dm35at-datasheets-9790.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 175°С | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 30 нс | Стандартный | 1А | 17пФ @ 4В 1МГц | 100В | 1 мкА при 100 В | 1,05 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМВ-Г2ГС | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | КРЕМНИЙ | ТО-220АС | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 50А | 1 | 6А | 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБРТ10М50СП5-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-sbrt10m50sp513-datasheets-2394.pdf | PowerDI™ 5 | Без свинца | 16 недель | 95,991485мг | 5 | Одинокий | PowerDI™ 5 | 420 мВ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 300А | 50 мА | 50В | Супер Барьер | 50В | 10А | 50В | 150 мкА при 50 В | 470 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФ25-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-sf21tp-datasheets-2193.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300В | 35 нс | Стандартный | 50А | 1 | 2А | 30пФ @ 4В 1МГц | 300В | 1,3 В @ 40 В | 2А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5-120 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CR5-010 | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5060tr-datasheets-2344.pdf | ДО-201АД, Осевой | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 25пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 1200 В | 1,2 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5-060 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CR5-010 | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5060tr-datasheets-2344.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 600В | Стандартный | 200А | 1 | 5А | 25пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,2 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5-020 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CR5-010 | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5060tr-datasheets-2344.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | Стандартный | 200А | 1 | 5А | 50пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4007ГПЭ-Э3/91 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4007gpe354-datasheets-2720.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | Олово | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 5 мкА | 1кВ | 30А | 1кВ | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 1кВ | 1А | 8пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5-100 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CR5-010 | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5060tr-datasheets-2344.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1000В | Стандартный | 200А | 1 | 5А | 25пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 1000 В | 1,2 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УХ1Б-М3/5АТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-uh1dm35at-datasheets-9790.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 175°С | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 30 нс | Стандартный | 1А | 17пФ @ 4В 1МГц | 100В | 1 мкА при 100 В | 1,05 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К |
