Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Thyristors Modules - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES СОУДНО ПРИОН Колист Верна - Колист PBFREE CODE КОД ECCN DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Спр БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Поседл Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ТИП ССЕЕМы RMS Current (IRMS) Коунфигура Слюна Ток DerжaTTHTOK МАКСИМАЛНА NeShaviymый pk -curte cur Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) Поосейлельф Стрктура Колиство, диди Потейгалхтевов
T1800N42TOFPRXPSA1 T1800N42TOFPRXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t1800n42tofprxpsa1-datasheets-4105.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 40 Ear99 IEC-60747-6 БЕЗОПАСНЫЙ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 4,2 кв Скрип 4200 В. 2820a 2,5 В. 41000 @ 50 gц 300 май 2490a Одинокий 1 Scr
T3801N36TOFVTXPSA1 T3801N36TOFVTXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t3801n36tofvtxpsa1-datasheets-4070.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 40 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 3,6 кв Скрип 3600 6020a 2,5 В. 91000 @ 50 gц 350 май 5370a Одинокий 1 Scr
PD431607 PD431607 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pd430807-datasheets-3915.pdf Модуль 7 16 7 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 7 Nukahan 2 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 1,55ka Степень, а, в Иолирована 100 май 300 май 69000 а 1600v Скрип 1,6 кв 1600v 1550. 4,5 В. 69000a 63000a 200 май 700A 2g-k-ak Серпен 2 Scrs AK-AK
GA060TH65-227SP GA060TH65-227SP Genesnыйpoluprovovodonyk
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -55 ° C ~ 150 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/GeneSiceMemyOnductor-ga060th65227sp-datasheets-4073.pdf Модул 18 104a 6,5 кв 100 май 60A Одинокий 1 Scr
GA080TH65-227SP GA080TH65-227SP Genesnыйpoluprovovodonyk
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -55 ° C ~ 150 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/genesickemynultor-ga080th65227sp-datasheets-4111.pdf Модул 18 139. 6,5 кв 100 май 80A Одинокий 1 Scr
PA431607 PA431607 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pa430807-datasheets-3907.pdf Модуль 6 16 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 6 Nukahan 2 Н.Квалиирована 1,55ka Антипара Иолирована 300 май Скрип 1,6 кв 1550. 4,5 В. 63000a 69000a 200 май 700A Серпен 2 Scrs
PD421607 PD421607 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pd420607-datasheets-3869.pdf Модуль 5 16 7 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 5 Nukahan 1 Н.Квалиирована R-Xufm-X5 1,1 К. А. Сингл Соузроннммиди Иолирована 300 май 1600v Скрип 1,6 кв 1600v 1100A 4,5 В. 63000a 69000a 200 май 700A Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
T501N65TOHXPSA1 T501N65TOHXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2018 DO-200AC, K-PUK 40 7 К. 1000A 2,5 В. 13500a @ 50 gц 350 май 890a Одинокий 1 Scr
T1800N42TOFXPSA1 T1800N42TOFXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2018 DO-200AE 4 40 Ear99 IEC-60747-6 В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА 1 O-CXDB-X4 4200 В. Скрип 4,2 кв 4200 В. 2820a 2,5 В. 41000 @ 50 gц 300 май 2490a Одинокий 1 Scr
PD421807 PD421807 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pd420607-datasheets-3869.pdf Модуль 5 16 7 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 5 Nukahan 1 Н.Квалиирована R-Xufm-X5 1,1 К. А. Сингл Соузроннммиди Иолирована 300 май 1800v Скрип 1,8 кв 1800v 1100A 4,5 В. 63000a 69000a 200 май 700A Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
T1451N52TOHXPSA1 T1451N52TOHXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t1451n52tohxpsa1-datasheets-4038.pdf DO-200AE 4 40 Ear99 В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 5200 В. Скрип 5,2 кв 5200 В. 2610a 2,5 В. 44000a @ 50 gц 350 май 2320a Одинокий 1 Scr
T1401N42TOHXPSA1 T1401N42TOHXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t1401n42tohxpsa1-datasheets-4041.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 40 4 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 350 май 4,2 кв Скрип 4,4 кв 25000A 2,5 В. 40000a @ 50 gц 22900 Одинокий 1 Scr
T1851N70TOHXPSA1 T1851N70TOHXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 DO-200AE 4 40 Ear99 В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 7000 Скрип 7000 7000 2880a 2,5 В. 50000a @ 50 gц 350 май 1830. Одинокий 1 Scr
PD432206 PD432206 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pd432006-datasheets-4014.pdf Модуль 7 16 7 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 7 Nukahan 2 Н.Квалиирована 942а Степень, а, в Иолирована 300 май 2200 Скрип 2,2 К. 2200 942а 4,5 В. 46400A 50890A 200 май 600A Серпен 2 Scrs
T1601N35TOFXPSA1 T1601N35TOFXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineon-t1601n35tofxpsa1-datasheets-1913.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 40 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 3,5 кв Скрип 3600 3500 В. 29900. 2,5 В. 44000a @ 50 gц 350 май 1900:00 Одинокий 1 Scr
T1551N52TOHXPSA1 T1551N52TOHXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t1551n52tohxpsa1-datasheets-4053.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 40 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 5,2 кв Скрип 5200 В. 2780a 2,5 В. 44000a @ 50 gц 350 май 2470a Одинокий 1 Scr
T2001N36TOFVTXPSA1 T2001N36TOFVTXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2018 DO-200AE 40 3,6 кв 3200A 2,5 В. 44000a @ 50 gц 350 май 2890a Одинокий 1 Scr
T1081N65TOHXPSA1 T1081N65TOHXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t1081n65tohxpsa1-datasheets-4056.pdf 1,8ka DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 40 4 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 От 350 май 6,5 кв Скрип 7 К. 6500 В. 2040a 2,5 В. 35000a @ 50 gц 1800:00 Одинокий 1 Scr
T2160N26TOFVTXPSA1 T2160N26TOFVTXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t2160n20tofvtxpsa1-datasheets-3831.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 3 12 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-XXDB-X3 2,6 кв Скрип 2,8 кв 2600 4600. 44000a @ 50 gц 300 май 2400A Одинокий 1 Scr
T2851N52TOHXPSA1 T2851N52TOHXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t2851n52tohxpsa1-datasheets-4060.pdf DO-200AE 4 40 Ear99 В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 5200 В. Скрип 5,2 кв 5200 В. 4860a 2,5 В. 82000a @ 50 gц 350 май 4120a Одинокий 1 Scr
PD432006 PD432006 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pd432006-datasheets-4014.pdf Модуль 7 16 7 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 7 Nukahan 2 Н.Квалиирована 942а Степень, а, в Иолирована 300 май 2000В Скрип 2 К. 2000В 942а 4,5 В. 46400A 50890A 200 май 600A Серпен 2 Scrs
T1601N36TOFXPSA1 T1601N36TOFXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineon-t1601n36tofxpsa1-datasheets-1919.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 40 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ В дар Кони НЕВЕКАНА 1 O-CEDB-X4 3,6 кв Скрип 3600 2990a 2,5 В. 44000a @ 50 gц 350 май 2700A Одинокий 1 Scr
T731N44TOHXPSA1 T731N44TOHXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 1,26 к.а. DO-200AC, K-PUK СОУДНО ПРИОН 4 40 4 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 От 350 май 4,4 кв Скрип 4,4 кв 2010a 2,5 В. 18000a @ 50 gц 1280a Одинокий 1 Scr
PA431407 PA431407 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pa430807-datasheets-3907.pdf Модуль 6 16 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 6 Nukahan 2 Н.Квалиирована 1,55ka Антипара Иолирована 300 май 1400 Скрип 1,4 кв 1400 1550. 4,5 В. 63000a 69000a 200 май 700A Серпен 2 Scrs
PA432206 PA432206 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pa432406-datasheets-3985.pdf Модуль 6 16 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 6 Nukahan 2 Н.Квалиирована 1,33ka Антипара Иолирована 300 май 2200 Скрип 2,2 К. 2200 1330. 4,5 В. 46400A 50890A 200 май 600A Серпен 2 Scrs
T1060N65TOFXPSA1 T1060N65TOFXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t1060n65tofxpsa1-datasheets-4027.pdf DO-200AD СОУДНО ПРИОН 4 40 Ear99 IEC-60747-6 БЕЗОПАСНЫЙ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 6,5 кв Скрип 6500 В. 1650a 2,5 В. 22500a @ 50 gц 350 май 1487. Одинокий 1 Scr
PD471807 PD471807 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pd470607-datasheets-3879.pdf Модуль 5 16 7 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 5 Nukahan 1 Н.Квалиирована R-Xufm-X5 1,1 К. А. Сингл Соузроннммиди Иолирована 300 май 1800v Скрип 1,8 кв 1800v 1100A 4,5 В. 63000a 69000a 200 май 700A Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
PA432406 PA432406 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/powerexinc-pa432406-datasheets-3985.pdf Модуль 6 16 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 6 Nukahan 2 Н.Квалиирована 1,33ka Антипара Иолирована 300 май 2400 Скрип 2,4 кв 2400 1330. 4,5 В. 46400A 50890A 200 май 600A Серпен 2 Scrs
T1930N38TOFVTXPSA1 T1930N38TOFVTXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t1930n38tofvtxpsa1-datasheets-3988.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 12 Ear99 IEC-60747-6 БЕЗОПАСНЫЙ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-XXDB-X4 3,8 кв Скрип 3800 В. 4200. 40000a @ 50 gц 300 май 2180a Одинокий 1 Scr
T1930N32TOFVTXPSA1 T1930N32TOFVTXPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/infineontechnologies-t1930n38tofvtxpsa1-datasheets-3988.pdf DO-200AE СОУДНО ПРИОН 4 12 Ear99 БЕЗОПАСНЫЙ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 O-CXDB-X4 3,2 кв Скрип 3,8 кв 3200 В. 4200. 40000a @ 50 gц 300 май 2180a Одинокий 1 Scr

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.