Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Thyristors Modules - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Спр БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Вес ТИП ССЕЕМы RMS Current (IRMS) Ток-ток Коунфигура Слюна Ток DerжaTTHTOK MMAKCIMALNый -PerreAdreSnыйtok (IFSM) МАКСИМАЛНА Ох NeShaviymый pk -curte cur Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На DC GATE TUCCE-MAX Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) Критистеска Айроф Сэма снета-с. Поосейлельф Стрктура Колиство, диди Потейгалхтевов
VS-VSKLF200-12HJP VS-VSKLF200-12HJP Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2011 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvsklf20012hjp-datasheets-3351.pdf 200a Magn-a-pak (2) 28 nedely 5 Не Дидж 444a 600 май 1,2 кв 1,2 кв 444a 600 май 7600 A 8000A 200 май 200a Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
VS-VSKT230-16PBF VS-VSKT230-16PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv23008pbf-datasheets-2744.pdf 230. Magn-A-Pak 12 499.858792G 7 Ear99 Не Скрип 510A 500 май 1,6 кв Скрип 510A 500 май 7500A 7850A 200 май Серпен 2 Scrs
VS-VSKT320-08PBF VS-VSKT320-08PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА Magn-A-Pak 800 710A 500 май 9000a 9420a 200 май 320A Серпен 2 Scrs
TZ240N34KOFHPSA1 TZ240N34KOFHPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА Neprigodnnый ROHS COMPRINT 2004 /files/infineontechnologies-tz240n36kofhpsa1-datasheets-3353.pdf Модул 4 16 Ear99 Уль Прринанана Сообщите 8541.30.00.80 IEC-747-6 Не НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 R-XXFM-X4 Иолирована 3400 В. Скрип 3,4 кв 3400 В. 700A 300 май 1,5 В. 6100a @ 50 gц 250 май 240a Одинокий 1 Scr
MCNA650PD2200CB MCNA650PD2200CB Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 140 ° C TJ Коробка Комплеркс 24 nede Ear99 Nukahan Nukahan Скрип 2,2 К. 1200A 16000a 17300a 300 май 650A Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
TZ240N36KOFHPSA1 TZ240N36KOFHPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА Neprigodnnый ROHS COMPRINT 2004 /files/infineontechnologies-tz240n36kofhpsa1-datasheets-3353.pdf Модул СОУДНО ПРИОН 4 16 240 Ear99 8541.30.00.80 Верна НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 1 R-XXFM-X4 700A Иолирована 300 май 5,5 к.а. 3,6 кв 3,6 кв Скрип 3600 700A 1,5 В. 6100a @ 50 gц 250 май 240a Одинокий 1 Scr
VS-VSKT250-12PBF VS-VSKT250-12PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2013 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv25008pbf-datasheets-2638.pdf 250a Magn-A-Pak 12 499.858792G 7 в дар Ear99 Nukahan Nukahan Скрип 555A 500 май 1,2 кв Скрип 555A 500 май 8500A 8900A 200 май Серпен 2 Scrs
MCC501-14IO2 MCC501-14IO2 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2011 год Модул Ear99 Скрип 1,4 кв 14500a @ 50 gц Серпен 2 Scrs
VS-VSKH230-08PBF VS-VSKH230-08PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv23008pbf-datasheets-2744.pdf 230. Magn-a-pak (3) 12 499.858792G Ear99 НЕИ Neprigodnnый Neprigodnnый Скрип 510A 500 май Скрип 800 500 май 7500A 7850A 200 май Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
VS-VSKT230-04PBF VS-VSKT230-04PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) 130 ° С -40 ° С Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv23008pbf-datasheets-2744.pdf 230. Magn-A-Pak 12 499.858792G Скрип 510A 500 май 400 510A 500 май 7500A 7850A 200 май 230. Серпен 2 Scrs
VS-VSKT320-14PBF VS-VSKT320-14PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА Magn-A-Pak 28 nedely 1,4 кв 710A 500 май 9000a 9420a 200 май 320A Серпен 2 Scrs
MCC501-18IO2 MCC501-18IO2 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ Поднос 1 (neograniчennnый) Rohs3 2011 год WC-501 501 Ear99 НЕИ MC*501 Скрип 1,8 кв 14500a @ 50 gц Серпен 2 Scrs
MCC501-12IO2 MCC501-12IO2 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2011 год Модул Ear99 Скрип 1,2 кв 14500a @ 50 gц Серпен 2 Scrs
MCD501-16IO2 MCD501-16IO2 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2011 год Модул Ear99 Скрип 1,6 кв 14500a @ 50 gц Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
VS-VSKU250-12PBF VS-VSKU250-12PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2012 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv25008pbf-datasheets-2638.pdf 250a Magn-A-Pak 12 7 в дар Ear99 Не Скрип 555A 500 май 1,2 кв Скрип 555A 500 май 8500A 8900A 200 май Обших Кан 2 Scrs
VS-VSKT250-14PBF VS-VSKT250-14PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 150 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2012 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt25016pbf-datasheets-9679.pdf 250a Magn-A-Pak 12 499.858792G 7 в дар Ear99 Nukahan KT250 Nukahan Скрип 555A 500 май 1,4 кв Скрип 555A 500 май 8500A 8900A 200 май Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
MCC224-24IO1 MCC224-24IO1 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 140 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2009 /files/ixys-mcc22424io1-datasheets-3343.pdf Модул 7 в дар 8541.30.00.80 Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 7 Nukahan 2 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована R-Xufm-X7 400A 240000A Степень, а, в Иолирована 40 май 150 май 8500 а 2400 Скрип 2,4 кв 220 Ма 2400 400A 8000a 8500a 240a 2G-2GR Серпен 2 Scrs AK-AK
VS-VSKH230-20PBF VS-VSKH230-20PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2012 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv23008pbf-datasheets-2744.pdf 230. Magn-a-pak (3) 12 5 Ear99 НЕИ Neprigodnnый Neprigodnnый Скрип 510A 500 май 2 К. Скрип 510A 500 май 7500A 7850A 200 май Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
LD470850 LD470850 Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2002 /files/powerexinc-ld470850-datasheets-3344.pdf Модуль 24 nede 7 785а 800 785а 16300 A 17000A 200 май 500A Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
VS-VSKT230-20PBF VS-VSKT230-20PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv23008pbf-datasheets-2744.pdf 230. Magn-A-Pak 12 7 Ear99 Не Скрип 510A 500 май 2 К. Скрип 510A 500 май 7500A 7850A 200 май Серпен 2 Scrs
MDNA660U2200PT-PC MDNA660U2200PT-PC Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Коробка 16
TTB6C165N16LOFHOSA1 TTB6C165N16LOFHOSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пансел, винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА Neprigodnnый ROHS COMPRINT 1999 /files/infineontechnologies-ttb6c165n16lofhosa1-datasheets-3319.pdf Модул 94 мм 30 мм 54 ММ СОУДНО ПРИОН 14 24 nede 12 в дар 8541.30.00.80 Верна Вергини НЕВЕКАНА Nukahan 14 Nukahan 6 Н.Квалиирована R-Xufm-X14 120a 3 феврал Иолирована 200 май 1,6 кв 1,6 кв Скрип 1,6 кв 1600v 2,5 В. 1250a @ 50 gц 150 май 208. MOST, 3 -PaзA - VSE SCR 6 Scrs
VS-VSKT170-04PBF VS-VSKT170-04PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv25008pbf-datasheets-2638.pdf 170a Magn-A-Pak 12 в дар Ear99 Nukahan Nukahan Скрип 377а 500 май Скрип 400 500 май 5100A 5350A 200 май Серпен 2 Scrs
T9G0221003DH T9G0221003DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t9g0021003dh-datasheets-2604.pdf ВАРИАНТА 200 2 6 в дар Ear99 НЕИ 8541.30.00.80 Кони NeT -lederStva Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-CEDB-N2 159 к.а. 1000000A 75 май 17000 А. 2200 Скрип 2,2 К. 2200 1590a 15500A 17000A 200 май 1000A 1000 В/С.С.А. 250 мкс Одинокий 1 Scr
VS-VSKT320-12PBF VS-VSKT320-12PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt32016pbf-datasheets-9672.pdf Magn-A-Pak 12 7 в дар Ear99 Nukahan Nukahan 710A 500 май Скрип 1,2 кв 710A 9000a 9420a 200 май 320A Серпен 2 Scrs
VS-VSKL250-08PBF VS-VSKL250-08PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv25008pbf-datasheets-2638.pdf 250a Magn-A-Pak 12 499.858792G в дар Ear99 Nukahan Nukahan Скрип 555A 500 май Скрип 400 500 май 8500A 8900A 200 май Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
VS-VSKL250-14PBF VS-VSKL250-14PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv25008pbf-datasheets-2638.pdf 250a Magn-A-Pak 12 в дар Ear99 Nukahan Nukahan Скрип 555A 500 май Скрип 400 500 май 8500A 8900A 200 май Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD
VS-VSKK230-12PBF VS-VSKK230-12PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 130 ° C TJ МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv23008pbf-datasheets-2744.pdf 230. Magn-A-Pak 12 Ear99 НЕИ Neprigodnnый Neprigodnnый Скрип 510A 500 май Скрип 1,2 кв 500 май 7500A 7850A 200 май Обших Кан 2 Scrs
MCMA700P1600NCA MCMA700P1600NCA Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 140 ° C TJ Коробка Комплеркс 24 nede Ear99 Nukahan Nukahan Скрип 1,6 кв 1100A 19000a 20500a 300 май 700A Серпен 2 Scrs
ETD510N16P60HPSA1 ETD510N16P60HPSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 135 ° C TC 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/infineontechnologies-etd510n16p60hpsa1-datasheets-3299.pdf Модул 12 Скрип 1,6 кв 700A 300 май 15300a @ 50 gц 250 май 515а Сэриовать 1 SCR, 1 DIOD

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.