Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТиристорные модули(3652)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Тип цепи | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Конфигурация | Соединение корпуса | Ток утечки (макс.) | Удерживай ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Неповторяющийся ПК в рабочем состоянии | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) | Максимальный среднеквадратичный ток во включенном состоянии | Описание быстроразъемных соединений | Структура | Количество SCR, Диодов | Описание винтовых клемм |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВС-ВСКТ56/06 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | 60А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 110,000005г | 7 | EAR99 | Нет | Тиристоры | 135А | 200 мА | 600В | СКР | 135А | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | Последовательное соединение — все SCR | 2 СКР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКЛ56/06 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | 60А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 110,000005г | 5 | EAR99 | Нет | Диоды | 135А | 200 мА | 600В | СКР | 135А | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКЛ56/10 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | 60А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 5 | EAR99 | Нет | Диоды | 135А | 200 мА | 1кВ | СКР | 135А | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКН91/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt9112-datasheets-9629.pdf | 95А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 110,000005г | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Диоды | 210А | 250 мА | СКР | 1,2 кВ | 250 мА | 2,5 В | 2000А 2094А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКТ26/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskn2608-datasheets-0825.pdf | 27А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 110,000005г | 7 | EAR99 | Нет | Тиристоры | 60А | 200 мА | 1,2 кВ | СКР | 60А | 200 мА | 2,5 В | 400А 420А | 150 мА | Последовательное соединение — все SCR | 2 СКР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКН26/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskn2608-datasheets-0825.pdf | 27А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 110,000005г | 5 | EAR99 | Нет | Диоды | 60А | 200 мА | 1,2 кВ | СКР | 60А | 200 мА | 2,5 В | 400А 420А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСХ56/10 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | 60А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 5 | EAR99 | Нет | Диоды | 135А | 200 мА | 1кВ | СКР | 135А | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-Т70РИА120С90 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vst90ria120-datasheets-0211.pdf | 70А | Д-55 | 12 недель | 55 | СКР | 110А | 200 мА | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 110А | 200 мА | 2,5 В | 1660А 1740А | 120 мА | 70А | Одинокий | 1 сирийских рупий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-П105 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsp102kw-datasheets-9465.pdf | 25А | 8-ПАСЕ-ПАК | 12 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Диоды | 25А | 130 мА | СКР | 1,2 кВ | 2В | 357А 375А | 60 мА | Мост, однофазный — тиристоры/диоды (схема 1) | 2 SCR, 2 диода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКУ41/08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv5606-datasheets-4346.pdf | 45А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 110,000005г | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Тиристоры | 70А | 200 мА | СКР | 800В | 200 мА | 2,5 В | 850А 890А | 150 мА | Общий катод — все тиристоры | 2 СКР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Б553-2 | Сенсата-Кридом | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/sensatacrydom-b5122t-datasheets-9445.pdf | 25А | Модуль с изоляционными барьерами | Без свинца | 6 недель | 4 | 25А | 800В | 800В | 2,5 В | 250 А при 60 Гц | 60 мА | 1-фазный контроллер — все SCR | 2 СКР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКВ56/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv5606-datasheets-4346.pdf | 60А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Тиристоры | 95А | 200 мА | СКР | 400В | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | Общий катод — все тиристоры | 2 СКР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-П421 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsp402w-datasheets-9741.pdf | 40А | 8-ПАСЕ-ПАК | 12 недель | 58.000006г | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Диоды | 40А | 130 мА | СКР | 400В | 130 мА | 2В | 385А 400А | 60 мА | Мост, однофазный — тиристоры/диоды (схема 3) | 2 SCR, 2 диода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКЛ56/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | 60А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 110,000005г | 5 | EAR99 | Нет | Диоды | 135А | 200 мА | 1,2 кВ | СКР | 135А | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МКМА140П1600ТА | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпус, панель, винт | Крепление на шасси | -40°C~140°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/ixys-mcma140p1600ta-datasheets-4381.pdf | 140А | ТО-240АА | 92 мм | 30,2 мм | 20,8 мм | Без свинца | 24 недели | Нет СВХК | 7 | EAR99 | Нет | Кремневые управляемые выпрямители | 220А | 140000А | 10 мА | 200 мА | 1,6 кВ | 2590 А | СКР | 220А | 200 мА | 1,5 В | 2400А 2590А | 150 мА | 2Г-2ГР | Последовательное соединение — все SCR | 2 СКР | АК-АК | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКН41/06 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100А | 200 мА | СКР | 600В | 100А | 2,5 В | 850А 890А | 150 мА | 45А | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСХ56/12 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | 60А | АДД-А-ПАК (3+4) | 92 мм | 30 мм | 22,6 мм | 14 недель | 5 | EAR99 | Нет | Диоды | 135А | 200 мА | 1,2 кВ | СКР | 135А | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКУ56/08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv5606-datasheets-4346.pdf | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 800В | 95А | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | 60А | Общий катод — все тиристоры | 2 СКР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКУ41/16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv5606-datasheets-4346.pdf | 45А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 110,000005г | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Тиристоры | 70А | 200 мА | СКР | 1,6 кВ | 200 мА | 2,5 В | 850А 890А | 150 мА | Общий катод — все тиристоры | 2 СКР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКН41/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100А | 200 мА | СКР | 400В | 100А | 2,5 В | 850А 890А | 150 мА | 45А | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВХО55-08ИО7 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-vko5508io7-datasheets-4359.pdf | 53А | ФО-ТА | 6 | 8541.30.00.80 | е4 | Золото (Ау) | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 260 | VHO55 | 35 | 2 | Кремневые управляемые выпрямители | Не квалифицированный | Р-XUFM-D6 | СКР | 41000А | МОСТОВОЙ ПОЛУУПРАВЛЯЕМЫЙ С ОБЩИМ КАТОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | 200 мА | 600 А | 800В | СКР | 800В | 800В | 200 мА | 1,5 В | 550А 600А | 100 мА | 41А | 2Г-2АК-СА-СК | Мост, однофазный — тиристоры/диоды (схема 1) | 2 SCR, 2 диода | ||||||||||||||||||||||||||
| ВС-П422 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsp402w-datasheets-9741.pdf | 40А | 8-ПАСЕ-ПАК | 12 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Диоды | 40А | 130 мА | СКР | 600В | 130 мА | 2В | 385А 400А | 60 мА | Мост, однофазный — тиристоры/диоды (схема 3) | 2 SCR, 2 диода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКН56/04 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 135А | 200 мА | СКР | 400В | 135А | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | 60А | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКЛ26/16 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskn2608-datasheets-0825.pdf | 27А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 5 | EAR99 | Нет | Диоды | 60А | 200 мА | 1,6 кВ | СКР | 60А | 200 мА | 2,5 В | 400А 420А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКВ56/06 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskv5606-datasheets-4346.pdf | 60А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | Тиристоры | 95А | 200 мА | 600В | 95А | 200 мА | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | 60А | Общий катод — все тиристоры | 2 СКР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-Т90РИА100 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпус, панель, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vst90ria120-datasheets-0211.pdf | 90А | Д-55 Т-Модуль | 41 мм | 25 мм | 27 мм | 12 недель | 56,699046г | 3 | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | Т*РИА | НЕ УКАЗАН | СКР | 141А | 200 мА | 1кВ | СКР | 141А | 200 мА | 2,5 В | 1780А 1870А | 120 мА | Одинокий | 1 сирийских рупий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКН56/10 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 135А | 200 мА | СКР | 1кВ | 135А | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | 60А | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКЛ41/08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | 45А | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | 5 | EAR99 | Нет | Диоды | 100А | 200 мА | 800В | СКР | 100А | 200 мА | 2,5 В | 850А 890А | 150 мА | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ВСКН56/06 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsvskt5612-datasheets-0328.pdf | АДД-А-ПАК (3+4) | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 135А | 200 мА | СКР | 600В | 135А | 2,5 В | 1200А 1256А | 150 мА | 60А | Последовательное соединение – SCR/диод | 1 тиристор, 1 диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВВИ40-16ИО1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | Модуль | 7 | да | 8541.30.00.80 | е4 | СЕРЕБРО | ВЕРХНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 7 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-XUFM-T7 | 3-ФАЗНЫЙ МОСТ, ПОЛУУПРАВЛЯЕМЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1600В | СКР | 1,6 кВ | 65 мА | 1600В | 320 А при 50 Гц | 34А | 25А | Мост, 3-фазный – SCR/диоды | 2 SCR, 4 диода |
