Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Массивы стабилитронов - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по продаже электронных компонентов - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса Количество контактов Код Pbfree Импеданс ECCN-код Код HTS Толерантность Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Код JESD-30 Стабильное напряжение Конфигурация Материал диодного элемента Опорное напряжение Напряжение Тол-Макс Рабочий тестовый ток Тип диода Допуск по напряжению Импеданс-Макс Ток – обратная утечка @ Vr
AZ23B30-G3-18 АЗ23Б30-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 80Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 30В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 30В 2% 5мА стабилитрон 2% 80Ом 100 нА при 22,5 В
AZ23B16-G3-08 АЗ23Б16-Г3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 40Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 16 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 16 В 2% 5мА стабилитрон 2% 40Ом 100 нА при 12 В
AZ23B6V2-G3-18 АЗ23Б6В2-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 10Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 6,2 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 6,2 В 2% 5мА стабилитрон 2% 10Ом 100 нА при 2 В
AZ23B13-G3-08 АЗ23Б13-Г3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 25Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 13В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 13В 2% 5мА стабилитрон 2% 25Ом 100 нА при 10 В
AZ23B7V5-HE3-08 AZ23B7V5-HE3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 7,5 Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 7,5 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 7,5 В 2% 5мА стабилитрон 2% 7,5 Ом 100 нА при 5 В
AZ23B3V3-HE3-18 AZ23B3V3-HE3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 95Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 3,3 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 3,3 В 2% 5мА стабилитрон 2% 95Ом
AZ23B18-G3-18 АЗ23Б18-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 50Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 18В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 18В 2% 5мА стабилитрон 2% 50Ом 100 нА при 14 В
AZ23B39-G3-18 АЗ23Б39-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 90Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 39В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 39В 2% 5мА стабилитрон 2% 90Ом 100 нА при 29 В
AZ23B24-G3-18 АЗ23Б24-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 80Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 24В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 24В 2% 5мА стабилитрон 2% 80Ом 100 нА при 18 В
AZ23B3V9-G3-18 АЗ23Б3В9-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 95Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 3,9 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 3,9 В 2% 5мА стабилитрон 2% 95Ом
AZ23B33-G3-18 АЗ23Б33-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 80Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 33В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 33В 2% 5мА стабилитрон 2% 80Ом 100 нА при 25 В
AZ23B4V7-HE3-08 AZ23B4V7-HE3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 78Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 4,7 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 4,7 В 2% 5мА стабилитрон 2% 78Ом
DZ23C3V9-G3-08 ДЗ23К3В9-Г3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dz23b24g308-datasheets-1423.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,107964 мг да 95Ом EAR99 8541.10.00.50 ±5% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий катод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 3,9 В 1 пара с общим катодом КРЕМНИЙ 3,9 В 5% 5мА стабилитрон 5% 95Ом
AZ23B5V1-HE3-08 AZ23B5V1-HE3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 60Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 5,1 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 5,1 В 2% 5мА стабилитрон 2% 60Ом 100 нА при 800 мВ
AZ23B2V7-HE3-18 AZ23B2V7-HE3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 83Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 2,7 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 2,7 В 2% 5мА стабилитрон 2% 83Ом
AZ23B8V2-HE3-08 AZ23B8V2-HE3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 7Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 8,2 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 8,2 В 2% 5мА стабилитрон 2% 7Ом 100 нА при 6 В
DZ23C4V3-G3-08 DZ23C4V3-G3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dz23b24g308-datasheets-1423.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,107964 мг да 95Ом EAR99 8541.10.00.50 ±5% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий катод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 4,3 В 1 пара с общим катодом КРЕМНИЙ 4,3 В 5% 5мА стабилитрон 5% 95Ом
AZ23C47-G3-08 AZ23C47-G3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 100Ом EAR99 8541.10.00.50 ±5% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 47В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 47В 5% 5мА стабилитрон 5% 100Ом 100 нА при 35 В
AZ23B3V9-E3-18 АЗ23Б3В9-Е3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 95Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 3,9 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 3,9 В 2% 5мА стабилитрон 2% 95Ом
AZ23B13-HE3-18 AZ23B13-HE3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 25Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 13В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 13В 2% 5мА стабилитрон 2% 25Ом 100 нА при 10 В
AZ23B3V6-G3-18 АЗ23Б3В6-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 95Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 3,6 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 3,6 В 2% 5мА стабилитрон 2% 95Ом
AZ23B15-G3-18 АЗ23Б15-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 30Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 15 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 15 В 2% 5мА стабилитрон 2% 30Ом 100 нА при 11 В
AZ23B30-HE3-18 AZ23B30-HE3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 80Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 30В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 30В 2% 5мА стабилитрон 2% 80Ом 100 нА при 22,5 В
AZ23B10-G3-18 АЗ23Б10-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 15Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 10 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 10 В 2% 5мА стабилитрон 2% 15Ом 100 нА при 7,5 В
AZ23B13-G3-18 АЗ23Б13-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 25Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 13В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 13В 2% 5мА стабилитрон 2% 25Ом 100 нА при 10 В
AZ23B9V1-HE3-08 AZ23B9V1-HE3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 10Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 9,1 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 9,1 В 2% 5мА стабилитрон 2% 10Ом 100 нА при 7 В
DZ23C47-G3-08 DZ23C47-G3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dz23b24g308-datasheets-1423.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,107964 мг да 100Ом EAR99 8541.10.00.50 ±5% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий катод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 47В 1 пара с общим катодом КРЕМНИЙ 47В 5% 5мА стабилитрон 5% 100Ом 100 нА при 35 В
DZ23C51-G3-08 ДЗ23К51-Г3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dz23b24g308-datasheets-1423.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,107964 мг да 100Ом EAR99 8541.10.00.50 ±5% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий катод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 51В 1 пара с общим катодом КРЕМНИЙ 51В 5% 5мА стабилитрон 5% 100Ом 100 нА при 38 В
AZ23B22-E3-08 AZ23B22-E3-08 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c3v3e308-datasheets-3556.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг да 55Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 Р-ПДСО-Г3 22В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 22В 2% 5мА стабилитрон 2% 55Ом 100 нА при 17 В
AZ23B16-G3-18 АЗ23Б16-Г3-18 Подразделение полупроводниковых диодов Vishay
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) ЗЕНЕР Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-az23c5v6g308-datasheets-5064.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 15 недель 8,788352мг 3 да 40Ом EAR99 8541.10.00.50 ±2% е3 Матовый олово (Sn) ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Общий анод 10 300мВт 2 16 В 1 пара общего анода КРЕМНИЙ 16 В 2% 5мА стабилитрон 2% 40Ом 100 нА при 12 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.