Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны (43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальная мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Количество светодиодов | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Доминирующая длина волн | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение — вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТЗМК3В6-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc12gs08-datasheets-0010.pdf&product=vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc3v6gs08-5117008 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 11 недель | 41 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМК3В6 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3,6 В | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | ДО-213АА | 3,6 В | 5,556% | 5мА | стабилитрон | 90Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZBZX84C16ET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-szbzx84c4v7et1g-datasheets-5093.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 40Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 225 МВт | BZX84C16 | 3 | Одинокий | 50нА | 16 В | 5мА | стабилитрон | 6% | 40Ом | 50 нА при 11,2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМ5233Б-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | 7Ом | Нет | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 1,1 В | 5 мкА | 6В | 6В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | 5А | 6В | 5% | стабилитрон | 5% | 200 мА | 7Ом | 5 мкА при 3,5 В | 1,1 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З16ВБ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mm3z15vb-datasheets-0305.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 1,3 мм | 1 мм | 1,7 мм | 2 | 18 недель | 27,6 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 9 часов назад) | да | 37Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±2% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 200мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ММ3Z16 | Одинокий | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 45нА | 16 В | 5мА | КРЕМНИЙ | 16 В | 2% | стабилитрон | 2% | 37Ом | 45 нА при 11,2 В | 1 В при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМ5235Б-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | 1,6 мм | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,683 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | да | 5Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМ5235 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 1,1 В | 100нА | 6,8 В | 6,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | 6,8 В | КРЕМНИЙ | 3 мкА | 6,8 В | 5% | стабилитрон | 5% | 200 мА | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZBZX84C10ET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-szbzx84c4v7et1g-datasheets-5093.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 20Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 225 МВт | BZX84C10 | 3 | Одинокий | 200нА | 10 В | 5мА | Да | стабилитрон | 6% | 20Ом | 200 нА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМ5254Б-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf&product=vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5254bgs08-5116998 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,7 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 41 | 41Ом | Нет | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМ5254 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | О-LELF-R2 | 1,1 В | 100нА | 27В | 27В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 4,6 мА | 27В | КРЕМНИЙ | 100 мА | ДО-213АА | 27В | 5% | стабилитрон | 5% | 200 мА | 41Ом | 100 нА при 21 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМК16-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc12gs08-datasheets-0010.pdf | 1,6 мм | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,683 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | 40Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМК16 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 200 мА | 1,5 В | 100нА | 16 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | 16 В | КРЕМНИЙ | 16 В | 5,556% | стабилитрон | 5% | 40Ом | 100 нА при 12 В | 1,5 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZBZX84C5V1ET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-szbzx84c4v7et1g-datasheets-5093.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 60Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BZX84C5V1 | 3 | Одинокий | 1 | 2мкА | 5,1 В | 5мА | КРЕМНИЙ | Да | 5,1 В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZBZX84C5V6ET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-szbzx84c4v7et1g-datasheets-5093.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 40Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±7% | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 225 МВт | BZX84C5V6 | 3 | Одинокий | 1 мкА | 5,6 В | 5мА | Да | стабилитрон | 7% | 40Ом | 1 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZBZX84C4V7ET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-szbzx84c4v7et1g-datasheets-5093.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 80Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 225 МВт | BZX84C4V7 | 3 | Одинокий | 3 мкА | 4,7 В | 5мА | стабилитрон | 6% | 80Ом | 3 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZBZX84C15ET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-szbzx84c4v7et1g-datasheets-5093.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 30Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 225 МВт | BZX84C15 | 3 | Одинокий | 50нА | 15 В | 5мА | Да | стабилитрон | 6% | 30Ом | 50 нА при 10,5 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМК18-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc12gs08-datasheets-0010.pdf&product=vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc18gs08-5116965 | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 11 недель | 41 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМК18 | 2 | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 18В | 500мВт | КРЕМНИЙ | ДО-213АА | 18В | 6,407% | 5мА | стабилитрон | 50Ом | 100 нА при 13 В | 1,5 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМК6В8-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc12gs08-datasheets-0010.pdf | 1,6 мм | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,7 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | 8Ом | EAR99 | Нет | 2А | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМС6В8 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 175°С | 200 мА | 100нА | 6,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | 6,8 В | КРЕМНИЙ | 3В | 6,8 В | стабилитрон | 5% | 8Ом | 100 нА при 3 В | 1,5 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМ5248Б-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | 1,6 мм | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,683 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Красный | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | 21 Ом | Нет | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМ5248 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 1,1 В | 48° | Круглый, Бесцветный, Рассеянный | 1 | 100нА | 18В | 18В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 7мА | КРЕМНИЙ | 100нА | 18В | 5% | стабилитрон | 5% | 200 мА | 618 нм | 100 нА при 14 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4747А,113 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-1n4735a113-datasheets-6033.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | 22Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 1N4747 | 2 | Одинокий | 1 Вт | 1 | 1,2 В | 5 мкА | 20 В | 20 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 12,5 мА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 20 В | 5% | стабилитрон | 5% | 45 мА | 22Ом | 5 мкА при 15,2 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМ5237Б-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | 1,6 мм | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,683 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 41 | 8Ом | Нет | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМ5237 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | О-LELF-R2 | 1,1 В | 3 мкА | 8,2 В | 8,2 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 20 мА | КРЕМНИЙ | 3 мкА | ДО-213АА | 8,2 В | 5% | стабилитрон | 5% | 200 мА | 8Ом | 3 мкА при 6,5 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМ5252Б-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzm5242bgs08-datasheets-0021.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,7 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | 33Ом | Нет | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | ТЗМ5252 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 100нА | 24В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5,2 мА | КРЕМНИЙ | 24В | 5% | стабилитрон | 5% | 200 мА | 33Ом | 100 нА при 18 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЗМК30-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-tzmc12gs08-datasheets-0010.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,7 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | 80Ом | EAR99 | Нет | 250 мА | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 30 В | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 1,5 В | 100нА | 30 В | 32В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | 30 В | КРЕМНИЙ | 100нА | 30 В | стабилитрон | 5% | 80Ом | 100 нА при 22 В | 1,5 В при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZBZX84C18ET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-szbzx84c4v7et1g-datasheets-5093.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 6 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 45Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 225 МВт | BZX84C18 | 3 | Одинокий | 50нА | 18В | 5мА | Да | стабилитрон | 6% | 45Ом | 50 нА при 12,6 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С2В4,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 6 недель | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БЗВ55С2В4 | 2 | 30 | 1 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,4 Вт | 2,4 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 100Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С2В4,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 6 недель | 2 | 100Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БЗВ55С2В4 | 2 | Одинокий | 30 | 500мВт | 1 | 50 мкА | 2,4 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 2,4 В | 5% | стабилитрон | 5% | 100Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDZVT2R3.6B | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2-СМД, плоский вывод | 2 | 12 недель | 100Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 100мВт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | 3,6 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 3,6 В | 3,29% | 5мА | стабилитрон | 100Ом | 10 мкА при 1 В | 3,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С3В3,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 6 недель | 2 | 95Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 400мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БЗВ55С3В3 | 2 | Одинокий | 30 | 500мВт | 1 | 5 мкА | 3,3 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 3,3 В | 5% | стабилитрон | 5% | 95Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С2В7,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 6 недель | 2 | ±5% | БЗВ55С2В7 | ЛЛДС; МиниМелф | 500мВт | 100 Ом | 20 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С33,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 6 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БЗВ55С33 | 2 | 30 | 1 | О-LELF-R2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,4 Вт | 33В | 5% | 2мА | стабилитрон | 80Ом | 50 нА при 23,1 В | 900 мВ при 10 мА | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С3В3,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 1,6 мм | 2 | 6 недель | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БЗВ55С3В3 | 2 | 30 | 500мВт | 1 | 200°С | 250 мА | 5 мкА | 3,3 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 3,3 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 95Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С5В6,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 6 недель | Нет СВХК | 2 | ±5% | БЗВ55С5В6 | ЛЛДС; МиниМелф | 500мВт | 40 Ом | 1 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 5,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С30,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 6 недель | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | БЗВ55С30 | 2 | 1 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,4 Вт | 30 В | 5% | стабилитрон | 80Ом | 50 нА при 21 В | 900 мВ при 10 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДЗ13АСФ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-ddz3v9bsf7-datasheets-9411.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 2,5 мм | 750 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 19 недель | 3,997283мг | Нет СВХК | 2 | да | 35Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±3% | е3 | Матовый олово (Sn) | 500мВт | 260 | ДДЗ13 | Одинокий | 40 | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 70нА | 12,43 В | 10 мА | 70нА | 12,43 В | стабилитрон | 2,57% | 70нА | 35Ом | 70 нА при 11,5 В | 900 мВ при 10 мА |
