Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Материал | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальная мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Обратное напряжение | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Обратное испытательное напряжение | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Импеданс-Макс | Напряжение Температурный Коэфф-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX55C15-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 30Ом | Серебро, Олово | 2А | ±5% | 15 В | 500мВт | 2 | Одинокий | 500мВт | 100нА | 15 В | 5мА | 15,6 В | Нет | 6% | 30Ом | 100 нА при 11 В | 1,5 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C5V1-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,8862 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | 35Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | АЭК-Q101 | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | BZX55C5V1 | 2 | Одинокий | 30 | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 1,5 В | 100нА | 5,1 В | 5,1 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | 5,4 В | КРЕМНИЙ | Нет | 5,1 В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 35Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСЗ5236Б-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-mmsz5226b7f-datasheets-8573.pdf | 7,5 В | СОД-123 | 3,85 мм | 1,35 мм | 1,7 мм | Без свинца | 2 | 19 недель | 10,007382мг | 2 | да | 6Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 500мВт | ±5% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММСЗ5236Б | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | 900 мВ | 3 мкА | 7,5 В | 7,5 В | 20 мА | КРЕМНИЙ | 3 мкА | 7,5 В | 5% | 6В | стабилитрон | 5% | 3 мкА | 6Ом | 3 мкА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С5В1,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 6 недель | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БЗВ55С5В1 | 2 | 30 | 1 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,4 Вт | 5,1 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PLZ4V3A-G3/H | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PLZ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-plz5v1bhg3h-datasheets-5017.pdf | ДО-219АС | 2 | 11 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±3% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МЭК-61000-4-2, 4-5 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | 960мВт | КРЕМНИЙ | 0,96 Вт | 4,3 В | 3% | 20 мА | стабилитрон | 40Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 4,17 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5235Б-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-mmbz5246b7f-datasheets-1181.pdf | 6,8 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 2,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | 5Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | 350 мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5235Б | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 6,8 В | 6,8 В | 20 мА | КРЕМНИЙ | Нет | 3 мкА | 6,8 В | 5% | стабилитрон | 5% | 3 мкА | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗБЗС84К3В3ЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 95Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BZX84C3V3 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 5 мкА | 3,3 В | 3,3 В | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 3,3 В | 6,06% | 5мА | стабилитрон | 6% | 95Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C10-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-bzx84c117f-datasheets-1450.pdf | 10 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | 20Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 2А | 8541.10.00.50 | 350 мВт | ±6% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 10 В | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C10 | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 30 мА | 900 мВ | 200нА | 10 В | 10 В | 5мА | 300мВт | КРЕМНИЙ | 200нА | 10 В | стабилитрон | 6% | 5мА | 20Ом | 200 нА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C6V8-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-bzx84c117f-datasheets-1450.pdf&product=diodesincorporated-bzx84c6v87f-5115608 | 6,8 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | 350 мВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C6V8 | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 150°С | 45 мА | 10 мА | 900 мВ | 2мкА | 6,8 В | 6,8 В | 5мА | 300мВт | КРЕМНИЙ | Нет | 2мкА | 4В | 6,8 В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 5мА | 15Ом | 2 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| БЗТ52-C3V3J | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/nexperiausainc-bzt52c3v3j-datasheets-8784.pdf | СОД-123 | 4 недели | ±6,1% | 350 мВт | стабилитрон | 95Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C9V1-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-bzx84c117f-datasheets-1450.pdf&product=diodesincorporated-bzx84c9v17f-5115614 | 9,1 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 2А | 8541.10.00.50 | 350 мВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C9V1 | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 38мА | 900 мВ | 500нА | 9,1 В | 9,1 В | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 500нА | 9,1 В | 6,08% | стабилитрон | 6% | 5мА | 15Ом | 500 нА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| НЗС6В2А,133 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/nexperiausainc-nzx24x133-datasheets-0985.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | 15Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | ±2% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МЭК-60134 | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | НЗС6В2 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 3 мкА | 5,85 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5,85 В | 5мА | стабилитрон | 3% | 15Ом | 3 мкА при 4 В | 1,5 В @ 200 мА | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЗММБЗ5245БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 16Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБЗ5245Б | 3 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 100нА | 15 В | 15 В | 8,5 мА | КРЕМНИЙ | Да | 100нА | 15 В | 5% | стабилитрон | 16Ом | 100 нА при 11 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C12-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-bzx84c117f-datasheets-1450.pdf&product=diodesincorporated-bzx84c127f-5115577 | 12 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | 25 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | 350 мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C12 | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 150°С | 28мА | 900 мВ | 100нА | 12 В | 12 В | 5мА | 300мВт | КРЕМНИЙ | Нет | 100нА | 8В | 12 В | стабилитрон | 5% | 5мА | 25 Ом | 100 нА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C5V1-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 35Ом | Серебро, Олово | 1А | ±5% | 500мВт | 2 | Одинокий | 500мВт | 100нА | 5,1 В | 5мА | 5,4 В | Нет | 6% | 35Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З8В2Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szmm3z5v1t1g-datasheets-4854.pdf | 8,2 В | СК-76, СОД-323 | 1,778 мм | 990,6 мкм | 1,3462 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 15Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3З8В2 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 700нА | 8,2 В | 8,2 В | 5мА | 8,7 В | 300мВт | КРЕМНИЙ | Да | 700нА | 8,2 В | 6,1% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 15Ом | 700 нА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C3V3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 10 недель | 2 | да | 85Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | АЭК-Q101 | 500мВт | ПРОВОЛОКА | BZX55C3V3 | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 2мкА | 3,3 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | 3,3 В | 6,06% | стабилитрон | 6% | 200 мА | 85Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З10ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szmm3z5v1t1g-datasheets-4854.pdf | 10 В | СК-76, СОД-323 | 1,778 мм | 990,6 мкм | 1,3462 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 20Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z10 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100нА | 10 В | 10 В | 5мА | 10,6 В | 300мВт | Да | 100нА | 10 В | 6% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 20Ом | 100 нА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З20ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szmm3z5v1t1g-datasheets-4854.pdf | 20 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 55Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z20 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 20 В | 20 В | 5мА | 300мВт | КРЕМНИЙ | Да | 50нА | 20 В | 6% | 14 В | стабилитрон | 6% | 10 мА | 55Ом | 18 мВ/°С | 50 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C18-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 10 недель | 2 | да | неизвестный | ±5% | 2 | 19,1 В | 500мВт | 50Ом | 100 нА при 13 В | 1,5 В @ 200 мА | 18В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З22ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szmm3z5v1t1g-datasheets-4854.pdf | 22В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 55Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z22 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 22В | 5мА | Да | 22В | 5,67% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 55Ом | 50 нА при 15,4 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C10-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 15Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 500мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 100нА | 10 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | 10,6 В | КРЕМНИЙ | 10 В | 6% | стабилитрон | 6% | 15Ом | 100 нА при 7,5 В | 1,5 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C3V0-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 10 недель | 2 | да | 85Ом | Серебро, Олово | ±5% | 500мВт | 2 | Одинокий | 500мВт | 4мкА | 3В | 5мА | 3,2 В | Нет | 5% | 85Ом | 4 мкА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С18,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 6 недель | 2 | 45Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БЗВ55С18 | 2 | Одинокий | 30 | 500мВт | 1 | 50нА | 17,95 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 18В | 5% | стабилитрон | 5% | 45Ом | 50 нА при 12,6 В | 900 мВ при 10 мА | 18В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C3V6-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 10 недель | 2 | да | 85Ом | Серебро, Олово | ±5% | 500мВт | 2 | Одинокий | 500мВт | 2мкА | 3,6 В | 5мА | 3,8 В | Нет | 6% | 85Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C6V2-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | 10Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | Одинокий | 500мВт | 1,5 В | 100нА | 6,2 В | 6,2 В | 5мА | 6,6 В | Нет | 100нА | стабилитрон | 6% | 10Ом | 100 нА при 2 В | 1,5 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C8V2-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-bzx84c117f-datasheets-1450.pdf&product=diodesincorporated-bzx84c8v27f-5115573 | 8,2 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | 3 | да | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 25А | 8541.10.00.50 | 350 мВт | ±6% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C8V2 | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 38мА | 900 мВ | 700нА | 8,2 В | 8,2 В | 5мА | 300мВт | КРЕМНИЙ | 700нА | 8,2 В | 6,1% | стабилитрон | 6% | 5мА | 15Ом | 700 нА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C5V6-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55b33tr-datasheets-1094.pdf&product=vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55c5v6tap-5115575 | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 25 Ом | EAR99 | Серебро, Олово | 1А | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | 2 | Одинокий | 500мВт | 100нА | 5,6 В | 5мА | 6В | Нет | стабилитрон | 5% | 25 Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗВ55-С5В1,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-bzv55c12115-datasheets-8403.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | 60Ом | EAR99 | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БЗВ55С5В1 | 2 | Одинокий | 30 | 500мВт | 1 | 2мкА | 5,1 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5мА | КРЕМНИЙ | Нет | 5,1 В | 5% | стабилитрон | 5% | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З16ВТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szmm3z5v1t1g-datasheets-4854.pdf | 16 В | СК-76, СОД-323 | 1,7 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 40Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z16 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 16,2 В | 16 В | 5мА | 17,1 В | 300мВт | Да | 50нА | 16 В | 5,56% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 40Ом | 50 нА при 11,2 В | 900 мВ при 10 мА |
