Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Тестовый ток | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЗД27С15П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,12% | Суб-SMA | 1 Вт | 10 Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 14,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С10П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 1 Вт | 4Ом | 7 мкА при 7,5 В | 1,2 В при 200 мА | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С11П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,45% | Суб-SMA | 1 Вт | 7 Ом | 4 мкА при 8,2 В | 1,2 В при 200 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17С43П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,97% | Суб-SMA | 800мВт | 45 Ом | 1 мкА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17С75П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 100 Ом | 1 мкА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | 75В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗД17С68П РХГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 800мВт | 80 Ом | 1 мкА при 51 В | 1,2 В при 200 мА | 68В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗТ55А20-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 55Ом | ±1% | 500мВт | СОД-80 | 20 В | 500мВт | 55 Ом | 100 нА при 15 В | 1,5 В при 200 мА | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N969B-1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx1n973b1-datasheets-4283.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 17 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | Свинец, Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/117 | 480мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | 22В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 22В | 5% | 5,6 мА | стабилитрон | 29Ом | 500 нА при 17 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||
| BZG05C47-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 90Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 47В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 47В | 6,38% | 4мА | стабилитрон | 90Ом | 500 нА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | 47В | |||||||||||||||||||
| BZG05C10-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 7Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 10 В | ОДИНОКИЙ | 25 мА | КРЕМНИЙ | 10 В | 6% | стабилитрон | 7Ом | 500 нА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C33-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 35Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 33В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 33В | 6,06% | 8мА | стабилитрон | 35Ом | 500 нА при 24 В | 1,2 В при 200 мА | 33В | |||||||||||||||||||
| BZG05C51-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 115Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 51В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 51В | 5,88% | стабилитрон | 115Ом | 500 нА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C47-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 90Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 47В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 47В | 6,38% | стабилитрон | 90Ом | 500 нА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C20-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 24Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 20 В | ОДИНОКИЙ | 10 мА | КРЕМНИЙ | 20 В | 6% | стабилитрон | 24Ом | 500 нА при 15 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C27-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 27В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 27В | 7,04% | 8мА | стабилитрон | 30Ом | 500 нА при 20 В | 1,2 В при 200 мА | 27В | |||||||||||||||||||
| BZG05C24-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 25 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 24В | ОДИНОКИЙ | 10 мА | КРЕМНИЙ | 24В | 5,79% | стабилитрон | 25 Ом | 500 нА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| JANTX1N4983C | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Сквозное отверстие | -65°К~175°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n4962-datasheets-2405.pdf | Е, Осевой | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±2% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | МИЛ-19500/356Н | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Квалифицированный | О-LALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5 Вт | КРЕМНИЙ | 5 Вт | 110 В | 2% | 12 мА | стабилитрон | 125Ом | 2 мкА при 83,6 В | 1,5 В при 1 А | 110 В | |||||||||||||||||||||||
| BZG05C30-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 30Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 30 В | ОДИНОКИЙ | 8мА | КРЕМНИЙ | 30 В | 6,67% | стабилитрон | 30Ом | 500 нА при 22 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C24-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 25 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 24В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 24В | 5,79% | 10 мА | стабилитрон | 25 Ом | 500 нА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | 24В | |||||||||||||||||||
| BZG05C36-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 40Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 36В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 36В | 5,56% | 8мА | стабилитрон | 40Ом | 500 нА при 27 В | 1,2 В при 200 мА | 36В | |||||||||||||||||||
| BZG05C43-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 43В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 43В | 6,98% | 6мА | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | |||||||||||||||||||
| BZG05C22-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 25 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 22В | ОДИНОКИЙ | 10 мА | КРЕМНИЙ | 22В | 5,67% | стабилитрон | 25 Ом | 500 нА при 16 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C39-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 39В | ОДИНОКИЙ | 6мА | КРЕМНИЙ | 39В | 5,13% | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C43-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 50Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 43В | ОДИНОКИЙ | 6мА | КРЕМНИЙ | 43В | 6,98% | стабилитрон | 50Ом | 500 нА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C16-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 16 В | ОДИНОКИЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 16 В | 5,56% | стабилитрон | 15Ом | 500 нА при 12 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C12-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 9Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 12 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 12 В | 5,39% | 20 мА | стабилитрон | 9Ом | 500 нА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | |||||||||||||||||||
| БЗТ55А9В1-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 10Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицированный | О-LELF-R2 | 9,1 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 9,1 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 10Ом | 100 нА при 6,8 В | 1,5 В при 200 мА | 9,1 В | |||||||||||||||||||||
| BZG05C22-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 25 Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 22В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 22В | 5,67% | 10 мА | стабилитрон | 25 Ом | 500 нА при 16 В | 1,2 В при 200 мА | 22В | |||||||||||||||||||
| BZG05C15-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 15Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 15 В | ОДИНОКИЙ | 15 мА | КРЕМНИЙ | 15 В | стабилитрон | 15Ом | 500 нА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||
| BZG05C56-E3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 2 | 120Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | 500нА | 56В | ОДИНОКИЙ | 4мА | КРЕМНИЙ | 56В | 7,14% | стабилитрон | 120Ом | 500 нА при 43 В | 1,2 В при 200 мА |
