Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | Тела | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Колист | Верна - | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | Ипер | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Терпимость | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Полаяня | Спр | Пефер | МАКСИМАЛЕВАЯ | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Поседл | Коунфигуразия | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | ПАКЕТИВАЕТСЯ | МАКС | Зенер на | Коунфигура | Слюна | Тест | Синла - МАКС | Диднн | Power Dissipation-Max | Sprawoчnoe hanpryaeneee | На naprayeseee tol-max | Рубоидж Тёст | Дип | Ипер | Ток - Обратна тебе | На | На |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZD27C15P RHG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,12% | Скабма | 1 Вт | 10 ОМ | 1 Ония @ 11 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 14.7V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C10P RHG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | DO-219AB | ± 6% | Скабма | 1 Вт | 4 О | 7 мк, 7,5, | 1,2 - @ 200 Ма | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C11P RHG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,45% | Скабма | 1 Вт | 7 О | 4 мка @ 8,2 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 11в | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C43P RHG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | DO-219AB | ± 6,97% | Скабма | 800 м | 45 ОМ | 1 мхлокс @ 33V | 1,2 - @ 200 Ма | 43В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C75P RHG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | DO-219AB | ± 6% | Скабма | 800 м | 100 ОМ | 1 мхлокс @ 56V | 1,2 - @ 200 Ма | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C68P RHG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | DO-219AB | ± 5,88% | Скабма | 800 м | 80 ОМ | 1 ония @ 51V | 1,2 - @ 200 Ма | 68 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZT55A20-GS08 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 175 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2016 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 55ohm | ± 1% | 500 м | SOD-80 | 20 | 500 м | 55 ОМ | 100NA @ 15V | 1,5 - @ 200 Ма | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n969b-1 | Microsemi Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 | Чereз dыru | Чereз dыru | -65 ° C ~ 175 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Zener | В | 1999 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx1n973b1-datasheets-4283.pdf | DO-204AH, DO-35, OSEVOй | 2 | 17 | 2 | Проиод. | не | Ear99 | МАЙТАЛЛУРГИЕСКИС | Свине, олово | 8541.10.00.50 | ± 5% | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | MIL-19500/117 | 480 м | Проволока | Nukahan | 2 | Одинокий | Nukahan | 1 | Квалигированан | 22 | Иолирована | 500 м | Кремни | 22 | 5% | 5,6 мая | Zenereode | 29om | 500NA @ 17V | 1,1 - @ 200 Ма | ||||||||||||||
BZG05C47-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 90 м | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | R-PDSO-C2 | 47 В | Одинокий | Кремни | 47 В | 6,38% | 4 май | Zenereode | 90 м | 500NA @ 36V | 1,2 - @ 200 Ма | 47 В | |||||||||||||||||||
BZG05C10-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 7om | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 10 В | Одинокий | 25 май | Кремни | 10 В | 6% | Zenereode | 7om | 500NA @ 7V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C33-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 35om | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | R-PDSO-C2 | 33 В | Одинокий | Кремни | 33 В | 6,06% | 8 май | Zenereode | 35om | 500NA @ 24 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 33 В | |||||||||||||||||||
BZG05C51-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 115ohm | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 51 | Одинокий | 4 май | Кремни | 51 | 5,88% | Zenereode | 115ohm | 500NA @ 39V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C47-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 90 м | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 47 В | Одинокий | 4 май | Кремни | 47 В | 6,38% | Zenereode | 90 м | 500NA @ 36V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C20-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 24 ч | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 20 | Одинокий | 10 май | Кремни | 20 | 6% | Zenereode | 24 ч | 500NA @ 15V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C27-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 30 От | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | R-PDSO-C2 | 27 | Одинокий | Кремни | 27 | 7,04% | 8 май | Zenereode | 30 От | 500NA @ 20 a. | 1,2 - @ 200 Ма | 27 | |||||||||||||||||||
BZG05C24-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 25 ч | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 24 | Одинокий | 10 май | Кремни | 24 | 5,79% | Zenereode | 25 ч | 500NA @ 18V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
Jantx1n4983c | Microsemi Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/435 | Чereз dыru | -65 ° C ~ 175 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Zener | В | 2010 ГОД | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-1n4962-datasheets-2405.pdf | E, osevoй | 2 | Ear99 | 8541.10.00.50 | ± 2% | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | MIL-19500/356H | Не | Проволока | 2 | 1 | Квалигированан | O-Lalf-W2 | Одинокий | Иолирована | 5 Вт | Кремни | 5 Вт | 110В | 2% | 12ma | Zenereode | 125OM | 2 мкс При 83,6 | 1,5 - @ 1a | 110В | |||||||||||||||||||||||
BZG05C30-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 30 От | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 30 | Одинокий | 8 май | Кремни | 30 | 6,67% | Zenereode | 30 От | 500NA @ 22V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C24-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 25 ч | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | R-PDSO-C2 | 24 | Одинокий | Кремни | 24 | 5,79% | 10 май | Zenereode | 25 ч | 500NA @ 18V | 1,2 - @ 200 Ма | 24 | |||||||||||||||||||
BZG05C36-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 40 ч | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | R-PDSO-C2 | 36 | Одинокий | Кремни | 36 | 5,56% | 8 май | Zenereode | 40 ч | 500NA @ 27 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 36 | |||||||||||||||||||
BZG05C43-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 50 ОМ | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | R-PDSO-C2 | 43В | Одинокий | Кремни | 43В | 6,98% | 6ma | Zenereode | 50 ОМ | 500NA @ 33V | 1,2 - @ 200 Ма | 43В | |||||||||||||||||||
BZG05C22-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 25 ч | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 22 | Одинокий | 10 май | Кремни | 22 | 5,67% | Zenereode | 25 ч | 500NA @ 16V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C39-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 50 ОМ | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 39 | Одинокий | 6ma | Кремни | 39 | 5,13% | Zenereode | 50 ОМ | 500NA @ 30V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C43-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 50 ОМ | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 43В | Одинокий | 6ma | Кремни | 43В | 6,98% | Zenereode | 50 ОМ | 500NA @ 33V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C16-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 15ohm | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 16 | Одинокий | 15 май | Кремни | 16 | 5,56% | Zenereode | 15ohm | 500NA @ 12V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C12-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 9ohm | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | R-PDSO-C2 | 12 | Одинокий | Кремни | 12 | 5,39% | 20 май | Zenereode | 9ohm | 500NA @ 9.1V | 1,2 - @ 200 Ма | 12 | |||||||||||||||||||
BZT55A9V1-GS08 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 175 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 2 | 10ohm | Ear99 | Унихкин | НЕИ | 8541.10.00.50 | ± 1% | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 500 м | Кони | Охрнут | 2 | 1 | Н.Квалиирована | O-LELF-R2 | 9.1V | Одинокий | Иолирована | Кремни | 9.1V | 1% | 5 май | Zenereode | 10ohm | 100na @ 6,8 | 1,5 - @ 200 Ма | 9.1V | |||||||||||||||||||||
BZG05C22-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 25 ч | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | R-PDSO-C2 | 22 | Одинокий | Кремни | 22 | 5,67% | 10 май | Zenereode | 25 ч | 500NA @ 16V | 1,2 - @ 200 Ма | 22 | |||||||||||||||||||
BZG05C15-HE3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 15ohm | Ear99 | Вес | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | МАГОВОЙ | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 15 | Одинокий | 15 май | Кремни | 15 | Zenereode | 15ohm | 500NA @ 11V | 1,2 - @ 200 Ма | ||||||||||||||||||||
BZG05C56-E3-TR3 | Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 150 ° С | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Zener | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | DO-214AC, SMA | 2 | 20 | 2 | 120 м | Ear99 | Вес | Оло | 8541.10.00.50 | ± 5% | E3 | ОДНОАНАПРАВЛЕННА | 1,25 Вт | Дон | C Bend | 260 | 30 | 1 | 500NA | 56 | Одинокий | 4 май | Кремни | 56 | 7,14% | Zenereode | 120 м | 500NA @ 43V | 1,2 - @ 200 Ма |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.