Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС индивидуальных коммутаторов и мультиплексоров(11395)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | -3 дБ Пропускная способность | Уровень скрининга | Частота испытаний | Выходное напряжение | Выходной ток | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки отключения | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Вносимая потеря (дБ) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Количество входов | Выход | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выхода-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Максимальный ток сигнала | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи | Напряжение питания, двойное (В±) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное соглашение (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74AHCT1G66GV,125 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-74ahc1g66gw125-datasheets-5109.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 5В | Без свинца | 75 мА | 5 | 4 недели | 5,5 В | 4,5 В | 22Ом | 5 | Нет | 1 | 75 мА | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 74AHCT1G66 | 5 | 1 | 30 | 250мВт | 280 МГц | СПСТ | 10 нс | 11 нс | Одинокий | 1 | 22Ом | 50 дБ | 1:1 | 4,5 В~5,5 В | СПСТ - НЕТ | 100нА | 10пФ | 11нс, 11нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74АХК1Г66ГВ,125 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-74ahc1g66gw125-datasheets-5109.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 5В | Без свинца | 75 мА | 5 | 4 недели | 5,5 В | 2В | 22Ом | 5 | Нет | 1 | 75 мА | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 74AHC1G66 | 5 | 1 | 30 | 250мВт | 280 МГц | СПСТ | 35 нс | 35 нс | Одинокий | 1 | 22Ом | 50 дБ | 1:1 | 2В~5,5В | СПСТ - НЕТ | 100нА | 10пФ | 11нс, 11нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG212DJ+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 20 мкА | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-dg202cse-datasheets-5946.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19 175 мм | 7,62 мм | 400 мкА | 16 | 6 недель | 18В | 4,5 В | 175Ом | 16 | да | EAR99 | Нет | 4 | 20 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 842 МВт | 260 | 15 В | ДГ212 | 16 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 4 | СПСТ | 1 мкс | 500 нс | 18В | Двойной | 4,5 В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 175Ом | 70 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 1000 нс | НЕТ | 1:1 | СПСТ - НЕТ | ±4,5 В~18 В | 5нА | 5пФ 5пФ | 1 мкс, 500 нс | -90 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC4066AFT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 4 | 37Ом | 1:1 | 2В~5,5В | СПСТ - НЕТ | 100нА | 5,5 пФ | 12нс, 12нс | 5 Ом | -45 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HC4053D(БЖ) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 3 | 200 МГц | 100Ом | 2:1 | 2В~6В | 100нА | 5пФ | 38нс, 38нс | 5 Ом (тип.) | -50 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS5A4597DCKR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10нА | Соответствует ROHS3 | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | 450 МГц | Без свинца | 250 нА | 5 | 6 недель | 2,494758 мг | 5,5 В | 2В | 8Ом | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | EAR99 | Нет | 1 | 10нА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | TS5A4597 | 5 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | СПСТ | 17 нс | 14 нс | Одинокий | ОБЩИЙ ВЫХОД | 8Ом | 85 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 30 нс | Северная Каролина | 1:1 | 2В~5,5В | СПСТ - НК | 500пА | 6,5пФ 6,5пФ | 17нс, 14нс | 2 шт. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГ5123ДТР | СТМикроэлектроника | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 50нА | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stg5123dtr-datasheets-2020.pdf | 6-УФДФН | Без свинца | 100нА | 6 | 4,5 В | 1,65 В | 1,2 Ом | 6 | NRND (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 50нА | 1,12 Вт | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,4 мм | СТГ5123 | 6 | 1 | 1,12 Вт | Мультиплексор или коммутаторы | 150 МГц | 40 нс | 29 нс | Одинокий | 2 | 1 | 1,2 Ом | 75 дБ | 0,06 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,5 В | SPDT | 20нА | 25пФ | 28нс, 21нс | 33ПК | 50 м Ом | -80 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC1G3157GN,132 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 мкА | 0,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-74lvc1g3157gm115-datasheets-3964.pdf | 6-XFDFN | Без свинца | 6 | 13 недель | 5,5 В | 1,65 В | 15Ом | 6 | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | НИЖНИЙ | 2,7 В | 0,3 мм | 74LVC1G3157 | 6 | 2 | 250мВт | 1 | 300 МГц | Демультиплексор, демультиплексор, мультиплексор, мультиплексор | 3 нс | Одинокий | 2 | 10Ом | 42 дБ | 5нс | 2:1 | 1,65 В~5,5 В | SPDT | 5мкА | 6пФ | 4нс, 3,5нс | 7,5 ПК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДГ513БНЗ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,33 мм | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adg513brz-datasheets-6056.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20,13 мм | 7,62 мм | Содержит свинец | 1 мкА | 16 | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 30Ом | 16 | Параллельно | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 10 мкВт | НЕПРИГОДНЫЙ | 5В | АДГ513 | 16 | 4 | НЕПРИГОДНЫЙ | 10 мкВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | MIL-STD-883 | СПСТ | 375 нс | 150 нс | 5,5 В | 5В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -5В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 30 Ом, тип. | 68 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 3В~5,5В ±4,5В~5,5В | 1:1 | СПСТ - НО/НЗ | 100пА | 9пФ 9пФ | 200 нс, 120 нс (тип.) | 11 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NLAS5157MUTCG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100нА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-nlas5157mutcg-datasheets-1947.pdf | 6-УФДФН | 1,45 мм | 500 мкм | 1 мм | 3В | Без свинца | 6 | 6 недель | 4,3 В | 1,65 В | 350мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Золото | Нет | 1 | е4 | Неинвертирующий | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | 0,5 мм | НЛАС5157 | 6 | Мультиплексор или коммутаторы | 36 МГц | 30 нс | 18 нс | Одинокий | 2 | 1 | 500мОм | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,5 В | SPDT | 47пФ | 40 нс, 25 нс | 38ПК | 80 м Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДГ781БЦПЗ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adg781bcpzreel7-datasheets-3813.pdf | 20-WFQFN Открытая колодка, CSP | 4,1 мм | 750 мкм | 4,1 мм | 200 МГц | Содержит свинец | 1 мкА | 20 | 8 недель | Нет СВВК | 5,5 В | 1,8 В | 4Ом | 20 | Параллельно | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ 5 В. | Олово | 4 | е3 | Неинвертирующий | 5мкВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | АДГ781 | 20 | 4 | 40 | 5мкВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | Не квалифицирован | СПСТ | 11 нс | 6 нс | 30 мА | 4Ом | 58 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12нс | Северная Каролина | 1:1 | 1,8 В~5,5 В | СПСТ - НК | 100пА | 10пФ 10пФ | 11 нс, 6 нс (тип.) | 3 шт. | -90 дБ @ 10 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ405БДИ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg403bdye3-datasheets-4860.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | 500 мкА | 16 | 13 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 55Ом | 16 | да | неизвестный | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | ДГ405 | 16 | 2 | ДПСТ | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 150 нс | 100 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | 45Ом | 72 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 1:1 | СПСТ - НЕТ | ±15 В | 500пА | 12пФ 12пФ | 150 нс, 100 нс | 60ПК | -94,8 дБ на 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STG4210QTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 50нА | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stg4210qtr-datasheets-1946.pdf | 10-UFQFN | 1,8 мм | 3В | 50нА | 10 | 4,3 В | 1,65 В | 2,9 Ом | 10 | Нет | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,12 Вт | КВАД | 260 | 1,8 В | 0,4 мм | СТГ4210 | 10 | 1 | 1,12 Вт | Мультиплексор или коммутаторы | 1,8/4 В | 58 МГц | СПСТ | 120 нс | 45 нс | Одинокий | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 1,3 Ом | 66 дБ | 0,03 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 40 нс | 90 нс | НЕТ | 1:1 | 1,65 В~4,3 В | СПСТ - НЕТ | 100нА | 85пФ | 55 нс, 30 нс | 49ПК | 10 м Ом | -72 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ЛВК2Г66ГН,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/nexperiausainc-74lvc2g66dc125-datasheets-5961.pdf | 8-XFDFN | 13 недель | совместимый | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | 500 МГц | 10Ом | 1:1 | 1,65 В~5,5 В | СПСТ - НЕТ | 5мкА | 5пФ | 3,9 нс, 5 нс | 7,5 ПК | -56 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛАС5213АМУТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1 мкА | 0,55 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-nlas5213amutag-datasheets-1996.pdf | 8-УФДФН | 3В | Без свинца | 8 | 14 недель | 4,5 В | 1,65 В | 1,3 Ом | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,4 мм | НЛАС5213 | 8 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | 496 МГц | ДПСТ | 20 нс | 15 нс | Одинокий | 2 | 1,3 Ом | 57 дБ | 0,16 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,5 В | ДПСТ - НЕТ | 19пФ | 20 нс, 15 нс | 150 м Ом | -97 дБ при 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVC2G53DCTRE4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74lvc2g53dctre4-datasheets-9749.pdf | 8-LSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) | Без свинца | 1 мкА | 8 | 23,388357мг | 5,5 В | 1,65 В | 13Ом | 8 | EAR99 | Золото | 1 | е4 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,3 В | 0,65 мм | 74LVC2G53 | 8 | 2 | НЕ УКАЗАН | Мультиплексоры или коммутаторы | 3,3 В | 1 | Не квалифицирован | 300 МГц | 10,3 нс | 9,4 нс | 600 пс | Одинокий | 2 | 50 мА | 50 мА | 13Ом | 50 дБ | 5Ом | 7,9 нс | 2:1 | 1,65 В~5,5 В | SPDT | 100нА | 10пФ | 4,5 нс, 8 нс | 2 Ом (макс.) | -58 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛАС5223CMUTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nlas5223clmutag-datasheets-7626.pdf | 10-UFQFN | Без свинца | 4 недели | 350мОм | 10 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2 | 24 МГц | 350мОм | 2:1 | 1,65 В~4,5 В | SPDT | 5нА | 60пФ | 50 нс, 30 нс | 38ПК | 50 м Ом (макс.) | -70 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХВ2722/Р4Х | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | HVCMOS | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-hv2621r4x-datasheets-3962.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 12 недель | 16 | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 5В | 0,5 мм | 5,5 В | 1 | 1 | S-XQCC-N64 | 30Ом | 55 дБ | 2,4 Ом | 6000 нс | 6000 нс | 1:1 | 3В~5,5В | СПСТ | 15 мкА | 10пФ | 6 мкс, 6 мкс | 1000ПК | 1,5 Ом | -70 дБ при 5 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГ3155ДТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 50нА | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stg3155dtr-datasheets-1964.pdf | 6-УФДФН | 50нА | 6 | 4,3 В | 1,65 В | 600мОм | 6 | да | 2-КАНАЛЬНЫЙ МУКС/ДЕМУКС | 1 | 1 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,12 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | СТГ3155 | 6 | 1 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | Не квалифицирован | 70 МГц | 4,3 В | 200 мА | 55 нс | 30 нс | Одинокий | 600мОм | 74 дБ | 0,017Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 20нА | 6,6 пФ | 55 нс, 30 нс | 53ПК | 21 м Ом | -72 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SBL66CFU,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 12 недель | 1 | 18Ом | 1:1 | 1,65 В~3,6 В | СПСТ - НК | 1 мкА | 3,5 пФ | 6нс, 6нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG202DY+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-dg202cse-datasheets-5946.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 15 В | Без свинца | 400 мкА | 16 | 6 недель | 200,686274мг | 25 В | 200Ом | 16 | да | EAR99 | Нет | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 696мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ202 | 16 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | 4 | СПСТ | 600 нс | 450 нс | 18В | 15 В | Двойной | 4,5 В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 200Ом | 70 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 1:1 | СПСТ - НЕТ | ±4,5 В~18 В | 5нА | 5пФ 5пФ | 600 нс, 450 нс | 20 шт. | -90 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДГ782БЦПЗ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adg781bcpzreel7-datasheets-3813.pdf | 20-WFQFN Открытая колодка, CSP | 4,1 мм | 750 мкм | 4,1 мм | 200 МГц | Содержит свинец | 1 мкА | 20 | 8 недель | 5,5 В | 1,8 В | 4Ом | 20 | Параллельно | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 4 | 1 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 5мкВт | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | АДГ782 | 20 | 1 | 40 | 5мкВт | 11 нс | 6 нс | 4 | 4Ом | 58 дБ | 0,1 Ом | 12нс | 1:1 | 1,8 В~5,5 В | СПСТ - НЕТ | 100пА | 10пФ 10пФ | 11 нс, 6 нс (тип.) | 3 шт. | -90 дБ @ 10 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4623CPE+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-max4622ese-datasheets-0537.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19 175 мм | 16 | 6 недель | да | EAR99 | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 260 | 15 В | МАКС4623 | 16 | 2 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т16 | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 5Ом | 62 дБ | 0,25 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 4,5 В~36 В ±4,5 В~18 В | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | 500пА | 34пФ 34пФ | 250 нс, 200 нс | 480ПК | 250 м Ом | -60 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХВ2721/Р4Х | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | HVCMOS | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-hv2621r4x-datasheets-3962.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | 16 | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 5В | 0,5 мм | 5,5 В | 1 | 1 | S-XQCC-N64 | 30Ом | 55 дБ | 2,4 Ом | 6000 нс | 6000 нс | 1:1 | 3В~5,5В | СПСТ | 15 мкА | 10пФ | 6 мкс, 6 мкс | 1000ПК | 1,5 Ом | -70 дБ при 5 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG413DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg413dqt1e3-datasheets-3810.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | Без свинца | 1 мкА | 16 | 12 недель | 1,627801г | Неизвестный | 36В | 13В | 35Ом | 16 | да | Нет | 4 | 100пА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 265 | 15 В | ДГ413 | 16 | 1 | 40 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | СПСТ | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 25Ом | 68 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 220 нс | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НО/НЗ | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS11P2TLRQ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-as11p2tlrq-datasheets-1895.pdf | 6-УФДФН | 1,25 мм | 500 мкм | 1,05 мм | Без свинца | 1 мкА | 21,092045мг | Нет СВВК | 4,5 В | 1,65 В | 1,2 Ом | 6 | NRND (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | Золото | 1,12 Вт | НЕ УКАЗАН | АС11П2 | НЕ УКАЗАН | 1,12 Вт | 150 МГц | 28 нс | 21 нс | Одинокий | 2 | 1 | 1,2 Ом | 2:1 | 1,65 В~4,5 В | SPDT | 20нА | 25пФ | 28нс, 21нс | 33ПК | 50 м Ом | -80 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADG5412BFBCPZ-RL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adg5413bfbruz-datasheets-6450.pdf | 16-WQFN Открытая колодка, CSP | 160 МГц | Без свинца | 16 | 26 недель | 44В | 8В | 11,5 Ом | 16 | Параллельно | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | 4 | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 15 В | 0,65 мм | АДГ5412 | 16 | 1 | 30 | 1мВт | 4 | 270 МГц | 1 МГц | 22В | 5В | -15В | -0,6 дБ | 11,5 Ом | 0,05 Ом | 8В~44В ±5В~22В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 12пФ 11пФ | 500 нс, 515 нс | -640пК | 50 м Ом | -90 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ407ДН-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg406dnt1e3-datasheets-9986.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 15 В | 500 мкА | 28 | 12 недель | 1,182714г | 44В | 7,5 В | 100Ом | 28 | да | неизвестный | 1 | 50 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 450мВт | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 15 В | ДГ407 | 28 | 8 | 40 | 450мВт | 2 | Не квалифицирован | 600 нс | 300 нс | 20 В | Мультиплексор | 350 нс | Двойной, Одинарный | 5В | -15В | 16 | 100Ом | 50Ом | 69 дБ | 5Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 400 нс | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 0,03 А | 8:1 | 500пА | 8пФ 65пФ | 200 нс, 150 нс | 15 шт. | 5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ407БДН-Э3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg406bdnt1e3-datasheets-9186.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 15 В | Без свинца | 500 мкА | 28 | 12 недель | 1,182714г | 36В | 7,5 В | 100Ом | 28 | да | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 450мВт | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 15 В | ДГ407 | 28 | 8 | 40 | 450мВт | 2 | Не квалифицирован | 125 нс | 94 нс | 20 В | Мультиплексор | 163 нс | Двойной, Одинарный | 5В | -15В | 16 | 60Ом | 86 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 0,03 А | 8:1 | 500пА | 6пФ 54пФ | 107 нс, 88 нс | 11 шт. | 3 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG412DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg413dqt1e3-datasheets-3810.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | Без свинца | 1 мкА | 16 | 12 недель | 1,627801г | Неизвестный | 36В | 13В | 35Ом | 16 | да | Нет | 4 | 100пА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 265 | 15 В | ДГ412 | 16 | 1 | 40 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | СПСТ | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 35Ом | 68 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 220 нс | НЕТ | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц |
