Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС индивидуальных коммутаторов и мультиплексоров(11395)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки отключения | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Количество входов | Выход | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Переключение | Время выхода-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Схема мультиплексора/демультиплексора | Схема переключателя | Напряжение питания, двойное (В±) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное соглашение (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДГ200ААК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg200aaa883-datasheets-7600.pdf | 14-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,56 мм | 3,94 мм | 7,62 мм | 15 В | 2мА | 16 недель | 1.200007г | 36В | 13В | 70Ом | 14 | 825 МВт | 2 | 825 МВт | 2 | 14-ЦЕРДИП | 1 мкс | 425 нс | 22В | 15 В | Двойной | 7В | 2 | 2 | 70Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 2нА | 9пФ 9пФ | 440 нс, 340 нс | -10ПК | -90 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ184АП/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg183bp-datasheets-7574.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 | 30Ом | 16 | нет | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 16 | 900мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицированный | 18В | 10 В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 30Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ181АА | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg180aa-datasheets-7546.pdf | ТО-100-10 Металлическая банка | 9,4 мм | 4,7 мм | 9,4 мм | 15 В | 1,5 мА | 30Ом | 10 | 450мВт | 2 | 450мВт | 2 | ТО-100-10 | 150 нс | 130 нс | 18В | 15 В | Двойной | 10 В | 2 | 2 | 30Ом | 30Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ181АА/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-dg180aa-datasheets-7546.pdf | ТО-100-10 Металлическая банка | 30Ом | 10 | Да | 2 | 450мВт | 2 | ТО-100-10 | 18В | 10 В | 2 | 2 | 30Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ444БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,08 мм | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg444bdj-datasheets-7580.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20,13 мм | 7,62 мм | 1 мкА | 16 | 36В | 13В | 80Ом | 16 | нет | неизвестный | 4 | е0 | 470мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ444 | 16 | 1 | НЕ УКАЗАН | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | 300 нс | 200 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 80Ом | 90 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | -95 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ184АП/883Л | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg183bp-datasheets-7574.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 недель | 30Ом | 16 | Нет | 2 | 16-ДИП | 30Ом | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG309CJ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg309dy-datasheets-7535.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 | нет | неизвестный | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 15 В | 16 | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 4 | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т16 | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 60Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 200 нс | Северная Каролина | 4В~44В ±4В~22В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 200 нс, 150 нс | 1 шт. | 1,7 Ом | -95 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ186АП/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg186ap883-datasheets-7590.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | 10Ом | 14 | нет | Да | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 14 | 825 МВт | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | Не квалифицированный | 38535К/М;38534Х;883Б | 18В | 10 В | 2 | 10Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | SPDT | ±15 В | 10нА | 21пФ 17пФ | 400 нс, 200 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ184АП | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg183bp-datasheets-7574.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,08 мм | 3,05 мм | 7,87 мм | 15 В | 3мА | 16 | 12 недель | 1,627801г | 30Ом | 16 | нет | Да | неизвестный | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 900мВт | 16 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицированный | 150 нс | 130 нс | 18В | 15 В | Двойной | 10 В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 30Ом | 30Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ445ДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg445dy-datasheets-7564.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 | 8 недель | нет | неизвестный | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 16 | Мультиплексор или коммутаторы | 512/+-15В | 4 | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т16 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 5В~36В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 4пФ 4пФ | 250 нс, 210 нс | -1ПК | -100 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ200БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg200bdje3-datasheets-2765.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,3 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 50 мкА | 14 | 8 недель | 1,620005г | Неизвестный | 36В | 13В | 85Ом | 14 | нет | Нет | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 470мВт | 15 В | 14 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 1 мкс | 425 нс | 22В | 15 В | Двойной | 7В | -15В | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 70Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 1000 нс | Северная Каролина | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 2нА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ190АП/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg190ap883-datasheets-7597.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 30Ом | 16 | 2 | 900мВт | 2 | 16-ДИП | 18В | 10 В | 4 | 4 | 30Ом | 2:1 | SPDT | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ200ААА/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg200aaa883-datasheets-7600.pdf | ТО-100-10 Металлическая банка | 36В | 13В | 70Ом | 10 | 2 | 450мВт | 2 | ТО-100-10 | 22В | 7В | 2 | 2 | 70Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 2нА | 9пФ 9пФ | 440 нс, 340 нс | -10ПК | -90 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ190АП | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg190ap883-datasheets-7597.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 15 В | Без свинца | 1,5 мА | 30Ом | 16 | 600 мкА | 900мВт | 2 | 900мВт | 2 | 16-ДИП | 180 нс | 150 нс | 18В | 15 В | Двойной | 10 В | 4 | 4 | 30Ом | 30Ом | 2:1 | SPDT | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ181АП | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg180aa-datasheets-7546.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,56 мм | 3,05 мм | 7,87 мм | 15 В | 1,5 мА | 14 недель | 1,620005г | 30Ом | 14 | неизвестный | 825 МВт | 825 МВт | Не квалифицированный | 150 нс | 130 нс | 18В | 15 В | Двойной | 10 В | 2 | 30Ом | 30Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ180АП | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg180aa-datasheets-7546.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,56 мм | 3,05 мм | 7,87 мм | 15 В | 1,5 мА | 1,620005г | 10Ом | 14 | 825 МВт | 2 | 14-ДИП | 400 нс | 200 нс | 15 В | Двойной | 10Ом | 10Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 10нА | 21пФ 17пФ | 400 нс, 200 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ444ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg445dy-datasheets-7564.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 8 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 85Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 16 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 512/+-15В | 250 нс | 140 нс | 22В | 20 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 5В~36В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 4пФ 4пФ | 250 нс, 140 нс | -1ПК | -100 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ183БП | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg183bp-datasheets-7574.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 15Ом | 16 | Да | 2 | 16-ДИП | 18В | 10 В | 15Ом | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 15нА | 21пФ 17пФ | 600 нс, 220 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ417ДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg417dyt1e3-datasheets-1245.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,92 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 8 | 8 недель | 930,006106мг | 36В | 13В | 35Ом | 8 | нет | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 400мВт | 2,54 мм | 8 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 1 | 35Ом | 20мОм | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 8пФ 8пФ | 175 нс, 145 нс | 60ПК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ417ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg417dyt1e3-datasheets-1245.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 8 | 540,001716мг | 36В | 13В | 35Ом | 8 | нет | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 1 | 35Ом | 20мОм | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 8пФ 8пФ | 175 нс, 145 нс | 60ПК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ413ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg413dj-datasheets-7502.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 12 недель | 665,986997мг | Нет СВХК | 36В | 13В | 35Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 16 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 35Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 250 нс | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НО/НЗ | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ309ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg309dy-datasheets-7535.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 В | 10 мкА | 16 | 36В | 13В | 85Ом | 16 | нет | неизвестный | 4 | 1нА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 1,27 мм | 16 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | 200 нс | 150 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 4В~44В ±4В~22В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 200 нс, 150 нс | 1 шт. | 1,7 Ом | -95 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ442ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/vishaysiliconix-dg442dyt1-datasheets-7418.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 100 мкА | 16 | 6 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 85Ом | 16 | нет | неизвестный | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 1,27 мм | 16 | 4 | 900мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | СПСТ | 250 нс | 120 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 85Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 4пФ 4пФ | 250 нс, 210 нс | -1ПК | 4 Ом (макс.) | -100 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ419ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/vishaysiliconix-dg417dyt1e3-datasheets-1245.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Содержит свинец | 1 мкА | 8 | 540,001716мг | Нет СВХК | 36В | 13В | 35Ом | 8 | нет | Нет | 1 | 1нА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 2 | 1 | 35Ом | 35Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12 В ± 15 В | 2:1 | SPDT | 250пА | 8пФ 8пФ | 175 нс, 145 нс | 60ПК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ180АА | Вишай Силиконикс | 145,75 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg180aa-datasheets-7546.pdf | ТО-100-10 Металлическая банка | 9,4 мм | 4,7 мм | 9,4 мм | 15 В | 1,5 мА | 10Ом | 450мВт | 2 | ТО-100-10 | 400 нс | 200 нс | 15 В | Двойной | 10Ом | 10Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 10нА | 21пФ 17пФ | 400 нс, 200 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD7511DISQ/883B | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,08 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/analogdevicesinc-ad7511diknz-datasheets-2532.pdf | 16-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,05 мм | 7,62 мм | 15 В | Содержит свинец | 800 мкА | 16 | 100Ом | 16 | Параллельно | нет | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ | Свинец, Олово | не_совместимо | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | Неинвертирующий | НЕТ | 450мВт | НЕПРИГОДНЫЙ | 15 В | AD7511 | 16 | 1 | НЕПРИГОДНЫЙ | 24 МВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | MIL-STD-883 Класс B | 1 мкс | 1 мкс | 17В | 15 В | Двойной | -15В | 50 мА | 4 | 100Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 1000 нс | 1000 нс | Северная Каролина | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 5нА | 8пФ 1пФ | 350 нс, 180 нс (тип.) | 30 шт. | 1 Ом (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ411ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/vishaysiliconix-dg413dj-datasheets-7502.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 8 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 35Ом | 16 | нет | Свинец, Олово | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 16 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 30 мА | 4 | 35Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 250 нс | Северная Каролина | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ441ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg442dyt1-datasheets-7418.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 100 мкА | 16 | 665,986997мг | 36В | 13В | 85Ом | 16 | нет | неизвестный | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 1,27 мм | 16 | 900мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | 250 нс | 120 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 85Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 4пФ 4пФ | 220 нс, 120 нс | -1ПК | 4 Ом (макс.) | -100 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ445ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg445dy-datasheets-7564.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 4 | 640мВт | 4 | 16-СОИК | 85Ом | 85Ом | 5В~36В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 4пФ 4пФ | 250 нс, 210 нс | -1ПК | -100 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ181АП/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg180aa-datasheets-7546.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 30Ом | 14 | Да | 2 | 825 МВт | 2 | 14-ДИП | 18В | 10 В | 2 | 2 | 30Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс |
