Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактАналоговина
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодел | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Ведота Сидрит (МАКС) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | Проспна | СОУДНО ПРИОН | МАКСИМАЛНГОН | Колист | Верна - | МАССА | DOSTIчH SVHC | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | СОПРОТИВЛЕЙН | Колист | Имен | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | Н. | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Полаяня | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | PoSta | Posta | Колист. Каналов | Аналогово | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Постка -тока Макс (ISUP) | Колист | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | -3db polosы propypuskanya | Колист | Бросит Коунфигура | В. | Otklючitath -map зaderжki | МАКСИМАЛИНА | ДОГОВОЙ ПЕРЕЙН | Logiчeskayavy | Я | ТИПП | Мин | Отель | Вес | Веса | Power Dissipation-Max | Колист | Wshod | Utheчs k soprotivoleneю yastoчnika | Ведь господство | СОПРЕТИВЛЕВЕР | Псевдон | Otklючitath wremary-maks | Отель | Отель | Верна | № | Сингал ТОК-МАКС |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HI9P0509-5Z96 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 75 ° С | 0 ° С | CMOS | 1,5 мая | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hi9p05095z96-datasheets-7745.pdf | SOIC | 15 | 16 | 25 В | 400om | Не | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Крхлоп | 15 | Коммер | 1 | 2,4 мая | 250 млн | 250 млн | 22 | Мультипрор | Дон | 10 В | -15V | Брео | 0,02а | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL84581IAZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 2 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 7 Мка | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/intersil-isl84581iazt-datasheets-6686.pdf | QSOP | 4,89 мм | 3,9 мм | 9в | 7 Мка | 16 | 7 | 12 | 2в | 180om | 16 | Не | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Крхлоп | 5в | 0,635 мм | Промлэнно | 1 | 100 млн | 50 млн | 6в | Мультипрор | 60 млн | Dvoйnoй, хoloyp | 2в | -5V | 92 ДБ | 1,3 О | Брео | 40ns | -5,5 В. | -4,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL43L840ir | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | МАССА | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 50NA | 1 ММ | В | 2004 | /files/intersil-isl43l840ir-datasheets-6646.pdf | 3 ММ | 3 ММ | СОДЕРИТС | 16 | 750 МОСТ | 16 | not_compliant | 1 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | NeT -lederStva | 240 | 2,7 В. | 0,5 мм | 16 | Промлэнно | 3,6 В. | 1,6 В. | 4 | Deferenцialnый mamhulypleksor | Nukahan | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 1,8/3V | Н.Квалиирована | 2 | 4pst | Демольтиплекзер, мультипрор | Одинокий | 65 ДБ | 0,12 л | Брео | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL84467IVZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 150NA | 1,2 ММ | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl84467ivzt-datasheets-6339.pdf | TSSOP | 5 ММ | 4,4 мм | 150NA | 16 | 4 neDe | 4,5 В. | 1,65 В. | 400 м | 16 | Не | 8542.39.00.01 | 4 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 1,8 В. | 0,65 мм | Промлэнно | 1 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 1,8/4,3 В. | SPDT | 34 м | 18 млн | Одинокий | Отджн | 65 ДБ | Брео | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54064IRTZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 20NA | 0,8 мм | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl54064IRTZT-Datasheets-4120.pdf | 3 ММ | 3 ММ | 100NA | 10 | 6 | 6,5 В. | 1,8 В. | 550moh | 10 | Не | 8542.39.00.01 | 2 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | 260 | 3В | 0,5 мм | Промлэнно | 1 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 1,8/5. | Spst | 35 м | 10 млн | Одинокий | Отджн | 60 дБ | 0,03 ОМ | Брео | Сэро -апад | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL84052IVZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 1 Млокс | 1,2 ММ | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl84052ivz-datasheets-3503.pdf | TSSOP | 5 ММ | 9в | 1 Млокс | 16 | 7 | 12 | 2в | 225OM | 16 | Видо | Не | 2 | E3 | МАНЕВОВО | Крхлоп | 260 | 5в | 0,65 мм | Промлэнно | 4 | Deferenцialnый mamhulypleksor | 30 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 3/5/+-5 В. | 180 млн | 100 млн | 6в | Демольтиплекзер, мультипрор | 75 м | Dvoйnoй, хoloyp | 2в | -5V | 90 ДБ | 6ohm | Брео | 50NS | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL84053IAZ-T7A | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 2 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 1 Млокс | 1,73 мм | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/intersil-isl84053iazt7a-datasheets-2963.pdf | QSOP | 4,89 мм | 3,9 мм | 1 Млокс | 16 | 3 nede | 12 | 2в | 225OM | 16 | Видо | Не | 8542.39.00.01 | 3 | E3 | МАНЕВОВО | Крхлоп | 260 | 5в | 0,635 мм | Промлэнно | 1 | SPDT | 30 | 50 млн | 40 млн | 6в | 5в | Демольтиплекзер, мультипрор | Dvoйnoй, хoloyp | 2в | -5V | 90 ДБ | 6ohm | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HI1-5047-5 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 75 ° С | 0 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hi150475-datasheets-2766.pdf | Постепок | СОДЕРИТС | 16 | 75ohm | 1 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 15 | 2,54 мм | 16 | Коммер | 4 | 4pst | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | Н.Квалиирована | 1 | Дон | -15V | Отджн | 80 дБ | 2 О | Брео | 500NS | 500NS | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL84052IBZ-T7A | Intersil (Renesas Electronics America) | $ 0,96 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 3 (168 чASOW) | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 1 Млокс | 1,75 мм | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/intersil-isl84052ibzt7a-datasheets-2677.pdf | SOIC | 9,9 мм | 3,9 мм | 9в | 1 Млокс | 16 | 7 | 12 | 2в | 225OM | 16 | Видо | Не | 2 | E3 | МАНЕВОВО | Крхлоп | 260 | 5в | 1,27 ММ | Промлэнно | 4 | Deferenцialnый mamhulypleksor | 30 | 180 млн | 100 млн | 6в | Демольтиплекзер, мультипрор | 75 м | Dvoйnoй, хoloyp | 2в | -5V | 90 ДБ | 6ohm | 50NS | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL84051IBZ-T7A | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 1 Млокс | 1,75 мм | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/intersil-isl84051ibzt7a-datasheets-5961.pdf | SOIC | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | 8 | 60om | 16 | в дар | Видо | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Крхлоп | 260 | 5в | 1,27 ММ | 16 | Промлэнно | 6в | 2в | 8 | ОДИНЕГНА МУЛИПЛЕКСОР | Nukahan | Демольтиплекзер, мультипрор | Dvoйnoй, хoloyp | -5V | 6ohm | -6V | -2V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL43240iaz | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | МАССА | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 10NA | 1,99 мм | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl43240az-datasheets-2288.pdf | SSOP | 7,2 мм | 5,29 мм | СОУДНО ПРИОН | 1 Млокс | 20 | 8 | 12 | 2в | 20:00 | 20 | Не | 4 | 1 Млокс | E3 | МАНЕВОВО | Крхлоп | 260 | 5в | 0,65 мм | Промлэнно | 1 | 30 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 3/12/+-5 В. | 4 | SPDT | 160 м | 65 м | 6в | Dvoйnoй, хoloyp | 2в | -5V | Отджн | 71 ДБ | 0,5 ОМ | Брео | 50NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL5423333IRTZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 6,5 мка | ROHS COMPRINT | 2010 ГОД | /files/Intersil-ISL542333333IRTZT-datasheets-1692.pdf | 3 ММ | -50 мкм | 3 ММ | 3В | 1,6 -е | 8 мка | 12 | 6 | 50.008559mg | 4,6 В. | 2,7 В. | 15ohm | 12 | Ошибка | Не | 1 | Квадран | 3В | 0,5 мм | 12 | Промлэнно | 1 | Мультипрор | 250 ps | Одинокий | 32 ДБ | 0,07 ОМ | Брео | 0,04а | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL5423333IRTZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 6,5 мка | ROHS COMPRINT | 2010 ГОД | /files/Intersil-ISL54233333IRTZ-datasheets-1431.pdf | 3 ММ | -50 мкм | 3 ММ | 3В | 1,6 -е | 8 мка | 12 | 5 nedely | 50.008559mg | 4,6 В. | 2,7 В. | 15ohm | 12 | Ошибка | Не | 1 | Квадран | 3В | 0,5 мм | 12 | Промлэнно | 1 | Мультипрор | 250 ps | Одинокий | 32 ДБ | 0,07 ОМ | Брео | 0,04а | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL43640IRZ-T7A | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | 100pa | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl43640irzt7a-datasheets-1126.pdf | Qfn | 50 ОМ | 4 | 175 м | 65 м | Демольтиплекзер, мультипрор | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HI3-0518-5Z | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 75 ° С | 0 ° С | CMOS | 18ma | 5,33 ММ | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hi305185z-datasheets-1069.pdf | PDIP | 7,62 мм | 15 | 18 | 750 м | 18 | Nanastraivoshapy kak 8-kanalnый odnokonnennenтntnый mux | 1 | E3 | МАГОВОЙ | Nukahan | 15 | 2,54 мм | 18 | Коммер | 1 | Nukahan | Н.Квалиирована | 175 м | 175 м | Мультипрор | Дон | -15V | 540 м | 45 ДБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54062IRUZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 20NA | 0,55 мм | ROHS COMPRINT | 2008 | /files/intersil-isl54062iruzt-datasheets-0839.pdf | 1,8 ММ | 100NA | 10 | 7 | 6,5 В. | 1,8 В. | 550moh | 10 | Не | 2 | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | Квадран | 3В | 0,4 мм | Промлэнно | 1 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 1,8/5. | 2 | 60 мг | SPDT | 35 м | 16 млн | Одинокий | Отджн | 60 дБ | 0,03 ОМ | Брео | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411DJ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 100pa | В | 1999 | /files/intersil-dg411dj-datasheets-0799.pdf | Окунаан | СОДЕРИТС | 16 | 80 ч | 16 | not_compliant | 4 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 15 | 16 | Промлэнно | 1 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 512/+-15 | Н.Квалиирована | 4 | Spst | Dvoйnoй, хoloyp | -15V | Отджн | 35om | 68 ДБ | Брео | 175ns | Сэро -апад | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HI1-0509-4 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 85 ° С | -25 ° С | CMOS | 1,5 мая | 5,08 мм | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hi105094-datasheets-9762.pdf | Постепок | 7,62 мм | СОДЕРИТС | 16 | 400om | 1 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Nukahan | 15 | 2,54 мм | 16 | Drugoй | 4 | Nukahan | 2,4 мая | 1 | Н.Квалиирована | 4pst | Мультипрор | Дон | -15V | 68 ДБ | 9ohm | Брео | 0,02а | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HI1-0546-5 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 75 ° С | 0 ° С | CMOS | 500 мк | 5,92 мм | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hi105465-datasheets-8129.pdf | Постепок | 15,24 мм | СОДЕРИТС | 28 | 1,8 Кум | ЗAщITA OTPRENAPRAYNE | 8542.39.00.01 | 1 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Neprigodnnый | 15 | 2,54 мм | 28 | Коммер | 16 | Neprigodnnый | +-15V | 2MA | Н.Квалиирована | R-GDIP-T28 | Мультипрор | Дон | -15V | 68 ДБ | 126OM | Брео | 1000NS | 1000NS | 0,02а | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL849999IVZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 90NA | 1,2 ММ | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/Intersil-ISL84999999Ivzt-datasheets-7415.pdf | TSSOP | 5 ММ | СОУДНО ПРИОН | 90NA | 16 | 8 | 4,5 В. | 1,65 В. | 250 МО | 16 | Не | 4 | E3 | МАГОВОЙ | Дон | Крхлоп | 260 | 1,8 В. | 0,65 мм | Промлэнно | 1 | 40 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 4 | SPDT | 30 млн | 27 млн | Одинокий | Отджн | 68 ДБ | 0,04om | Брео | 58NS | 65NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54066IRTZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 85 ° С | -40 ° С | 30NA | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/Intersil-ISL540666666IRTZT-datasheets-6509.pdf | 100NA | 6,5 В. | 1,8 В. | 1 О | 10 | Не | Spst | 39 м | 27 млн | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54063IRTZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 20NA | 0,8 мм | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl54063irtzt-datasheets-6316.pdf | 3 ММ | 3 ММ | 100NA | 10 | 6 | 6,5 В. | 1,8 В. | 550moh | 10 | Не | 8542.39.00.01 | 2 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | 260 | 3В | 0,5 мм | Промлэнно | 1 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 1,8/5. | Spst | 35 м | 10 млн | Одинокий | Отджн | 60 дБ | 0,03 ОМ | Брео | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD74HC4066PWRG4 | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Лю | 1 (neograniчennnый) | 125 ° С | -55 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | TSSOP | 5 ММ | 1,15 мм | 4,4 мм | 200 мг | СОУДНО ПРИОН | 16 мка | 14 | 57.209338mg | 10 В | 2в | 70 м | 14 | ЗOLOTO | Не | 4 | E4 | Nerting | Дон | Крхлоп | 260 | 4,5 В. | 14 | ВОЗДЕЛАН | 1 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | Spst | 100 млн | 150 млн | Одинокий | 25 май | 25 май | 4 | 72 ДБ | 1 О | Зaщitnik | 30ns | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54064444IRUZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 20NA | 0,55 мм | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl5406444444iruzt-datasheets-5253.pdf | 1,8 ММ | 1,4 мм | 100NA | 10 | 7 | 6,5 В. | 1,8 В. | 550moh | 10 | Не | 8542.39.00.01 | 2 | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | Квадран | 260 | 3В | 0,4 мм | Промлэнно | 1 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 1,8/5. | Spst | 35 м | 10 млн | Одинокий | Отджн | 60 дБ | 0,03 ОМ | Брео | Сэро -апад | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL84714IHZ-T7A | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Весели | 2 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 18NA | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl84714ihzt7a-datasheets-5248.pdf&product=intersilrenesaselectronicsamerica-isl84714ihzt7a-11801162 | 2 ММ | СОУДНО ПРИОН | 350NA | 6 | 5 nedely | НЕИ | 3,6 В. | 1,65 В. | 600 м | 6 | Не | 1 | 18NA | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 1,8 В. | 706 | Промлэнно | 1 | SPDT | 7,5 млн | 2,9 млн | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG408DJZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 200 мк | 5,33 ММ | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-dg408djz-datasheets-4817.pdf | Окунаан | 7,62 мм | 28 | СОУДНО ПРИОН | 16 | 13 | НЕТ SVHC | 34В | 5в | 100ohm | 16 | Лейка | в дар | ТАКАБАТА -СЕБЕР | Не | 1 | 10 мк | E3 | МАНЕВОВО | 15 | 2,54 мм | 16 | Промлэнно | 8 | 2MA | 1 | DPST | 180 млн | 120 млн | 20 | Мультипрор | 250 млн | Dvoйnoй, хoloyp | 5в | -15V | 75 ДБ | 15ohm | Брео | 0,02а | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HI1-5043-5 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 75 ° С | 0 ° С | CMOS | 300 мк | 5,08 мм | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hi150435-datasheets-4609.pdf | Постепок | СОДЕРИТС | 16 | 75ohm | 16 | 2 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Nukahan | 15 | 16 | Коммер | 1 | Nukahan | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 5+-15V | Н.Квалиирована | 2 | SPDT | Дон | -15V | Отджн | 50 м | 80 дБ | 2 О | Брео | 500NS | 500NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL43L120IUZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Лю | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 30NA | 1,1 мм | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl43l120iuzt-datasheets-2382.pdf | MSOP | 3 ММ | 3 ММ | 30NA | 8 | 3,6 В. | 1,65 В. | 250 МО | 8 | Не | 2 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 260 | 1,8 В. | 0,65 мм | Промлэнно | 2 | SPDT | 40 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | Spst | 25 млн | 25 млн | Одинокий | Отджн | 62 ДБ | 0,005OM | 35NS | 40ns | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HI1-0507-2 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 125 ° С | -55 ° С | CMOS | 1,5 мая | 5,92 мм | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hi105072-datasheets-2141.pdf | Постепок | 15 | СОДЕРИТС | 28 | 25 В | 300om | 28 | не | Ear99 | Не | 1 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 15 | 2,54 мм | 28 | ВОЗДЕЛАН | 1 | 3MA | 500 млн | 500 млн | 22 | Мультипрор | Дон | 10 В | -15V | 60 м | 68 ДБ | 9ohm | Брео | 0,02а | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL84762IRZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 2 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 40NA | 0,8 мм | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl84762irzt-datasheets-1077.pdf | 3 ММ | 3 ММ | СОУДНО ПРИОН | 40NA | 10 | 3,6 В. | 1,65 В. | 600 м | 10 | Не | 2 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | 260 | 3В | 0,5 мм | Промлэнно | 1 | 40 | МУЛИПЛЕКСОР ИЛИ ПЕРЕКЛЕСЕЛИ | 1,8/3V | 2 | SPDT | 20 млн | 12 млн | Одинокий | Отджн | 68 ДБ | 0,05OM | Брео |
