Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС индивидуальных коммутаторов и мультиплексоров(11395)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки отключения | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Количество входов | Выход | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выхода-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Максимальный ток сигнала | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Напряжение питания, двойное (В±) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное соглашение (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДГ309BDQ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg309bdqt1-datasheets-7732.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 16 | 44В | 4В | 160Ом | 16 | да | Нет | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 0,65 мм | ДГ309 | 16 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 4 | СПСТ | 22В | Двойной, Одинарный | 4В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 90 дБ | 1,7 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 150 нс | 200 нс | Северная Каролина | 4В~44В ±4В~22В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 200 нс, 150 нс | 1 шт. | 1,7 Ом | -95 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2733DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | 1 мкА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2731dqt1e3-datasheets-4047.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 1 мА | 10 | Нет СВХК | 4,3 В | 1,65 В | 400мОм | 10 | да | неизвестный | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 320мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2733 | 10 | 1 | 40 | 320мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | 110 нс | 30 нс | Одинокий | 4 | 2 | 450мОм | 300мОм | 75 дБ | 0,03 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 1нА | 104пФ | 110 нс, 30 нс | 9 шт. | 30 м Ом | -75 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2617DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 100нА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2616dnt1e4-datasheets-5372.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 880 мкм | 3 мм | 300 мкА | 10 | 50,008559мг | 3,6 В | 1,5 В | 7Ом | 10 | да | 2 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 1191 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2617 | 10 | 1 | 40 | 1191 Вт | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | Не квалифицированный | 69 нс | 39 нс | Одинокий | 4 | 2 | 7Ом | 32 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 76нс | 2:1 | 1,5 В~3,6 В | SPDT | 2нА | 9пФ | 69нс, 39нс | 7 шт. | 100 м Ом | -80 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2742DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | 10нА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg2743dst1e3-datasheets-5403.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | 1 мкА | 8 | 3,6 В | 1,5 В | 8Ом | 8 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | неизвестный | 2 | 10нА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,65 мм | ДГ2742 | 8 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | СПСТ | 45 нс | 40 нс | Одинокий | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 800мОм | 55 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 50 нс | Северная Каролина | 1:1 | 1,5 В~3,6 В | СПСТ - НК | 1нА | 81пФ | 30 нс, 28 нс | 5,8 ПК | -89 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2732DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg2731dqt1e3-datasheets-4047.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 1 мА | 10 | 14 недель | Нет СВХК | 4,3 В | 1,6 В | 400мОм | 10 | да | неизвестный | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 320мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2732 | 10 | 1 | 40 | 320мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | 110 нс | 30 нс | Одинокий | 4 | 2 | 450мОм | 75 дБ | 0,03 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 1нА | 104пФ | 110 нс, 30 нс | 9 шт. | 30 м Ом | -75 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ3000ДБ-Т1-Е1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 100нА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg3000dbt1e1-datasheets-5446.pdf | 6-ВФБГА | 1 мкА | 6 | 5,5 В | 1,8 В | 2,3 Ом | 6 | да | неизвестный | 1 | 100нА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 250мВт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2В | 0,5 мм | ДГ3000 | 6 | 1 | 40 | 250мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | 76 нс | 33 нс | Одинокий | 2 | 1 | 2,3 Ом | 61 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 79нс | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 1,2 нА | 30пФ | 36нс, 22нс | 38ПК | -67 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG409LDY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 700 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg409ldqt1e3-datasheets-6643.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 500 мкА | 16 | 665,986997мг | Нет СВХК | 12 В | 2,7 В | 17Ом | 16 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | Нет | 2 | 200 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | ДГ409 | 16 | 4 | 40 | 600мВт | 2 | 150 нс | 150 нс | 6В | 5В | Мультиплексор | 65 нс | Двойной, Одинарный | 3В | -5В | 8 | 29Ом | 40Ом | 70 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 60нс | 2В~12В ±3В~6В | 0,03 А | 4:1 | СП4Т | 1нА | 7пФ 20пФ | 55 нс, 25 нс | 1 шт. | 1 Ом | -82 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| DG3003DB-T1-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 100нА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg3001dbt1e1-datasheets-4946.pdf | 6-ВФБГА | 1 мкА | 5,5 В | 1,8 В | 700мОм | 6 | 100нА | 250мВт | ДГ3003 | 1 | 250мВт | 1 | 6-микрофутов™ (1,5х1) | SPDT | 71 нс | 59 нс | Одинокий | 2 | 1 | 700мОм | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 1нА | 100пФ | 71 нс, 59 нс | 64ПК | 10мОм | -70 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG418LDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg419ldqt1e3-datasheets-6551.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 8 | 12 недель | 540,001716мг | 12 В | 2,7 В | 20Ом | 8 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | неизвестный | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | ДГ418 | 8 | 1 | 40 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | СПСТ | 41 нс | 32 нс | 6В | Двойной, Одинарный | 3В | -5В | 1 | 20Ом | 71 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 33нс | 44нс | НЕТ | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 1нА | 5пФ | 43нс, 31нс | 1 шт. | -71 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2753DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2753dnt1e4-datasheets-5435.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 900 мкм | 3 мм | 1 мкА | 16 | 57,09594 мг | 4,3 В | 1,65 В | 600мОм | 16 | да | 3 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1385 Вт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | ДГ2753 | 16 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 3 | Не квалифицированный | 60 нс | 30 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 1,2 Ом | 90 дБ | 0,4 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 2нА | 35пФ | 60 нс, 30 нс | -25ПКС | 600 м Ом (макс.) | -90 дБ @ 10 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ2741ДС-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10нА | 1,45 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg2743dst1e3-datasheets-5403.pdf | СОТ-23-8 | 1,65 мм | 1 мкА | 8 | 3,6 В | 1,5 В | 8Ом | 8 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | 2 | 10нА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,65 мм | ДГ2741 | 8 | 1 | 10 | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | СПСТ | 45 нс | 40 нс | Одинокий | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 800мОм | 55 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 50 нс | НЕТ | 1:1 | 1,5 В~3,6 В | СПСТ - НЕТ | 1нА | 81пФ | 30 нс, 28 нс | 5,8 ПК | -89 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ2742ДС-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10нА | 1,45 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2743dst1e3-datasheets-5403.pdf | СОТ-23-8 | 1,65 мм | 1 мкА | 8 | 3,6 В | 1,5 В | 8Ом | 8 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | неизвестный | 2 | 10нА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,65 мм | ДГ2742 | 8 | 1 | 10 | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | СПСТ | 45 нс | 40 нс | Одинокий | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 800мОм | 55 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 50 нс | Северная Каролина | 1:1 | 1,5 В~3,6 В | СПСТ - НК | 1нА | 81пФ | 30 нс, 28 нс | 5,8 ПК | -89 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ2535ДН-Т1-Е4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2536dqt1e3-datasheets-8379.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 880 мкм | 3 мм | 3В | 1 мкА | 10 | 10 недель | 50,008559мг | 6В | 1,8 В | 500мОм | 10 | да | неизвестный | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1191 Вт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2535 | 10 | 1 | 40 | 1191 Вт | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | Не квалифицированный | 82 нс | 73 нс | Одинокий | 4 | 2 | 500мОм | 69 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 78нс | 90 нс | НО/НЗ | 2:1 | SPDT | 1нА | 145пФ | 82нс, 73нс | 21 шт. | 50 м Ом (макс.) | -69 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2612DX-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10нА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg2613dxt1e3-datasheets-5384.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 1 мкА | 6 | 32,006612мг | 5,5 В | 1,8 В | 1,4 Ом | да | неизвестный | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 172 МВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2612 | 6 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | 60 нс | 35 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 1,4 Ом | 67 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 37нс | 63нс | Северная Каролина | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 2нА | 36пФ | 60 нс, 35 нс | 2,4 ПК | 100 м Ом (макс.) | -73 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2517DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10нА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg2517edqt1ge3-datasheets-6857.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 880 мкм | 3 мм | 1 мкА | 50,008559мг | Нет СВХК | 5,5 В | 1,8 В | 4Ом | 10 | да | неизвестный | 1191 Вт | ДГ2517 | 10 | 1191 Вт | 242 МГц | 25 нс | 20 нс | Одинокий | 4 | 2 | 4Ом | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 1нА | 8пФ | 25 нс, 20 нс | 2 шт. | 100 м Ом | -73 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2799DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2799dnt1e4-datasheets-5417.pdf | 16-WFQFN | 3 мм | 900 мкм | 3 мм | 1 мкА | 16 | 12 недель | 57,09594 мг | 4,3 В | 1,65 В | 430мОм | 16 | да | Нет | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1385 Вт | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2799 | 16 | 2 | 40 | 1385 Вт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | 57 нс | 45 нс | Одинокий | 8 | 4 | 450мОм | 75 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 60нс | 2:2 | 1,65 В~4,3 В | ДПДТ | 1нА | 102пФ | 57 нс, 45 нс | 160ПК | 50 м Ом | -75 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2728DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg2727dnt1e4-datasheets-4554.pdf | 8-UFQFN | 1,4 мм | 8 | 4,3 В | 1,6 В | 1 Ом | 8 | да | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,4 мм | ДГ2728 | 8 | 1 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицированный | 252 МГц | СПСТ | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 1 Ом | 58 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 1:1 | 1,6 В~4,3 В | СПСТ - НК | 100нА | 31пФ 31пФ | 67нс, 40нс | 1,2 ПК | 100 м Ом | -64 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2535DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2536dqt1e3-datasheets-8379.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 3В | 1 мкА | 10 | 6В | 1,8 В | 500мОм | 10 | да | Олово | неизвестный | 2 | е3 | Неинвертирующий | 320мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2535 | 10 | 1 | 40 | 320мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | Не квалифицированный | 82 нс | 73 нс | Одинокий | 4 | 300 мА | 2 | 500мОм | 69 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 78нс | 90 нс | НО/НЗ | 2:1 | SPDT | 1нА | 145пФ | 82нс, 73нс | 21 шт. | 50 м Ом (макс.) | -69 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2789DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg2788dnt1e4-datasheets-4513.pdf | 16-WFQFN | 2,6 мм | 750 мкм | 1,8 мм | 1 мкА | 16 | 57,09594 мг | Нет СВХК | 4,3 В | 1,65 В | 500мОм | 16 | да | неизвестный | 4 | 1 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 525 МВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | ДГ2789 | 16 | 1 | 40 | 525 МВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицированный | 72 нс | 43 нс | Одинокий | 8 | 4 | 500мОм | 49 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 75нс | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 1нА | 81пФ | 72нс, 43нс | 87ПК | 50 м Ом | -96 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2731DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2731dqt1e3-datasheets-4047.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 880 мкм | 3 мм | 1 мкА | 10 | 50,008559мг | 4,3 В | 1,65 В | 400мОм | 10 | да | неизвестный | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1191 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2731 | 10 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицированный | 110 нс | 30 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 450мОм | 75 дБ | 0,03 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 1нА | 104пФ | 110 нс, 30 нс | 9 шт. | 30 м Ом | -75 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2749DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-dg2747dnt1e4-datasheets-5407.pdf | 8-UFQFN | 1,4 мм | 550 мкм | 1,4 мм | 1 мкА | 8 | Нет СВХК | 4,3 В | 1,6 В | 600мОм | 8 | да | неизвестный | 2 | 1 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 190мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,4 мм | ДГ2749 | 8 | 1 | 40 | 190мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | Не квалифицированный | 93 МГц | СПСТ | 25 нс | 25 нс | Одинокий | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 600мОм | 52 дБ | 0,03 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 1:1 | 1,6 В~4,3 В | СПСТ - НО/НЗ | 2нА | 75пФ 55пФ | 25нс, 25нс | 10 шт. | 30 м Ом (макс.) | -90 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ306БДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1нА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg306bdj-datasheets-7728.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,3 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 100 мкА | 14 | 8 недель | 1,620005г | 36В | 13В | 50Ом | 14 | да | Нет | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 15 В | ДГ306 | 14 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | ДПСТ | 110 нс | 70 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 50Ом | 62 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 5нА | 14пФ 14пФ | 110 нс, 70 нс (тип.) | 30 шт. | -74 дБ при 500 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2736DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg2735dnt1e4-datasheets-4508.pdf | 10-UFQFN | 1,8 мм | 550 мкм | 1,4 мм | 1 мкА | 10 | 7,002332мг | 4,3 В | 1,65 В | 500мОм | 10 | да | неизвестный | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 208мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | ДГ2736 | 10 | 1 | 40 | 208мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | Не квалифицированный | 50 МГц | 78 нс | 58 нс | Одинокий | 4 | 2 | 500мОм | 70 дБ | 0,06 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 60нс | 80нс | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 2нА | 55пФ | 78нс, 58нс | 60 м Ом | -70 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ3002ДБ-Т1-Е1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 100нА | 0,753 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg3001dbt1e1-datasheets-4946.pdf | 6-ВФБГА | 1 мкА | 6 | 5,5 В | 1,8 В | 700мОм | 6 | да | Нет | 1 | 100нА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 250мВт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ3002 | 6 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | 1 | СПСТ | 71 нс | 59 нс | Одинокий | 700мОм | 70 дБ | 0,01 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 1:1 | 1,8 В~5,5 В | СПСТ - НК | 1нА | 100пФ | 71 нс, 59 нс | 64ПК | 10 м Ом | -70 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2732DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2731dqt1e3-datasheets-4047.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 880 мкм | 3 мм | 1 мкА | 10 | 50,008559мг | 4,3 В | 1,65 В | 400мОм | 10 | да | неизвестный | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1191 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2732 | 10 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицированный | 110 нс | 30 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 450мОм | 75 дБ | 0,03 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 1нА | 104пФ | 110 нс, 30 нс | 9 шт. | 30 м Ом | -75 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2517DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10нА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-dg2517edqt1ge3-datasheets-6857.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 1 мкА | 10 | 14 недель | 5,5 В | 1,8 В | 4Ом | 10 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | неизвестный | 2 | 10нА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 320мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2517 | 10 | 1 | 40 | 320мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | Не квалифицированный | 242 МГц | 30 нс | 25 нс | Одинокий | 4 | 2 | 4Ом | 71 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 35 нс | 50 нс | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 1нА | 8пФ | 25 нс, 20 нс | 2 шт. | 100 м Ом | -73 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2518DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10нА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2517edqt1ge3-datasheets-6857.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 880 мкм | 3 мм | 1 мкА | 10 | 10 недель | 50,008559мг | 5,5 В | 1,8 В | 4Ом | 10 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | неизвестный | 2 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 1191 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2518 | 10 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | 2 | Не квалифицированный | 242 МГц | 25 нс | 20 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 4Ом | 71 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 35 нс | 50 нс | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 1нА | 8пФ | 25 нс, 20 нс | 2 шт. | 100 м Ом | -73 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2711DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10нА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg2711dlt1ge3-datasheets-7686.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 3В | Без свинца | 1 мкА | 6 | 3,6 В | 1,6 В | 600мОм | 6 | да | Олово | Нет | 1 | 10нА | е3 | Неинвертирующий | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | ДГ2711 | 6 | 1 | 40 | 250мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 60 нс | 42 нс | Одинокий | 2 | 200 мА | 1 | 600мОм | 56 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 44нс | 2:1 | 1,6 В~3,6 В | SPDT | 1нА | 70пФ | 46нс, 38нс | 28ПК | 70 м Ом (макс.) | -56 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411LDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg411ldqt1-datasheets-8917.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 547,485991мг | 12 В | 2,7 В | 50Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 650мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | ДГ411 | 16 | 1 | 40 | 650мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3/12/+-5В | Не квалифицированный | 280 МГц | СПСТ | 50 нс | 35 нс | 6В | Двойной, Одинарный | 3В | -5В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 17Ом | 68 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 60нс | Северная Каролина | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 5пФ 6пФ | 19нс, 12нс | 5 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2515DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10нА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg2516dqt1e3-datasheets-5367.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 1 мкА | 10 | 5,5 В | 1,8 В | 4Ом | 10 | да | 2 | 10нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 320мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ДГ2515 | 10 | 1 | 40 | 320мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | Не квалифицированный | 235 МГц | 70 нс | 50 нс | Одинокий | 4 | 2 | 4Ом | 51 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 1нА | 17пФ | 50 нс, 40 нс | 49ПК | 100 м Ом | -74 дБ @ 1 МГц |
