Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС индивидуальных коммутаторов и мультиплексоров(11395)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Скорость передачи данных | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки отключения | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Количество входов | Выход | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выхода-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное соглашение (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS1745G-Z MSOP10 НЧ ВАННА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ams-as1744gt1k-datasheets-6460.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 2 | 4Ом | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 100пА | 20пФ | 17нс, 6нс | 7 шт. | 100 м Ом | -90 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ3157БДН-Т1-Е4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg3157bdnt1e4-datasheets-4600.pdf | 6-УФДФН | 1 мкА | 14 недель | 5,5 В | 1,65 В | 15Ом | 6 | Нет | 160мВт | ДГ3157 | 1 | 6-миниQFN | 300 МГц | SPDT | 25 нс | 21 нс | Одинокий | 15Ом | 2:1 | 1,65 В~5,5 В | SPDT | 1 мкА | 7пФ | 25 нс, 21 нс | 7 шт. | 800мОм | -64 дБ при 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG413LDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg411ldqt1-datasheets-8917.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5,08 мм | 920 мкм | 4,4 мм | Без свинца | 1 мкА | 172,98879мг | 12 В | 2,7 В | 50Ом | 16 | Нет | 450мВт | ДГ413 | 4 | 450мВт | 4 | 16-ЦСОП | 280 МГц | СПСТ | 50 нс | 35 нс | 6В | Двойной, Одинарный | 3В | 4 | 4 | 17Ом | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НО/НЗ | 250пА | 5пФ 6пФ | 19нс, 12нс | 5 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG611DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | НМОП | -1мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg612dyt1-datasheets-2726.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 1 мкА | 16 | 665,986997мг | 18В | 10 В | 45Ом | 16 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | неизвестный | 4 | 5нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ611 | 16 | 1 | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 15-3В | Не квалифицирован | 500 МГц | СПСТ | 35 нс | 25 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 45Ом | 74 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 50 нс | Северная Каролина | 10В~18В ±10В~15В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 3пФ 2пФ | 35 нс, 25 нс | 4 шт. | 2 Ом | -87 дБ при 5 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG4051AEN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | -1мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg4051aent1e4-datasheets-4533.pdf | 16-WFQFN | 2,6 мм | 750 мкм | 1,8 мм | 330 МГц | Без свинца | 1 мкА | 16 | Неизвестный | 12 В | 2,7 В | 100Ом | 16 | да | Золото | 1 | 50нА | 525 МВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,4 мм | ДГ4051 | 16 | 8 | 40 | 525 МВт | 1 | Не квалифицирован | 151 нс | 138 нс | 5В | 3В | Мультиплексор | 172 нс | Двойной, Одинарный | 2,5 В | -3В | 30 мА | 8 | 100Ом | 67 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2,7 В~12 В ±2,5 В~5 В | 8:1 | 1нА | 3пФ 12пФ | 108нс, 92нс | 0,25ПК | 3 Ом | -67 дБ при 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ411ДИ-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg413dj-datasheets-7502.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 8 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 80Ом | 16 | 600мВт | ДГ411 | 4 | 600мВт | 4 | 16-СОИК | СПСТ | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | 4 | 35Ом | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG611DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | НМОП | -1мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg612dyt1-datasheets-2726.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 500 МГц | Без свинца | 1 мкА | 16 | 665,986997мг | Нет СВХК | 18В | 10 В | 45Ом | 16 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | Нет | 4 | 5нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ611 | 16 | 1 | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 515-3В | СПСТ | 35 нс | 25 нс | 15 В | 12 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 45Ом | 45Ом | 74 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 50 нс | Северная Каролина | 10В~18В ±10В~15В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 3пФ 2пФ | 35 нс, 25 нс | 4 шт. | 2 Ом | -87 дБ при 5 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2706DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2706dnt1e4-datasheets-4510.pdf | 16-WFQFN | 2,6 мм | 750 мкм | 1,8 мм | 1 мкА | 16 | 57,09594 мг | 4,3 В | 1,65 В | 5,5 Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 525 МВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,15 В | ДГ2706 | 16 | 1 | 30 | 525 МВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3,15 В | Не квалифицирован | 45 нс | 35 нс | Одинокий | 8 | 4 | 5,5 Ом | 70 дБ | 0,3 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 55нс | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 5нА | 16пФ | 45 нс, 35 нс | 3 шт. | 300 м Ом | -90 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ411ЛДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg411ldqt1-datasheets-8917.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 10 недель | 1,627801г | Неизвестный | 12 В | 2,7 В | 50Ом | 16 | 1 мкА | 900мВт | ДГ411 | 4 | 900мВт | 4 | 16-ПДИП | 280 МГц | СПСТ | 85 нс | 60 нс | 6В | 5В | Двойной, Одинарный | 3В | 4 | 4 | 17Ом | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 5пФ 6пФ | 19нс, 12нс | 5 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ413ЛДИ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysiliconix-dg411ldqt1-datasheets-8917.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 547,485991мг | Нет СВХК | 12 В | 2,7 В | 33Ом | 16 | да | Нет | 4 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 650мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | ДГ413 | 16 | 1 | 40 | 650мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 280 МГц | СПСТ | 50 нс | 35 нс | 6В | 5В | Двойной, Одинарный | 3В | -5В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 17Ом | 30Ом | 68 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 60нс | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НО/НЗ | 250пА | 5пФ 6пФ | 19нс, 12нс | 5 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG3157ADN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg3157bdnt1e4-datasheets-4600.pdf | 6-УФДФН | 1 мкА | 6 | 5,5 В | 1,65 В | 15Ом | 6 | да | Нет | 1 | е4 | ПАЛЛАДИЕВОЕ ЗОЛОТО ПО НИКЕЛЮ | 160мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,4 мм | ДГ3157 | 6 | 1 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | 300 МГц | 25 нс | 21 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 15Ом | 57 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 45нс | 50 нс | 2:1 | 1,65 В~5,5 В | SPDT | 7пФ | 25 нс, 21 нс | 7 шт. | 800 м Ом | -64 дБ при 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG4053AEN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | -1мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg4051aent1e4-datasheets-4533.pdf | 16-WFQFN | 2,6 мм | 750 мкм | 1,8 мм | 730 МГц | 1 мкА | 16 | Неизвестный | 12 В | 2,7 В | 100Ом | 16 | да | 3 | 525 МВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,4 мм | ДГ4053 | 16 | 2 | 40 | 525 МВт | 3 | Не квалифицирован | 151 нс | 138 нс | 5В | 3В | Мультиплексор | 172 нс | Двойной, Одинарный | 2,5 В | -3В | 6 | 100Ом | 67 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 119 нс | 2,7 В~12 В ±2,5 В~5 В | 2:1 | SPDT | 1нА | 3пФ 4пФ | 108нс, 92нс | 0,25ПК | 3 Ом | -67 дБ при 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG613DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | НМОП | -1мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg612dyt1-datasheets-2726.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 500 МГц | Без свинца | 1 мкА | 16 | 1,627801г | 18В | 10 В | 45Ом | 16 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | неизвестный | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ613 | 16 | 1 | СПСТ | НЕ УКАЗАН | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | Не квалифицирован | 35 нс | 25 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 4 | 45Ом | 45Ом | 74 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 50 нс | НО/НЗ | 10В~18В ±10В~15В | 2:2 | ДПДТ | 250пА | 3пФ 2пФ | 35 нс, 25 нс | 4 шт. | 2 Ом | -87 дБ при 10 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411HSDY-T1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-dg412hsdy-datasheets-7860.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 547,485991мг | 44В | 13В | 80Ом | 16 | нет | неизвестный | 4 | е0 | Оловянный свинец | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | 1,27 мм | ДГ411 | 16 | 1 | 30 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 105 нс | 105 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 91 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 90 нс | Северная Каролина | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 12пФ 12пФ | 105 нс, 80 нс | 22 шт. | -88 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG612DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | -1мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg612dyt1-datasheets-2726.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 1,627801г | 18В | 10 В | 45Ом | 16 | Нет | 470мВт | ДГ612 | 4 | 470мВт | 4 | 16-ПДИП | 500 МГц | СПСТ | 50 нс | 35 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 4 | 45Ом | 10В~18В ±10В~15В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 250пА | 3пФ 2пФ | 35 нс, 25 нс | 4 шт. | 2Ом | -87 дБ при 5 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛАСТ44599MNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 4мкА | 1 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-nlast44599mng-datasheets-4190.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3В | Без свинца | 4мкА | 16 | 5,5 В | 2В | 30Ом | 16 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 2 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | ДА | 800мВт | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | НЛАСТ44599 | 16 | 2 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | 175 МГц | 35 нс | 12 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 25Ом | 93 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:2 | 2В~5,5В | ДПДТ | 1нА | 10пФ 10пФ | 14нс, 5нс | 3 шт. | -90 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛАС3799МНР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 мкА | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nlas3799lmnr2g-datasheets-4320.pdf | 16-WFQFN | 3В | Без свинца | 16 | 3,6 В | 1,65 В | 400мОм | 16 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Без галогенов | ДА | КВАД | 260 | 3В | НЛАС3799 | 16 | 2 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | 19 МГц | 50 нс | 30 нс | Одинокий | 8 | 4 | 400мОм | 69 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 2:2 | 1,65 В~3,6 В | ДПДТ | 500нА | 3пФ | 50 нс, 30 нс | 42ПК | 50 м Ом (макс.) | -90 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ412ЛДИ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-dg411ldqt1-datasheets-8917.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 1 мкА | 16 | 547,485991мг | Нет СВХК | 12 В | 2,7 В | 33Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | 20нА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 650мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | ДГ412 | 16 | 1 | 40 | 650мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | 280 МГц | СПСТ | 50 нс | 35 нс | 6В | 5В | Двойной, Одинарный | 3В | -5В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 17Ом | 30Ом | 68 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 60нс | НЕТ | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 250пА | 5пФ 6пФ | 19нс, 12нс | 5 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4538ESE+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/maximintegrated-max4538cee-datasheets-4349.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | нет | не_совместимо | 4 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 1,27 мм | МАКС4538 | 16 | 1 | НЕ УКАЗАН | Мультиплексор или коммутаторы | 3/+-5 В | 4 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | -5В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 100Ом | 65 дБ | 4Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 50 нс | 100 нс | 2В~12В ±2В~6В | 1:1 | СПСТ - НО/НЗ | 2нА | 2пФ 2пФ | 100 нс, 50 нс | 1 шт. | 1 Ом | -75 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2727DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 1 мкА | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg2727dnt1e4-datasheets-4554.pdf | 8-UFQFN | 1,4 мм | 1,4 мм | 1 мкА | 8 | 4,3 В | 1,6 В | 1 Ом | 8 | да | неизвестный | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 190мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,4 мм | ДГ2727 | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1 | 30 | 190мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 67 нс | 40 нс | Одинокий | 2 | 58 дБ | 0,1 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2720DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2720dnt1e4-datasheets-4490.pdf | 10-UFQFN | 1,8 мм | 550 мкм | 1,4 мм | 3В | 620 МГц | Без свинца | 10 | 14 недель | 7,002332мг | 4,3 В | 2,6 В | 7Ом | 10 | да | неизвестный | 1 | 2мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 208мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | ДГ2720 | 10 | 1 | 40 | 208мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | 2 | Не квалифицирован | 480 Мбит/с | 30 нс | 25 нс | Одинокий | 4 | 7Ом | 30 дБ | 0,35 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:2 | 2,6 В~4,3 В | ДПДТ | 100нА | 4пФ | 30 нс, 25 нс | 0,5ПК | 350 м Ом | -49 дБ при 240 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛАС3799БЛМНР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 мкА | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nlas3799bmur2g-datasheets-4336.pdf | 16-WFQFN | 3В | Без свинца | 16 | 4,5 В | 1,65 В | 400мОм | 16 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | Нет | 2 | 1 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Без галогенов | ДА | КВАД | 260 | 3В | НЛАС3799Б | 16 | 2 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | 19 МГц | 50 нс | 30 нс | Одинокий | 8 | 4 | 400мОм | 69 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:2 | 1,65 В~4,5 В | ДПДТ | 500нА | 3пФ | 50 нс, 30 нс | 51 шт. | 50 м Ом (макс.) | -90 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2735DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2735dnt1e4-datasheets-4508.pdf | 8-UFQFN | 1,8 мм | 550 мкм | 1,4 мм | 1 мкА | 10 | 14 недель | 7,002332мг | 4,3 В | 1,65 В | 500мОм | 8 | да | неизвестный | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 208мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | ДГ2735 | 10 | 1 | 40 | 208мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | Не квалифицирован | Р-XQCC-N10 | 50 МГц | 78 нс | 58 нс | Одинокий | 4 | 2 | 500мОм | 70 дБ | 0,06 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 60нс | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 2нА | 55пФ | 78нс, 58нс | 60 м Ом | -70 дБ на 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2788DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2788dnt1e4-datasheets-4513.pdf | 16-WFQFN | 2,6 мм | 750 мкм | 1,8 мм | 1 мкА | 16 | 57,09594 мг | Неизвестный | 4,3 В | 1,65 В | 500мОм | 16 | да | 2 | 1 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 525 МВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | ДГ2788 | 16 | 2 | 40 | 525 МВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | 72 нс | 43 нс | Одинокий | 8 | 4 | 500мОм | 49 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 75нс | 2:2 | 1,65 В~4,3 В | ДПДТ | 1нА | 81пФ | 72нс, 43нс | 87ПК | 50 м Ом | -96 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74LVX4052DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 40 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mc74lvx4052d-datasheets-3938.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 80 МГц | Содержит свинец | 16 | 6В | 2,5 В | 55Ом | 16 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 450мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | MC74LVX4052 | 16 | 1 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | 40 | 450мВт | Мультиплексор или коммутаторы | -3,3/земля3,3/5 В | 2 | Не квалифицирован | 40 нс | 40 нс | 3В | Демультиплексор, Мультиплексор | 40 нс | Одинокий | 1,25 В | -3В | 8 | 26Ом | 70 дБ | 15Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2,5 В~6 В ±2,5 В~6 В | 4:1 | СП4Т | 100нА | 10пФ | 12 шт. | 10 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ413ЛДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg411ldqt1-datasheets-8917.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 10 недель | 1,627801г | Неизвестный | 12 В | 2,7 В | 50Ом | 16 | 1 мкА | 900мВт | ДГ413 | 4 | 900мВт | 4 | 16-ДИП | 280 МГц | СПСТ | 85 нс | 60 нс | 6В | 5В | Двойной, Одинарный | 3В | 4 | 4 | 17Ом | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НО/НЗ | 250пА | 5пФ 6пФ | 19нс, 12нс | 5 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛАС4501DFT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-nlas4501dft2-datasheets-4095.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 5В | Без свинца | 5 | 5,5 В | 2В | 25Ом | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | НЛАС4501 | 5 | 1 | 40 | 150 мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 220 МГц | СПСТ | 14 нс | 22 нс | Одинокий | 25Ом | 93 дБ | НЕТ | 1:1 | 2В~5,5В | СПСТ - НЕТ | 1нА | 10пФ 10пФ | 9нс, 10нс | 3 шт. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛАС44599МНР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 4мкА | 1 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nlas44599dtg-datasheets-4213.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 5В | Без свинца | 16 | 9 недель | 5,5 В | 2В | 30Ом | 16 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Олово | Нет | 2 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Неинвертирующий | Без галогенов | ДА | 800мВт | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | НЛАС44599 | 16 | 2 | 40 | 800мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 175 МГц | 35 нс | 12 нс | Одинокий | 8 | 50 мА | 50 мА | 4 | 25Ом | 93 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:2 | 2В~5,5В | ДПДТ | 10 мкА | 10пФ 10пФ | 14нс, 5нс | 3 шт. | -90 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛАС5223LMNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nlas5223mnr2g-datasheets-7634.pdf | 10-WFQFN | 1,8 мм | 3В | Без свинца | 10 | 3,6 В | 1,65 В | 300мОм | 10 | неизвестный | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | НЛАС5223 | 10 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | 17 МГц | 50 нс | 30 нс | Одинокий | 4 | 2 | 300мОм | 65 дБ | 0,05 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~3,6 В | SPDT | 500нА | 75пФ | 50 нс, 30 нс | 38ПК | 50 м Ом (макс.) | -70 дБ на 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4742EUA+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/maximintegrated-max4741eua-datasheets-1846.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 8 | да | EAR99 | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,65 мм | МАКС4742 | 8 | 3,6 В | 1 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 100 МГц | 800мОм | 50 дБ | 35 нс | 1:1 | 1,6 В~3,6 В | СПСТ - НК | 1нА | 32пФ 32пФ | 24 нс, 16 нс | 28ПК | 50 м Ом | -110 дБ на 1 МГц |
