Аудио -усилители - электронные компоненты Sourcing - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе Проспна СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Napryaneeneee (vos) Питания Upylenee naprayanip Поступил Колист Прирост Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ДАТАПЕРКЕРКИ СТАТУСА Уровина Скринина Потретелский Garmoniчeskoe hyskaжenieene Взёд МАКСИМАЛИНА ДОГОВОЙ ПЕРЕЙН Poluhith Obщiй -koэfheishente otklonenip Коеффихиэнт отклоньян ТИПП Мин Прилоэн ASTOTA (MMAKS) МАКСИМАЛАНСКАЯ СОДА Кргителнь ТОК UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Питани - В.О. Power Dissipation-Max Весани Ипер Wshod PLL Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma
TPA6102A2DG4 TPA6102A2DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Жeleзnodoroжnый/truebka 1 85 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм 20 СОУДНО ПРИОН 8 75,891673 м 3,6 В. 1,6 В. 8 Ear99 Не 1 1,5 мая E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 1,27 ММ 8 Промлэнно 2 710 м Аудио/Видео Исилители 14 дБ 14 дБ Аудиолител 0,1% 0,05 Вт 72db Одинокий 50 м 50 м 710 м
NJW1109M-TE1 NJW1109M-TE1 Айя японский
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 75 ° С -20 ° С ROHS COMPRINT СОУДНО ПРИОН 10 В 7,5 В. 14 Не 5 май 500 м 0 дБ 70 ДБ Одинокий 100 y 500 м
D2-71583-LR D2-71583-LR Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT 14 ММ 14 ММ 128 8542.31.00.01 E3 МАНЕВОВО В дар Квадран Крхлоп Nukahan 1,8 В. 0,4 мм 128 Drugoй 85 ° С -10 ° С 1,9 1,7 Nukahan S-PQFP-G128 МИКРОПРЕССОНА АНАСА
TDA1308TT/N2-T TDA1308TT/N2-T NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOT-505 СОУДНО ПРИОН 8 3MA 10 м 70 ДБ 2,5 В. 5,5 мг Dvoйnoй, хoloyp 3MA 80 м 25 м
TPA0103PWPG4 TPA0103PWPG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 2 125 ° С -40 ° С CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT HTSSOP EP 7,8 мм 4,4 мм 20 СОДЕРИТС 24 98.08935mg 5,5 В. 24 в дар Ear99 Не 8542.33.00.01 1 25 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 24 Промлэнно 3 1,4 м Аудио/Видео Исилители Аудиолител 1% 2,1 80 дБ Одинокий 2,1 2,1 1,4 м
NTE1023 NTE1023 NTE Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В Ear99 8542.33.00.01 Аудиолител
FAN7021MX_Q FAN7021MX_Q Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С В Соп 5,5 В. 4 май 1 Вт 700 м
TPA0142PWPG4 TPA0142PWPG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 2 85 ° С -40 ° С CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT HTSSOP EP 7,8 мм 4,4 мм СОДЕРИТС 24 98.08935mg 5,5 В. 4,5 В. 24 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 25 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 24 Промлэнно 2 2,7 Аудио/Видео Исилители СОМАМАРИРОВАНИЕ 10% 67db Одинокий 2,8 2,8 2,7
NTE1327 NTE1327 NTE Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru В 152,4 мм 19,05 мм 101,6 ММ 22.679619G 10 43В 30
TDA2616QU TDA2616QU NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 150 ° С -25 ° С ROHS COMPRINT СОУДНО ПРИОН 9 9 8542.33.00.01 2 Не Я СКВОХА 2,54 мм Drugoй 21В 7,5 В. 2 Аудио/Видео Исилители 70 май 30 дБ Н.Квалиирована Аудиолител 0,15% 15 Вт 16 Дон 40 май 15 Вт 25 Вт
STV8172A STV8172A Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 БИПОЛНА В 2011 год /files/stmicroelectronics-stv8172a-datasheets-3879.pdf 25,4 мм 6,35 мм 12,7 ММ 7 4.535924G 1 Не Я СКВОХА 1,27 ММ 7 35 10 В Drugeepeptrebyteleckee ics 10/35 a. 50 май Н.Квалиирована R-PZFM-T7 Вертикалньо -otkloneneene Телевих; МООНИТОР Не
TDA8359J TDA8359J MCM Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 101,6 ММ 12,7 ММ 76,2 мм 4.535924G 9
TPA321DRG4 TPA321DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT ДУМОВ 4,9 мм 4 кг СОДЕРИТС 8 75,891673 м 5,5 В. 2,5 В. 8 в дар Ear99 Не 1 1,5 мая E4 В дар Крхлоп 260 8 1 725 м 0,5% 0,7 1,4 мг 85db Одинокий 700 м 700 м 725 м
NJU8757V NJU8757V Айя японский
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SSOP СОУДНО ПРИОН 32 32 Ear99 Не 8542.33.00.01 1 10 май Дон Крхлоп 32 Промлэнно 5,25 В. 2 1,5 Аудиолител 2,5 2,7 В.
TPA0212PWPG4 TPA0212PWPG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Жeleзnodoroжnый/truebka 2 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT HTSSOP EP 7,8 мм 1,15 мм 4,4 мм 15 кг СОУДНО ПРИОН 24 98.08935mg 5,5 В. 4,5 В. 24 Ear99 Не 1 8 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм 24 Промлэнно 2 2,7 Аудио/Видео Исилители Аудиолител 2,6 77db Одинокий 2,6 6ma 2W 2,7
TDA7056ATD TDA7056ATD NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT ТАК 15 СОУДНО ПРИОН 18В 4,5 В. 8 май 35,5 Дб Одинокий 8 май 3,5 1,5
TDA7053ATD TDA7053ATD NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С 2,65 мм ROHS COMPRINT SOIC 10,3 мм 7,5 мм 15 СОУДНО ПРИОН 16 18В 4,5 В. В дар Дон Крхлоп 1,27 ММ Промлэнно 2 40,5 Дб Н.Квалиирована R-PDSO-G16 СОМАМАРИРОВАНИЕ 0,3% Одинокий 22 май 550 м 1,32 Вт
TA8254BHQ TA8254BHQ Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT 2012 /files/toshiba-ta8254444bhq-datasheets-3732.pdf 15 20 15 18В 15 Ear99 8542.33.00.01 1 Не Я СКВОХА Nukahan 1,27 ММ 15 Промлэнно 2 Nukahan Аудио/Видео Исилители 13.2V 250 май 26 ДБ Н.Квалиирована Аудиолител 10% 45 Вт Одинокий 45 Вт 83 Вт
TPA152DG4 TPA152DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Жeleзnodoroжnый/truebka 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм 20 СОУДНО ПРИОН 8 75,891673 м 5,5 В. 4,5 В. 8 Ear99 Не 1 14ma E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 8 Промлэнно 2 724 м Аудио/Видео Исилители Аудиолител 0,03% 0,075 Вт 65 ДБ Одинокий 75 м 75 м 724 м
TAS5414ATDKDRMQ1G4 Tas5414atdkdrmq1g4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 3 105 ° С -40 ° С 3,6 мм ROHS COMPRINT Соп 15,9 мм 11 ММ СОДЕРИТС 36 22 36 в дар Ear99 Не 8542.33.00.01 1 300 май E4 I2c Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Крхлоп 245 0,65 мм 36 Промлэнно 4 80 Вт Аудио/Видео Исилители 32db 32 ДБ AEC-Q100 Аудиолител 116 Вт 14.4V 60 дБ 75 ДБ Дон 116 Вт 28 wt 80 Вт
MAX9704ETJ-T MAX9704ETJ-T МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 1 Bicmos 0,8 мм В 2008 /files/maximintegrated-max9704etjt-datasheets-3700.pdf 7 мм 7 мм 22 СОУДНО ПРИОН 32 не Ear99 not_compliant 8542.33.00.01 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Квадран NeT -lederStva 245 0,65 мм 32 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 25 В 10 В 2 Nukahan Аудио/Видео Исилители 15 34 май 29,6 ДБ Н.Квалиирована S-XQCC-N32 Аудиолител 20 Вт
TDA8542TSDK TDA8542TSDK NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SSOP СОУДНО ПРИОН 18В 2,2 В. 30 дБ Одинокий 15 май 1,2 Вт 1,12
LM1877N-9A LM1877N-9A Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 БИПОЛНА 5,08 мм В Окунаан 19,18 мм 7,62 мм 20 СОДЕРИТС 14 14 Ear99 8542.33.00.01 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Не Дон СКВОХА Nukahan 2,54 мм Коммер 70 ° С 24 2 Nukahan Аудио/Видео Исилители 20 50 май 34 ДБ Н.Квалиирована Аудиолител 10% 1,3 25 май
TPA4860DG4 TPA4860DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Жeleзnodoroжnый/truebka 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tpa4860dg4-datasheets-9948.pdf ДУМОВ 9,9 мм 20 СОДЕРИТС 16 155,100241 м 5,5 В. 2,7 В. 16 в дар Ear99 Не 1 3,5 мая E4 В дар Крхлоп 260 16 1 1,25 Вт 3.3/5. 2% 1,1 1,5 мг 70 ДБ Одинокий 1,1 1 Вт 1,25 Вт
TDA7052BTD TDA7052BTD NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/nxpsemiconductors-tda7052btd-datasheets-9730.pdf ТАК 15 СОУДНО ПРИОН 8 18В 4,5 В. 1 9.2ma E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 1,27 ММ Промлэнно Аудио/Видео Исилители 40,5 Дб Н.Квалиирована 2013-06-14 00:00:00 СОМАМАРИРОВАНИЕ Одинокий 9.2ma 550 м 800 м
TDA7052BN TDA7052BN NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 4,2 мм ROHS COMPRINT /files/nxpsemiconductors-tda7052bn-datasheets-9549.pdf PDIP 9,5 мм 7,62 мм СОУДНО ПРИОН 8 8 Не Дон СКВОХА 2,54 мм Промлэнно -40 ° С 4,5 В. 40 дБ Н.Квалиирована 2013-06-14 00:00:00 СОМАМАРИРОВАНИЕ 9.2ma
TPA3001D1PWP TPA3001D1PWP Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 2 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tpa3001d1pwp-datasheets-9491.pdf HTSSOP EP 7,8 мм 1,2 ММ 4,4 мм 15 20 СОУДНО ПРИОН 15 май 24 98.08935mg НЕТ SVHC 18В 24 Nrnd (posledniй obnownen: 3 дня назад) в дар 1 ММ Ear99 Не 1 8 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм 24 Промлэнно 1 4,16 Аудио/Видео Исилители 36 дБ 36 дБ Аудиолител 20 Вт 73db Одинокий 20 Вт 20 Вт 4,16 4 О
PLL1707DBQRG4 PLL1707DBQRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -25 ° С CMOS ROHS COMPRINT SSOP 8,65 мм 3,9 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 20 125,786834 м 3,6 В. 2,7 В. 20 Ear99 Не 25 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,635 мм 20 Коммер 2 Ч ч generaTorы 1 36.864mhz Гератор, визи Кришалл В дар 27,27 мг
NTE1788 NTE1788 NTE Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 150 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/nteelectronics-nte1788-datasheets-8966.pdf Глотокк 152,4 мм 12,7 ММ 76,2 мм 7 72.574779G 35 7 Ear99 8542.39.00.01 1 Я ОТКЛОНЕВЕЕ Н.Квалиирована Потретелельский
TDA8932BTW TDA8932BTW NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С 1,1 мм ROHS COMPRINT 11 ММ 6,1 мм 22 20 32 36 10 В 32 Ear99 Otakжe -of -rabothatth s odnopostaboй ot 10- 36 8542.33.00.01 1 600 мк E3 Оло В дар Крхлоп 0,65 мм 32 Промлэнно 2 Аудио/Видео Исилители 36 дБ Н.Квалиирована 2013-06-14 00:00:00 Аудиолител 55 Вт 11в 75 ДБ Dvoйnoй, хoloyp 55 Вт 5 Вт

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.