Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Управление аккумуляторами ICS - Электронные компоненты Sourcing - лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Найналайно DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист МАКСИМАЛНА КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Rugulyruemый porog Подкейгория Питания Постка -тока Макс (ISUP) Кваликакахионн Статус Мон Кргителнь ТОК Степень Power Dissipation-Max Колиство МАКСИМАЛИНС Мин В конце Ток, арада - макс. ТОК - В.О.
MAX6441KAMRRD3+T Max6441kamrrd3+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-8 2,9 мм 1625 мм СОУДНО ПРИОН 8 5,5 В. 1V 8 в дар Ear99 1 Дон Крхлоп 260 0,65 мм 8 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. Не 714 м
MAX6439UTBJYD3+T Max6439utbjyd3+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1V 6 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 260 0,95 мм 6 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 695 м 3,69 В. 3,51 В.
LTC1732EMS-8.4#TRPBF LTC1732EMS-8.4#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP СОУДНО ПРИОН 12 8,8 В. 10 Pro 12 8,8 В. 2 8,4 В. 2A 500 май
LTC4012CUF#PBF LTC4012CUF#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT Qfn НЕТ SVHC 28 20 Pro Не 28 28 4 28 12A
MAX6428LRUR+T MAX6428LRUR+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,12 мм ROHS COMPRINT SOT-23-3 2,92 мм 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 3 1,6 В. 3 в дар Ear99 1 Дон Крхлоп 260 3,7 В. 0,95 мм 3 Промлэнно 1 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 0,0015 Ма Не 320 м 5,5 В. 1,2 В.
MAX6440UTEJRD3+T MAX6440UTEJRD3+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1V 6 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 260 0,95 мм 6 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 695 м 3,69 В. 3,51 В.
MAX6431NRUS+T Max6431nrus+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,2 ММ ROHS COMPRINT SOT-143-4 28575 мм 1,3 мм 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 4 1,6 В. 4 в дар Ear99 1 Дон Крхлоп 260 3,7 В. 1,9 мм 4 Промлэнно 1 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 0,0015 Ма Не 320 м 5,5 В. 1,2 В.
MAX6441KAPQYD3+T Max6441kapqyd3+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-8 2,9 мм 1625 мм СОУДНО ПРИОН 8 5,5 В. 1V 8 в дар Ear99 1 Дон Крхлоп 260 0,65 мм 8 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. Не 714 м
MAX6440UTAJZD3+T Max6440utajzd3+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-6 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1V 6 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 260 0,95 мм 6 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 695 м 3,69 В. 3,51 В.
MAX6441KAAISD3+T MAX6441KAAISD3+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-8 2,9 мм 1625 мм СОУДНО ПРИОН 8 5,5 В. 1V 8 в дар Ear99 2,925 Собрансит Theshold naprayaeneee; Являясь. Не 1 Дон Крхлоп 260 0,65 мм 8 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 714 м
DS2436B/T&R DS2436B/T & R. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2007 /files/maximintegrated-ds2436btr-datasheets-8456.pdf Создание 92 Не -4ma
MAX6440UTNTWD7+T Max6440utntwd7+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-6 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1V 6 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 260 0,95 мм 6 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 695 м 2.665V 2.535V
LTC1732EMS-4.2 LTC1732EMS-4.2 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 85 ° С -40 ° С В MSOP СОДЕРИТС 12 4,5 В. 10 12 4,5 В. 1 4,2 В. 2A 500 май
DS2780E/T&R DS2780E/T & R. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/maximintegrated-ds2780etr-datasheets-8419.pdf TSSOP СОУДНО ПРИОН 8 Оло Не 4,2 В.
ISL9228IRZ ISL9228IRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-isl9228irz-datasheets-8400.pdf DFN EP 3 ММ 3 ММ 10 10 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО Дон 260 0,5 мм 10 Промлэнно 24 4,3 В. 1 САМЕМАПА В дар Синейский зал 4,2 В.
LTC1732EMS-4 LTC1732EMS-4 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP СОДЕРИТС 12 4,5 В. 10 12 4,5 В. 1 4,1 В. 2A 500 май
MAX6439UTKSSD3+T Max6439utkssd3+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT 2012 /files/maximintegrated-max6439utkssd3t-datasheets-8380.pdf SOT-23-6 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1V 6 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 260 0,95 мм 6 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 695 м 2.563V 2.438V
MAX6430KRUS+T MAX6430KRUS+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,2 ММ ROHS COMPRINT SOT-143 28575 мм 1,3 мм 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 4 1,6 В. 4 в дар Ear99 1 Дон Крхлоп 260 3,7 В. 1,9 мм 4 Промлэнно 1 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 0,0015 Ма Не 320 м 5,5 В. 1,2 В.
MAX6441KABGZD7+T Max6441kabgzd7+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-8 2,9 мм 1625 мм СОУДНО ПРИОН 8 5,5 В. 1V 8 в дар Ear99 2,313 Соберсит. Я не Не 1 Дон Крхлоп 260 0,65 мм 8 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 714 м
MAX6439UTAIYD7+T Max6439utaiyd7+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-6 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1V 6 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 260 0,95 мм 6 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 695 м 3.588V 3.413V
LTC1732EMS-4#TRPBF LTC1732EMS-4#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP СОУДНО ПРИОН 12 4,5 В. 10 Pro 12 4,5 В. 1 4,1 В. 2A 500 май
LTC3300IUK-1#TRPBF LTC3300IUK-1#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT Qfn 48 Pro
LTC1732EMS-4#TR LTC1732EMS-4#Tr Analog Devices, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 85 ° С -40 ° С В MSOP СОДЕРИТС 12 4,5 В. 10 12 4,5 В. 1 4,1 В. 2A 500 май
ATA6871-TLPW ATA6871-TLPW Atmel (Microchip Technology)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 1,5 мм ROHS COMPRINT LSSOP 9,35 мм 4,4 мм 28 30 6,9 В. 28 Ear99 НЕИ 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 0,65 мм 28 Промлэнно 1 САМЕМАПА Не Н.Квалиирована
LTC1732EMS-4#PBF LTC1732EMS-4#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 12 4,5 В. 10 Pro 12 12 4,5 В. 1 4,1 В. 2A 500 май
TPS65013RGZRG4 TPS65013RGZRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 85 ° С -40 ° С 1,25 мг 1 ММ ROHS COMPRINT VQFN 7 мм 7 мм СОДЕРИТС 48 139,989945 м 5,5 В. 4,5 В. 48 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Квадран 260 3,6 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 2 САМЕМАПА В дар Синейский зал 3,6 В. 0,07 Ма 70 мка 3,3 В. 1A
MAX6440UTPQVD3+T Max6440utpqvd3+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-6 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1V 6 в дар Ear99 1,575 Sbros theshold naprayanip; Я не Не 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 260 0,95 мм 6 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 695 м 2.358V 2.243V
MAX6441KANQSD3+T Max6441Kanqsd3+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-8 2,9 мм 1625 мм СОУДНО ПРИОН 8 5,5 В. 1V 8 в дар Ear99 2,925 Собрансит Theshold naprayaeneee; Я не 1 Дон Крхлоп 260 0,65 мм 8 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. Не 714 м
TPS65022RHARG4 TPS65022RHARG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 85 ° С -40 ° С 1,5 мг 1 ММ ROHS COMPRINT VQFN 6 мм 6 мм СОУДНО ПРИОН 40 103,986051 м 2,5 В. 40 Ear99 Не 8542.39.00.01 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Квадран 260 3,6 В. 0,5 мм 40 Промлэнно 1 САМЕМАПА В дар Синейский зал 0,043 Ма 85 Мка 3,3 В.
MAX6439UTAHVD7+T Max6439utahvd7+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С Bicmos 1,45 мм ROHS COMPRINT SOT-23-6 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 6 5,5 В. 1V 6 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 Дон Крхлоп 260 0,95 мм 6 Промлэнно 2 САМЕМАПА 40 Не Синейский зал 1,2/5. 695 м 3.485V 3.315V

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.