Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактБуферы и драйверы часов(8742)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Способ упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Частота (макс.) | Количество выходов | Сегодняшний день | Защита от ЭСР | Макс. рабочий цикл | Рабочий цикл | Количество входов | Выход | фмакс-мин | Максимальный ток источника питания (ICC) | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Задержка распространения (tpd) | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | Первичная тактовая частота/номинальная кварцевая частота | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 558Г-01ЛФТ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределение), делитель, мультиплексор | ЧасыБлоки™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-558g01lf-datasheets-5875.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 2,375 В~5,5 В | ИКС558-01 | 1 | 250 МГц | 3-позиционный, КМОП | КМОП, ПЭКЛ | 2:4 | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8S89202BКИЛФ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разделитель | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | /files/renesaselectronicsamericainc-8s89202bkilft-datasheets-8821.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 2,375–2,625 В 2,97–3,63 В | 1 | 3 ГГц | LVPECL | ХМЛ, LVDS, LVPECL | 1:8 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8S89871ANLGI | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер/Драйвер | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/renesaselectronicsamemericainc-8s89871anlgi8-datasheets-7984.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 2,375 В~3,6 В | 1 | 3,2 ГГц | LVPECL | ХМЛ, LVDS, LVPECL | 1:2 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ6Л11ММНР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | ЭКЛИНПС МАКС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-nb6l11mmng-datasheets-5879.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 5 недель | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | Нет | 1 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | 2,375~3,63 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | НБ6Л11 | 16 | 3,63 В | 2,375 В | 40 | Драйверы часов | +-2,5/+-3,3 В | 1 | 6л | 325 пс. | 325 пс. | 4 ГГц | 4 | 60 % | 60 % | ХМЛ | 0,325 нс | ХМЛ, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL | 1:2 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN0305042RTHR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), разделитель | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 24-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 1 мм | 4 мм | Без свинца | 24 | 6 недель | 45,387587мг | 24 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 880 мкм | Нет | ТР | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 3В~3,6В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СН305042 | 24 | 3,6 В | 3В | 1 | Часы | 800 МГц | 4 | LVCMOS, LVPECL | 800 МГц | 2,6 нс | 0,03 нс | ХМЛ, HSTL, LVDS, LVPECL, SSTL-2, VML | 1:3 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8Т73С208Б-01НЛГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), разделитель | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-8t73s208b01nlgi8-datasheets-8772.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 12 недель | 2375~3465В | 1 | 1 ГГц | LVPECL | ХМЛ, LVDS, LVPECL | 1:8 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX9320EUA+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/maximintegrated-max9320esa-datasheets-6285.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 30 мА | е3 | 2,25 В~3,8 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | МАКС9320 | 8 | 2,25 В | 1 | 3 ГГц | Да | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | 0,265 нс | 0,03 нс | HSTL, LVECL, LVPECL | 2:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ3Н108КМНР4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), данные | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 400 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nb3n108kmng-datasheets-8720.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 950 мкм | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 21 неделя | Нет СВВК | 32 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 1 | 230 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~3,6В | КВАД | 3,3 В | НБ3Н108 | 32 | 3,6 В | 3В | 1 | 3Н | Часы | 1,1 нс | 8 | ХСЛ, ЛВДС | HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL | 1:8 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛМК00301АРХСР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение), мультиплексор, транслятор | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 | Соответствует ROHS3 | 48-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 800 мкм | 7 мм | 48 | 6 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 750 мкм | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3,15 В~3,45 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | ЛМК00301 | 3,45 В | 1 | ЛМК | 3,1 ГГц | 11 | HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 0,885 нс | 0,05 нс | CML, HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL, SSTL, кристалл | 3:10 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89200UMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределение), делитель, мультиплексор | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy89200umg-datasheets-5804.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка, 32-MLF® | 2,5 В | Без свинца | 8 недель | 2,625 В | 2,375 В | 32 | Нет | 2,375~2,625 В | SY89200 | 1 | 32-МЛФ® (5х5) | 900 пс | 1,5 ГГц | 8 | 350 мА | ЛВДС | ХМЛ, ЛВДС, ПЭКЛ | 1:8 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADN4670BCPZ-REEL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер/драйвер, мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 35 мА | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adn4670bstzreel7-datasheets-8166.pdf | 32-WFQFN Открытая колодка, CSP | 5 мм | 5 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 32 | 8 недель | 32 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 1 | 35 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,375~2,625 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | АДН4670 | 32 | 30 | Драйверы часов | 1 | Не квалифицирован | 1,1 Гбит/с | 3 нс | 1,1 ГГц | 10 | 55 % | 2 | ЛВДС | 2:10 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDCLVP215RHBR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cdclvp215rhbr-datasheets-6817.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 1 мм | 5 мм | Без свинца | 32 | 6 недель | 71,809342мг | 32 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | ТР | 2 | е4 | 2,375 В~3,8 В | КВАД | 260 | 2,5 В | CDCLVP215 | 32 | 3,8 В | Драйверы часов | 2 | 215 | 300 пс | 300 пс | 3,5 ГГц | 10 | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | 3500 МГц | 90 мА | 0,005 А | 0,3 нс | 0,03 нс | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | 1:5 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDCLVD2106RHAR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 1 мм | 6 мм | 2,5 В | Без свинца | 40 | 12 недель | 40 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | ТР | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,375~2,625 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | CDCLVD2106 | 40 | НЕ УКАЗАН | Драйверы часов | 2 | Не квалифицирован | CDC | 2,5 нс | 800 МГц | 12 | ЛВДС | 800 МГц | 0,075 нс | LVCMOS, LVDS, LVPECL | 1:6 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDCM1802RGTRG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределение), делитель, мультиплексор | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 1 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 6 недель | 22,906415мг | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | ТР | 1 | е4 | 3В~3,6В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | CDCM1802 | 16 | 3,6 В | 3В | Драйверы часов | 3,3 В | 1 | Буфер, Часы | 800 МГц | LVCMOS, LVPECL | 800 МГц | 0,6 нс | 2,6 нс | LVCMOS, LVPECL, LVTTL | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDC328ADBRG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 16-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6,2 мм | 2 мм | 5,3 мм | 5В | Без свинца | 16 | 6 недель | 128,593437мг | 16 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 1,95 мм | ВОЗМОЖНЫЕ КОМБИНАЦИИ ИСТИННЫХ И ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ВЫХОДОВ СО ВХОДАМИ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛЯРНОСТИЮ | Золото | Нет | ТР | 1 | 40 мА | е4 | 600мВт | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | CDC328 | 16 | 600мВт | Драйверы часов | 5В | 1 | 328 | 5 нс | 5 нс | 6 | 40 мА | 0,048 А | ТТЛ | 1:6 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZL40251LDF1 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределение), делитель, мультиплексор | СмартБуфер™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-zl40250ldg1-datasheets-1416.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,71~3,465 В | 1 | 56-КФН (8х8) | 1035 ГГц | CML, CMOS, HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL, SSTL | КМОП, Кристалл | 4:6 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEP111MNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | 100LVEP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 3 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvep111farg-datasheets-1156.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 950 мкм | 5 мм | Без свинца | 32 | 4 недели | 32 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -2,375 В до -3,8 В. | Нет | 1 | 90 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 2,375 В~3,8 В | КВАД | 260 | 2,5 В | MC100LVEP111 | 32 | 3,8 В | 2,375 В | 40 | +-2,375/+-3,8 В | 1 | Часы | ОКУ, ОКУ | 0,59 нс | 0,5 нс | 0,025 нс | ECL, HSTL, LVDS, PECL | 2:10 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ6Л11ДТР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-nb6l11dr2-datasheets-6052.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 4 недели | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2375~3465В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | НБ6Л11 | 8 | 3,465 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | Драйверы часов | +-2,5/+-3,3 В | 1 | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 6л | 6 ГГц | ОКУ | 0,22 нс | 0,2 нс | ХМЛ, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL | 1:2 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVE310FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | 100ЛВЭ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100lve310fn-datasheets-8927.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 16 недель | 28 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 1 | 2,42 В | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~3,8В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | MC100LVE310 | 28 | 3В | 40 | Драйверы часов | -3,3 В | 1 | 850 пс | 850 пс | 1 ГГц | 8 | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | 0,05 нс | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | 2:8 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 83052АГИ-01ЛФТ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-83052agi01lf-datasheets-1163.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 2375~3465В | ICS83052-01 | 1 | 250 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 2:2 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NB7V33MMNTXG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разделитель | ГигаКомм™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nb7v33mmng-datasheets-5214.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 4 недели | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 2,5 В. | Нет | 1 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | 1,71~2,625 В | КВАД | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | НБ7В33М | 16 | 2,625 В | 40 | Прескалер/Мультивибраторы | 1 | 7В | 700 пс | 10 ГГц | 115 мА | 55 % | 55 % | ХМЛ | 0,05 нс | ХМЛ, LVDS, LVPECL | 1:1 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8535АГ-21ЛФТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-8535ag21lf-datasheets-1241.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 3135~3465В | ICS8535-21 | 1 | 266 МГц | LVPECL | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 2:2 | Нет/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDCLVD1216RGZR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-trf370417irget-datasheets-0676.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | 2,5 В | Без свинца | 48 | 12 недель | 48 | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | ТР | 1 | е4 | 2,375~2,625 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | CDCLVD1216 | 48 | 2 | Драйверы часов | 1 | CDC | 450 мВ | 30 мкА | 2,5 нс | 2,5 нс | 800 МГц | ЛВДС | 800 МГц | 0,055 нс | LVCMOS, LVDS, LVPECL | 2:16 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ3М8Т3910ГМНР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-nb3m8t3910gmnr2g-datasheets-9024.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2375~3465В | КВАД | 2,5 В | 0,5 мм | Тактовые генераторы | 2,5/3,3 В | 1 | S-XQCC-N48 | 1,4 ГГц | 53 % | HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | HCSL, LVDS, LVPECL, SSTL, кристалл | 50 МГц | 3:10 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E111FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e111fnr2-datasheets-5482.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 4 недели | 28 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В С VEE = от -4,2 В до -5,7 В | Олово | Нет | 1 | е3 | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | MC100E111 | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | Драйверы часов | -4,5 В | 1 | 900 пс | 680 пс | 800 МГц | 18 | ОКУ, ОКУ | 0,68 нс | 0,05 нс | ОКУ, ОКУ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 85310AYI-11LFT | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-85310ayi11lf-datasheets-0038.pdf | 32-LQFP | 12 недель | 2,375 В~3,8 В | ICS85310-11 | 1 | 700 МГц | ОКУ, ЛВПЭКЛ | HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL | 2:10 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ6Л11ДР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-nb6l11dr2-datasheets-6052.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 2375~3465В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | НБ6Л11 | 8 | 2,375 В | 40 | Драйверы часов | +-2,5/+-3,3 В | 1 | 6л | 220 пс | 200 пс | 6 ГГц | 4 | ОКУ | 0,22 нс | ХМЛ, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL | 1:2 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 83940DYLFT | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-83940dylf-datasheets-7177.pdf | 32-LQFP | 12 недель | 2375~3465В | ICS83940 | 1 | 32-ТКФП (7х7) | 250 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | CML, LVCMOS, LVPECL, LVTTL, SSTL | 2:18 | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛМК00301SQX/НОПБ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение), мультиплексор, транслятор | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 48-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 800 мкм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | 48 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 750 мкм | EAR99 | ТР | 1 | 13,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,15 В~3,45 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ЛМК00301 | 48 | 3,45 В | НЕ УКАЗАН | Драйверы часов | 3,3 В | 1 | Не квалифицирован | 1,55 нс | 3,1 ГГц | 11 | 55 % | HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 0,05 нс | CML, HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL, SSTL, кристалл | 3:11 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NB7L14MNTXG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | ГигаКомм™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-nb7l14mn1txg-datasheets-4125.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 7 недель | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Олово | Нет | 1 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | 2,375 В~3,6 В | КВАД | 2,5 В | 0,5 мм | НБ7Л14М | 16 | 3,6 В | 2,375 В | Драйверы часов | 2,5/3,3 В | 1 | 7л | 200 пс | 200 пс | 8 ГГц | 8 | 105 мА | 55 % | 55 % | LVPECL | 0,2 нс | 0,05 нс | ХМЛ, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL | 1:4 | Да/Да |
