Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактБуферы и драйверы часов(8742)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Частота (макс.) | Количество выходов | Макс. рабочий цикл | Рабочий цикл | Выход | фмакс-мин | Макс I(ол) | Задержка распространения (tpd) | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY10H841ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100h841zh-datasheets-5847.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | SY10H841 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111JI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100Е, ЭКЛинПС™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111jy-datasheets-0507.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111LJC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10e111ajytr-datasheets-5874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3В~3,8В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 83052AGILF | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-83052agilft-datasheets-0863.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 2375~3465В | ICS83052 | 1 | 250 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 2:1 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL11VZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100EL, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy100el11vzctr-datasheets-9126.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~5,5В | SY100EL11 | 1 | 8-СОИК | Часы | Часы | 1:2 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10H646LJC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10h646ljz-datasheets-6026.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3В~3,6В | SY10H646 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ, ТТЛ | 2:8 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S811JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100s811jz-datasheets-5804.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,75 В~5,25 В | СИ100С811 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | ПЭКЛ | ПЭКЛ, ТТЛ | 2:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10H641AJC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100h641ajc-datasheets-9412.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 1 | ДА | 4,75 В~5,25 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 5В | SY10H641 | 5,25 В | 4,75 В | 1 | Не квалифицированный | S-PQCC-J28 | С | 80 МГц | ТТЛ | 80 МГц | 6,9 нс | 0,3 нс | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100H842LZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3В~3,6В | SY100H842 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10H641JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100h641jz-datasheets-5936.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,75 В~5,25 В | SY10H641 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 135 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL15ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | 100EL, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10el15zgtr-datasheets-5971.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,75 В~5,5 В | SY10EL15 | 1 | 16-СОИК | ОКУ, ОКУ | ОКУ, ОКУ | 2:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10H841ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100h841zh-datasheets-5847.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | SY10H841 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111LEJC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111aejy-datasheets-5764.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3В~5,5В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5330B-B00204-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 710 МГц | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si5330hb00222gm-datasheets-9221.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 850 мкм | 4 мм | 24 | 6 недель | Неизвестный | 24 | Золото | 1 | 10 мА | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СИ5330 | 24 | 3,63 В | 2,97 В | НЕ УКАЗАН | 1 | 2,5 нс | Часы | 4 нс | 4 | 60 % | 60 % | ЛВДС | ХМЛ, HCSL, LVDS, LVPECL | 1:4 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100Е, ЭКЛинПС™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111jy-datasheets-0507.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL11VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100EL, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microchiptechnology-sy10el11vzgtr-datasheets-5829.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~5,5В | SY10EL11 | 1 | 8-СОИК | Часы | Часы | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL11VZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100EL, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microchiptechnology-sy10el11vzgtr-datasheets-5829.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~5,5В | SY10EL11 | 1 | 8-СОИК | Часы | Часы | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDCV304PWG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 39,008944 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1 мм | EAR99 | Золото | Нет | 1 | е4 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | CDCV304 | 8 | 3,6 В | 2,3 В | Драйверы часов | 3,3 В | 1 | 304 | 3 нс | 2,5 нс | 200 МГц | 4 | 200 МГц | ЛВТТЛ | 1:4 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||
| SY10E111LJC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e111ajytr-datasheets-5874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3В~3,8В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10H646LJC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10h646ljz-datasheets-6026.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3В~3,6В | SY10H646 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ, ТТЛ | 2:8 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S811ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100s811jz-datasheets-5804.pdf | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | СИ100С811 | 1 | 28-СОИК | ПЭКЛ | ПЭКЛ, ТТЛ | 2:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP11UZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100ЭП, ЭКЛ Про® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100ep11ukgtr-datasheets-9900.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,375 В~5,5 В | SY10EP11 | 1 | 8-СОИК | 3 ГГц | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111LEJC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111aejy-datasheets-5764.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3В~5,5В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP11UKC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100ЭП, ЭКЛ Про® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100ep11ukgtr-datasheets-9900.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 2,375 В~5,5 В | SY10EP11 | 1 | 8-МСОП | 3 ГГц | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100H841LZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100h841lzh-datasheets-5863.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,52 мм | 16 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | SY100H841 | 3,6 В | 3В | 1 | 160 МГц | ТТЛ | 0,3 нс | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100H646LJZ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | 160 МГц | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10h646ljz-datasheets-6026.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3,3 В | Содержит свинец | 28 | 28 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3В~3,6В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | SY100H646 | 3,6 В | 3В | 40 | 1 | Не квалифицированный | 8 | ТТЛ | 3,25 нс | 0,3 нс | ПЭКЛ, ТТЛ | 2:8 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H646FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | 5В | Без свинца | 28 | 28 | да | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 4,75 В~5,25 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | MC10H646 | 28 | 40 | Драйверы часов | 5В | 1 | 10 ч. | 7 нс | 80 МГц | 8 | ТТЛ | 0,024 А | 0,5 нс | ПЭКЛ, ТТЛ | 2:8 | Да/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100HA643JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100ha643jytr-datasheets-6207.pdf | 28-LCC (J-вывод) | ±4,2 В~5,5 В 4,75 В~5,25 В | SY100HA643 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 160 МГц | ТТЛ | ОКУ | 2:8 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100H842ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10h842zc-datasheets-4949.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | SY100H842 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EP210UTI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100EP, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 32-ТКФП | 2,375 В~3,8 В | СИ100ЭП210 | 2 | 32-ТКФП (7х7) | 3 ГГц | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | HSTL, LVECL, LVPECL | 1:5 | Да/Да |
