Буферы и драйверы часов - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Берги иривр

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть Колист Nagruзka emcostath Я ASTOTA (MMAKS) Колист Кргителнь ТОК Р. Бабо Wshod Вес Колиствоистенн Весна кондигионирований Fmax-Min Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Я ТОТ КРЕВО Wshod Сооотвор - Вес: Deferenenцial - vхod: vыvod
MC100EL11DTR2G MC100EL11DTR2G Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-mc10el11dtg-datasheets-7722.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 в дар Rerжim necl: vcc = 0 с vee = -4,2v odo -5,7 НЕИ 1 E3 МАГОВОЙ В дар 4,2 В ~ 5,7 В. Дон Крхлоп 260 5в 0,65 мм 8 5,7 В. 4,2 В. 40 1 Коммер S-PDSO-G8 1,5 -е Ecl, Pecl 0,34 млн 0,02 млн Ecl, Pecl 1: 2 DA/DA
MC100EL11DTG MC100EL11DTG Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-mc10el11dtg-datasheets-7722.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 не Rerжim necl: vcc = 0 с vee = -4,2v odo -5,7 НЕИ 1 E3 МАГОВОЙ В дар 4,2 В ~ 5,7 В. Дон Крхлоп 260 5в 0,65 мм 8 5,7 В. 4,2 В. 40 1 Коммер S-PDSO-G8 1,5 -е Ecl, Pecl 0,34 млн 0,02 млн Ecl, Pecl 1: 2 DA/DA
CDC208NSR CDC208NSR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 12,6 мм 2 ММ 5,3 мм 5в СОУДНО ПРИОН 20 6 270.000858mg 20 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 1,95 мм Ear99 ЗOLOTO Тргенд 2 80 мка E4 1,6 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 5в CDC208 20 Nukahan 1,6 Верный Аатер -/Приоэратхики 5в 2 Н.Квалиирована 208 4 50pf 14,9 млн 60 мг 8 8 мка CMOS 60 мг 11,7 м 1 млн В 1: 4 НЕТ/НЕТ
100EL11M 100el11m Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-100el11m-datasheets-7737.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар 1 E3 МАГОВОЙ В дар 4,2 В ~ 5,5. Дон Крхлоп 260 5в 8 5,5 В. 4,2 В. Nukahan 1 Коммер R-PDSO-G8 2 0,34 млн 0,02 млн Эkl 1: 2 DA/DA
MC100EL11DR2 MC100EL11DR2 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc10el11d-datasheets-7638.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар Rerжim necl: vcc = 0 с vee = -4,2v odo -5,7 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 5в 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,7 В. 4,2 В. 30 Коммер R-PDSO-G8 Otkrыtый эmiTter 2 DIFERENцIAL 0,34 млн 0,02 млн 1: 2
100LVEL11MX 100lvel11mx Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100lvel Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-100lvel11mx-datasheets-7739.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар 1 E3 МАГОВОЙ В дар 3 В ~ 3,8 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 8 3,8 В. 3В Nukahan 1 Коммер R-PDSO-G8 2 0,405 м 0,02 млн Эkl 1: 2 DA/DA
853S024AYLF 853S024AYLF Renesas Electronics America Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) /files/renesaselectronicsamericainc-853s024aylf-datasheets-7740.pdf 64-TQFP OTKRыTAIN ANPLOZADCA 3.135V ~ 3.465V ICS853S024 1 1,5 -е Lvpecl HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL 1:24 DA/DA
MC100EL15D MC100EL15D Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Бер -вентиллоровов (raSpreDeveneee), mUlypleksor 100 Пефер Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc10el15d-datasheets-7726.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар Rerжim necl: vcc = 0 с vee = oT -4,2 -5,7 В. 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 5в 1,27 ММ 16 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,7 В. 4,2 В. 30 Коммер R-PDSO-G16 Otkrыtый эmiTter 4 Deferenenцialnый mryks 0,72 м 0,05 млн 2: 4
CY25482SXC-005 CY25482SXC-005 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Трубка 3 (168 чASOW) В
MC100EP11D MC100EP11d Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100эP Пефер Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc100ep11dr2dasheets-7708.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар Rerжim necl: vcc = 0 с Vee = -3,0v odO -5,5V 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 3В 30 Коммер R-PDSO-G8 10EP 2 DIFERENцIAL 0,3 м 0,12 млн 1: 2
HMC850LC3TR HMC850LC3TR Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 0,92 мм Rohs3 /files/analogdevicesinc-hmc850lc3tr-datasheets-7746.pdf 16-vfcqfn otkrыtai-anpeщadca 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 16 8 16 Проиджодво (posleDene obnowyneee: 1 ноял не 1 -3V ~ -3,6V Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм HMC850 16 30 ЧASы -DrAйVERы -3,3 В. 1 Н.Квалиирована 850 20 Гер CML 1: 2 DA/DA
MC100LVEP11DT MC100LVEP11DT Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100LVEP Пефер Трубка 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С Эkl 1,1 мм В 2006 /files/rochesterelectronicsllc-mc100lvep11d-datasheets-7692.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 8 3,8 В. 2.375V не Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -2,375v do -3,8 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 2,5 В. 0,65 мм 8 Промлэнно 30 Коммер S-PDSO-G8 310 с 4 DIFERENцIAL 0,02 млн 1: 2
CY2545C020 CY2545C020 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 3 (168 чASOW) В
CY2548C004T CY2548C004T Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) В
MC100EP11DR2 MC100EP11DR2 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100эP Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc100ep11dr2dasheets-7708.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 не Rerжim necl: vcc = 0 с Vee = -3,0v odO -5,5V 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 3В 30 Коммер R-PDSO-G8 10EP 2 DIFERENцIAL 0,3 м 0,12 млн 1: 2
MC100LVE310FN MC100LVE310FN Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Бер -вентиллоровов (raSpreDeveneee), mUlypleksor 100LVE Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc100lve310fn-datasheets-7728.pdf 28-LCC (J-Lead) 28 в дар Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -3v o -3,8 1 E0 Олейнн В дар 3 В ~ 3,8 В. Квадран J Bend 240 3,3 В. 28 3,8 В. 3В 30 1 Коммер S-PQCC-J28 1 гер LVECL, LVPECL 0,8 млн 0,05 млн LVECL, LVPECL 2: 8 DA/DA
CDC339DWR CDC339DWR Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Bicmos 2,65 мм Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 в дар 1 E4 Ngecely palladyй В дар 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 5в 20 5,25 В. 4,75 В. Nukahan 1 Коммер R-PDSO-G20 CDC 80 мг 3-шТат 8 80 мг 9 млн 0,9 млн В 1: 8 НЕТ/НЕТ
LMK00308SQ/NOPB LMK00308SQ/NOPB Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Буферный фанат (raspredeleneee), мультиплексор Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 3 (168 чASOW) Rohs3 40-wfqfn otkrыtai-anploщadka 6 мм 800 мкм 6 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 40 6 40 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 750 мкм Не Тргенд 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 3,15 В ~ 3,45 Квадран 260 3,3 В. 0,5 мм LMK00308 40 3,45 В. ЧASы -DrAйVERы 1 5pf 3,1 -е 9 55 % HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL 2,7 млн 2,7 млн 0,05 млн CML, HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL, SSTL, Crystal 3: 9 DA/DA
MC10LVEP11DR2 MC10LVEP11DR2 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl В /files/rochesterelectronicsllc-mc100lvep11d-datasheets-7692.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -2,375v do -3,8 НЕИ 1 E0 Олейнн В дар 2 375 $ 3,8 Дон Крхлоп 240 2,5 В. 8 3,8 В. 2.375V 30 1 Коммер R-PDSO-G8 3 гер Ecl, Pecl 0,02 млн CML, LVDS, PECL 1: 2 DA/DA
MC100EL11DT MC100EL11DT Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100 Пефер Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 1,1 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc10el11d-datasheets-7638.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 в дар Rerжim necl: vcc = 0 с vee = -4,2v odo -5,7 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 5в 0,65 мм 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,7 В. 4,2 В. 30 Коммер S-PDSO-G8 2 DIFERENцIAL 0,34 млн 0,02 млн 1: 2
MC100LVEL11DR2 MC100LVEL11DR2 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100lvel Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc100lvel11d-datasheets-7701.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар Rerжim necl: 0v vcc c vee = ot -3v do -3,8v 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,8 В. 3В 30 Коммер R-PDSO-G8 Otkrыtый эmiTter 2 DIFERENцIAL 1000 мг 0,405 м 0,02 млн 1: 2
MC10EP11D MC10EP11d Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 10EP Пефер Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc100ep11dr2dasheets-7708.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар Rerжim necl: vcc = 0 с Vee = -3,0v odO -5,5V 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 3В 30 Коммер R-PDSO-G8 2 DIFERENцIAL 0,3 м 0,12 млн 1: 2
MC10EL11DTG MC10EL11DTG Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 10el Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-mc10el11dtg-datasheets-7722.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 не Rerжim necl: vcc = 0 с vee = -4,2v odo -5,7 НЕИ 1 E3 МАГОВОЙ В дар 4,2 В ~ 5,7 В. Дон Крхлоп 260 5в 0,65 мм 8 5,7 В. 4,2 В. 40 1 Коммер S-PDSO-G8 1,5 -е Ecl, Pecl 0,34 млн 0,02 млн Ecl, Pecl 1: 2 DA/DA
CY2309SI-1HT CY2309SI-1HT Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Nulewoй byferergh Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 1727 мм В /files/rochesterelectronicsllc-cy2309si1ht-datasheets-7723.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9 893 мм 38985 ММ 16 не 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 235 3,3 В. 1,27 ММ 16 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,6 В. 3В Nukahan Коммер R-PDSO-G16 2309 3-шТат 8 Станода 133,33 мг 8,7 млн 0,25 млн 1: 9
CY2DP818ZXI-2 CY2DP818ZXI-2 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-cy2dp818zxc2-datasheets-7693.pdf 38-TFSOP (0,173, шIRINA 4,40 мм) 9,7 мм 4,4 мм 38 НЕИ 1 В дар 3.135V ~ 3.465V Дон Крхлоп 3,3 В. 0,5 мм 38 3.465V 1 Коммер R-PDSO-G38 2DP 350 мг Lvpecl 5 млн 0,2 м LVDS, LVPECL, LVTTL 1: 8 DA/DA
MC10LVEP11D MC10LVEP11d Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 10lvep Пефер Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc100lvep11d-datasheets-7692.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -2,375v do -3,8 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 2,5 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,8 В. 2.375V 30 Коммер R-PDSO-G8 2 DIFERENцIAL 0,31 м 0,02 млн 1: 2
MC10EL15D MC10EL15D Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Бер -вентиллоровов (raSpreDeveneee), mUlypleksor 10el Пефер Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc10el15d-datasheets-7726.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар Rerжim necl: vcc = 0 с vee = oT -4,2 -5,7 В. 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 5в 1,27 ММ 16 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,7 В. 4,2 В. 30 Коммер R-PDSO-G16 Otkrыtый эmiTter 4 Deferenenцialnый mryks 0,72 м 0,05 млн 2: 4
CY2548C004 CY2548C004 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 3 (168 чASOW) В
CY22388ZXC-11 CY2238888ZXC-11 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Трубка 3 (168 чASOW) В
MC100LVEL11D MC100LVEL11D Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Берраната 100lvel Пефер Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl 1,75 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc100lvel11d-datasheets-7701.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 в дар Rerжim necl: 0v vcc c vee = ot -3v do -3,8v 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 1,27 ММ 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,8 В. 3В 30 Коммер R-PDSO-G8 Otkrыtый эmiTter 2 DIFERENцIAL 1000 мг 0,405 м 0,02 млн 1: 2
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)