Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Счетчики и перегородки - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МЕСТОД УПАКОККИ Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Колист Вес В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Колист Коли Кргителнь ТОК На том, что Колист Псевдоним Колист Вес Синронигированая/Асинровский ТИП Колист Fmax-Min Колист Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ТИП Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup ЗagruжaTA/predooctanownen -хod Rerжim rabotы СССЛКА Wremav
74LV393DB,118 74LV393DB, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT 2013 /files/nexperiausainc-74lv393pw112-datasheets-4265.pdf 14-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 5,3 мм 3,3 В. 14 8 14 ЗOLOTO Не 2 E4 1 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV393 14 5,5 В. 1V 30 2 LV/LV-A/LVX/H. 60 млн Прилавок 60 млн 4 160 мка Вес Асинров Negativnoe opreimaheestvo БИАНАРНАС Negativnoe opreimaheestvo 20 мг
MC100E137FNG MC100E137FNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Трубка 3 (168 чASOW) 85 ° С 0 ° С Эkl 2,2 -е 4,57 мм Rohs3 2006 /files/ONSEMORONDURTOR-MC10E137FNG-DATASHEETS-5059.pdf PLCC СОУДНО ПРИОН 28 13 1.182714G НЕТ SVHC 5,7 В. 4,2 В. 28 Срок службы (posleDniй obnownen: 2 месяца назад) в дар Ear99 1 4.12V E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран J Bend 260 28 Drugoй 40 1 Н.Квалиирована 8 50 май 4,95 млн Прилавок 4,8 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Асинров Otkrыtый эmiTter Poloshitelgnый kraй
SN74ALS191ADG4 SN74ALS191ADG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 30 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 158 ММ TCO Вес Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS191 16 1 Ас 50pf Прилавок 37 м 4 В.В. Poloshitelgnый kraй 22 май БИАНАРНАС 0,008 а Poloshitelgnый kraй В дар Синжронно
SN74ALS161BNSR SN74ALS161BNSR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 40 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74als161bnsr-datasheets-1042.pdf 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 10,3 мм 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 200.686274mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 1,95 мм Ear99 TCO Вес Тргенд 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS161 16 Nukahan 1 Н.Квалиирована Ас 50pf Прилавок 24 млн 4 Вес Асинров Poloshitelgnый kraй БИАНАРНАС 0,008 а 20 млн Poloshitelgnый kraй Синжронно
SN74ALS869DWE4 SN74ALS869DWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 35 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74als869dwe4-datasheets-1045.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м 24 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2,35 мм Веса; Сэтгит 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS869 24 Nukahan 1 Н.Квалиирована Ас 50pf Прилавок 16 млн 8 В.В. Синжронно Poloshitelgnый kraй 45 май БИАНАРНАС Poloshitelgnый kraй
SN74LS191DE4 SN74LS191DE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 25 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74ls191de4-datasheets-1049.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм 5,25 В. СОДЕРИТС 16 6 141.690917mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 158 ММ TCO Вес 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 74LS191 16 Nukahan 1 Н.Квалиирована Лаурет Прилавок 4 В.В. Poloshitelgnый kraй 20 мг БИАНАРНАС 52 м Poloshitelgnый kraй 36 млн В дар Синжронно
SN54HC191TDE1 SN54HC191TDE1 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 54HC Пефер Пефер 25 ° С Трубка CMOS В Умират СОДЕРИТС 16 8 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) 1 Вергини NeT -lederStva Nukahan 54HC191 Nukahan 1 HC/UH Прилавок 4 В.В. Асинров Poloshitelgnый kraй БИАНАРНАС 58 м Синжронно
MC10EP016FAG MC10EP016FAG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10EP Пефер Пефер -40 ° C ~ 70 ° C. Поднос 2 (1 годы) Эkl 1 мг Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mc10ep016far2g-datasheets-1677.pdf 32-LQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 32 28 nedely 32 Активна (Постенни в в дар Rerжim necl: 0v vcc c vee = -3,0v oDO -5,5V Не 1 2,48 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 3 В ~ 3,6 В. Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 10EP016 32 40 1 -5.2V 10E 8 800 с Прилавок 650 с Вес 8 Асинров Otkrыtый эmiTter Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 200 май БИАНАРНАС 1,4 -е Синжронно
SY100EP33VKG-TR SY100EP33VKG-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100эP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С Rohs3 2010 ГОД /files/microchiptechnology-sy100ep33vkg-datasheets-4259.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) СОУДНО ПРИОН 8 5,5 В. 2,97 8 Не 3,3 В ~ 5 В. 100EP33 1 8-марсоп 500 с 500 с 2 1 Асинров Poloshitelgnый, otriцaTeLnый Р.А.Делите-4 4 Гер
MC14569BDWR2G MC14569BDWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 2012 /files/onsemyonductor-nlv14569bdwr2g-datasheets-1577.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 10,45 мм 2,4 мм 7,6 мм СОУДНО ПРИОН 16 2 nede 16 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 3v ~ 18v Дон Крхлоп 260 4569 16 40 2 PreSkAler/mnogoviebraTOrы Н.Квалиирована 1,2 мкс Прилавок 400 млн 4 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 8 Асинров Poloshitelgnый kraй 1 Р.А.Д. Poloshitelgnый kraй 13 мг
MC10E016FNR2G MC10E016FNR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10E Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mc10e016fnr2g-datasheets-1700.pdf 28-LCC (J-Lead) СОУДНО ПРИОН 28 10 nedely 28 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -4,2v -5,7 Лю 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 4,2 В ~ 5,7 В. Квадран J Bend 260 10E016 28 5,7 В. 4,2 В. 40 1 -5.2V Н.Квалиирована 10E 900 с Прилавок 900 с 8 Вес Асинров Otkrыtый эmiTter Poloshitelgnый kraй 700 мг БИАНАРНАС Poloshitelgnый kraй 7000000000000 ГГ 900 мг Синжронно
CD4518BPWE4 CD4518BPWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 8 мг Rohs3 /files/texasinstruments-cd4518bpwe4-datasheets-1010.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 1 ММ ЗakrыTы чAsы; Тригер ЗOLOTO 2 E4 3v ~ 18v Дон Крхлоп 260 CD4518 16 18В Nukahan 2 5/15 В. Н.Квалиирована 650 млн 50pf Прилавок 650 млн 4 100 мк Вес Асинров Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 0,03 Ма BCD CSHETSHIK 0,0015 а Синжронно
NLV74HC4020ADR2G NLV74HC4020ADR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100, 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 1999 /files/onsemyonductor-mc74hc40202020adr2g-datasheets-9051.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 51 nedel 16 Активна (postednyй obnownen: 2 nededeli -nanazhad) в дар 2 В ~ 6 В. 16 1 Прилавок 14 Вес Асинров Negativnoe opreimaheestvo БИАНАРНАС Negativnoe opreimaheestvo 50 мг
SN74AS869DW SN74AS869DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С 45 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74as869dw-datasheets-1015.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 6 624,398247 м НЕТ SVHC 5,5 В. 4,5 В. 24 Активна (Постенни в 2,35 мм Не 4,5 n 5,5. 74AS869 1 24 года 8 35 м Прилавок 35 м 8 В.В. Синжронно Синжронно Poloshitelgnый kraй БИАНАРНАС Poloshitelgnый kraй 45 мг Синжронно
CD74HC4060PWT CD74HC4060PWT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT CMOS 35 мг Rohs3 /files/texasinstruments-cd74hc4060pwt-datasheets-0970.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1 ММ ЗOLOTO Тргенд 1 E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. 74HC4060 16 Nukahan 1 2/6. Н.Квалиирована HC/UH 450 млн 50pf Прилавок 450 млн 14 8 мка Вес Асинров Negativnoe opreimaheestvo 23 мг 0,08 Ма БИАНАРНАС 0,0052 а 64 м Negativnoe opreimaheestvo
SN74LS697DW SN74LS697DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) SMD/SMT В 20 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74ls697dw-datasheets-0978.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 20 6 500.709277mg НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в в дар 2,35 мм Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 74LS697 20 1 Лаурет 40 млн Прилавок 40 млн 4 Вес Асинров 3-шТат Poloshitelgnый kraй 70 май БИАНАРНАС Poloshitelgnый kraй Синжронно
74HC191DB,118 74HC191DB, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 1997 /files/nexperiausainc-74hc191pw118-datasheets-1046.pdf 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 6,2 мм 5,3 мм 16 13 16 TCO Вес ЗOLOTO Не 1 E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC191 16 30 1 HC/UH 50pf Прилавок 395 м 4 8 мка В.В. Poloshitelgnый kraй БИАНАРНАС Poloshitelgnый kraй В дар 39 мг Синжронно
MC100EP33MNR4G MC100EP33MNR4G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100эP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100ep33dtg-datasheets-4419.pdf 8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca 2 ММ 2 ММ 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe 8 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -3v o -5,5V Не 1 Ngechelh/зoLoTOTO/PALLAODIй (Ni/Au/PD) БЕЗОПАСНЫЙ 3 n 5,5. Дон 260 3,3 В. 0,5 мм 100EP33 8 40 1 PreSkAler/mnogoviebraTOrы Додер -4,5 Асинров Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 1 37 май Р.А.Делите-4 0,44 м 4000000000 ГГ 4 Гер
SN74ALS569ANG4 SN74ALS569ANG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 6 4,5 n 5,5. 74ALS569 1 4 В.В. Асинронно/Синронно Poloshitelgnый kraй БИАНАРНАС 30 мг Синжронно
MC100LVEL32DTR2G MC100LVEL32DTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100lvel Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100lvel32dtg-datasheets-4947.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 8 8 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар Оло 1 E3 БЕЗОПАСНЫЙ 3 В ~ 3,8 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 100lvel32 8 40 1 PreSkAler/mnogoviebraTOrы Додер +-3V Н.Квалиирована 680 ps Асинров Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 2400 мг 1 36 май Р.А.Д.Литель-2 260000000000 gц 2,6 -е
74LVC163D,112 74LVC163D, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2010 ГОД /files/nexperiausainc-74lvc163d118-datasheets-1217.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4 neDe 1,2 n 3,6 В. 74LVC163 1 4 Вес Синжронно Poloshitelgnый kraй БИАНАРНАС 150 мг
MC100EP33DTR2G MC100EP33DTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100эP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100ep33dtg-datasheets-4419.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 8 8 8 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Ear99 Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -3v o -5,5V Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 3 n 5,5. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 100EP33 8 40 1 PreSkAler/mnogoviebraTOrы Додер -4,5 Асинров Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 1 37 май Р.А.Делите-4 0,44 м 4000000000 ГГ 4 Гер
MC10EP016FAR2G MC10EP016FAR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10EP Пефер Пефер -40 ° C ~ 70 ° C. Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) Эkl Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mc10ep016far2g-datasheets-1677.pdf 32-LQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 32 5 nedely 32 Активна (Постенни в в дар Rerжim necl: 0v vcc c vee = -3,0v oDO -5,5V Лю 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 3 В ~ 3,6 В. Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 10EP016 32 40 1 -5.2V Н.Квалиирована 10E 8 800 с Прилавок 650 с Вес 8 Асинров Otkrыtый эmiTter Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 200 май БИАНАРНАС 1,4 -е Синжронно
CD74HC193MT CD74HC193MT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-cd74hc193mt-datasheets-0947.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 158 ММ Tco up и Tco -vniз vыхodы; Otdelne чasы -vverх/voniз ЗOLOTO Не Тргенд 1 E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. 74HC193 16 4 1 2/6. HC/UH 4 330 млн 50pf Прилавок 330 млн 8 мка В.В. Асинров Poloshitelgnый kraй 20 мг 0,08 Ма БИАНАРНАС 0,0052 а Poloshitelgnый kraй 29 мг Синжронно
MC100LVEL33DTG MC100LVEL33DTG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100lvel Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemoronductor-mc100lvel33dr2g-datasheets-1633.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe 8 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар Оло Не 1 2,42 В. E3 БЕЗОПАСНЫЙ 3 В ~ 3,8 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 100lvel33 8 40 1 PreSkAler/mnogoviebraTOrы Додер +-3,3 В. 900 с 900 с 2 Асинров Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 1 39 май Р.А.Делите-4 4 Гер
MC100LVEL33DR2G MC100LVEL33DR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100lvel Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemoronductor-mc100lvel33dr2g-datasheets-1633.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 6 8 Активна (Постенни в Обновен: 21 год назад) в дар Оло Не 1 E3 БЕЗОПАСНЫЙ 3 В ~ 3,8 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 100lvel33 8 40 1 PreSkAler/mnogoviebraTOrы Додер +-3,3 В. 900 с 900 с 2 Асинров Otkrыtый эmiTter Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 1 39 май Р.А.Делите-4 4 Гер
MC100EL33DG MC100EL33DG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl 4,2 -е Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mc10el33dg-datasheets-1289.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 1,5 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe НЕТ SVHC 8 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар Не 1 4.12V 27 млн E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 4,2 В ~ 5,7 В. Дон Крхлоп 260 100el33 8 5,7 В. 40 1 PreSkAler/mnogoviebraTOrы Додер Асинров 2 Otkrыtый эmiTter Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 1 33 май Р.А.Делите-4
74HC4040 74HC4040 МИКРОС/НАПОЛУПРОВОВОВОД
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS ROHS COMPRINT /files/microssonsemyonductor-74hc4040-datasheets-1637.pdf Умират 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe в дар Жeleзnodoroжnый 1 E3 Олово (sn) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 16 40 1 Стчики 2/6. Н.Квалиирована HC/UH 50pf 12 Negativnoe opreimaheestvo 40 мг БИАНАРНАС 0,004 а Вес 25000000 ggц Не Асинров 35 мг
CD40103BNSRG4 CD40103BNSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 4,8 мг Rohs3 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 10,3 мм 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 200.686274mg 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 1,95 мм ЗOLOTO Не Тргенд 1 E4 3v ~ 18v Дон Крхлоп 260 CD40103 16 1 600 млн 50pf Прилавок 600 млн 8 100 мк Vniз Асинров Poloshitelgnый kraй 2,4 мг 0,03 Ма БИАНАРНАС 260 м Poloshitelgnый kraй 2,4 мг Синжронно
MC10EP32DR2G MC10EP32DR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10EP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100ep32dtg-datasheets-3133.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 18 540.001716mg 8 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -3v o -5,5V Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 3 n 5,5. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 10EP32 8 5,5 В. 40 PreSkAler/mnogoviebraTOrы Додер -5.2V 10E 480 ps 1 Асинров Poloshitelgnый, otriцaTeLnый 1 40 май Р.А.Д.Литель-2 4000000000 ГГ 4 Гер

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.