Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСчетчики и разделители(4098)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Количество битов | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | Количество выходов | Количество бит на элементе | Сегодняшний день | Направление | Количество входных строк | Перезагрузить | Синхронизация/Асинхронность | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Количество входных данных/синхронизации | Максимальный ток источника питания (ICC) | Тип логики | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Макс. частота в номинальном режиме | Скорость счета | Тайминг |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC100EL33DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10el33dg-datasheets-1289.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | не_совместимо | 1 | е0 | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 100ЭЛ33 | 8 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | 1 | Прескалер/Мультивибраторы | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | 3800 МГц | 1 | 37 мА | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL33ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP32VKI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy100ep32vkg-datasheets-4282.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3В~5,5В | 10ЭП32 | 1 | 8-МСОП | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 2 | 4 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EP32VZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy100ep32vkg-datasheets-4282.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,5 В | Содержит свинец | 16 недель | 6В | 30 мА | 3В~5,5В | 100EP32 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 2 | 4 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL33ZG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | -5,5 В | -4,2 В | 8 | 27мА | 3,3 В~5 В | 100ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 770 пс. | 770 пс. | 2 | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E136JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e136jctr-datasheets-2823.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 10Э136 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 6 | Вверх, вниз | Асинхронный | Положительное преимущество | Двойной счетчик | 650 МГц | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL33ZG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 16 недель | -5,5 В | -4,75 В | 8 | Нет | 27мА | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 770 пс. | 770 пс. | 2 | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EP32VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy100ep32vkg-datasheets-4282.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~5,5В | 100EP32 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 2 | 4 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL33ZG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL33LZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP33VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/microchiptechnology-sy100ep33vzg-datasheets-0487.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭП33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL32VZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ32 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 2 | 3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74АС161МТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74ac161mtr-datasheets-2894.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 16 | 16 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 74AC161 | 16 | 6В | 2В | НЕ УКАЗАН | 1 | 3,3/5 В | Не квалифицированный | переменного тока | 4 | 15 нс | 50пФ | Прилавок | 9 нс | Вверх | 4 | Асинхронный | Положительное преимущество | 95 МГц | Двойной счетчик | Положительное преимущество | 60000000Гц | 125 МГц | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL32VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ32 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 2 | 3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EP33VKI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/microchiptechnology-sy100ep33vzg-datasheets-0487.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В~5 В | 100EP33 | 1 | 8-МСОП | 1 | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL32VZG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | -5,5 В | -3В | 8 | 25 мА | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ32 | 1 | 8-СОИК | 650 пс | 1 | 1 | 30 мА | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 2 | 3 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC161SJX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74ac161pc-datasheets-2352.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Без свинца | 6В | 2В | 16 | 2В~6В | 74AC161 | 1 | 1 | 16-СОП | 4 | 17,5 нс | Прилавок | 9,5 нс | 4 | Вверх | 4 | Асинхронный | синхронный | Положительное преимущество | 4 | Двойной счетчик | Положительное преимущество | 167 МГц | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL33LZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL33ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL33LZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL32VZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ32 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 2 | 3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ10ЭЛ32ВЗГ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | -5,5 В | -3В | 8 | 25 мА | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ32 | 1 | 8-СОИК | 650 пс | 650 пс | 2 | 1 | 30 мА | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 2 | 3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E016JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e016ji-datasheets-2812.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 10E016 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 8 | Вверх | Асинхронный | Положительное преимущество | Двойной счетчик | 900 МГц | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL33LZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 100ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HCT193DB,112 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74HCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/nexperiausainc-74hc193d652-datasheets-3432.pdf | 16-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6,2 мм | 5,3 мм | 5В | 16 | 8 недель | 16 | ВЫХОДЫ TCO UP И TCO DOWN; ОТДЕЛЬНЫЙ ТАЙМЕР ВВЕРХ/ВНИЗ | Нет | БОЛЬШАЯ УПАКОВКА | 1 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74HCT193 | 16 | 30 | 1 | 5В | HCT | 50пФ | Прилавок | 87 нс | 4 | Вверх, вниз | Асинхронный | Положительное преимущество | Двойной счетчик | Положительное преимущество | 43 МГц | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL33LZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В~5 В | 10ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E016JY-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-sy100e016ji-datasheets-2812.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 4,2 В~5,5 В | 10E016 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 8 | Прилавок | 1,05 нс | 8 | Вверх | Асинхронный | синхронный | Положительное преимущество | Двойной счетчик | Положительное преимущество | 900 МГц | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E137JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e137jc-datasheets-2814.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е137 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 8 | Вверх | Асинхронный | Положительное преимущество | Двойной счетчик | 2,2 ГГц | Асинхронный/синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL33ZG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy10el33lzg-datasheets-1531.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | -5,5 В | -4,2 В | 8 | 27мА | 3,3 В~5 В | 100ЭЛ33 | 1 | 8-СОИК | 770 пс. | 770 пс. | 1 | 1 | Вверх | Асинхронный | Позитивный, Отрицательный | Разделить на 4 | 4,2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E016JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e016ji-datasheets-2812.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100E016 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 8 | Вверх | Асинхронный | Положительное преимущество | Двойной счетчик | 900 МГц | синхронный |
