Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Преобразователь DC в DC - Electronic Components Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Колист PBFREE CODE КОД ECCN DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ В конце концов Втипа Файнкхия Колист Vodnaver -koanfiguraцian Napryaneece-nom Napryaneeneee (мин) Napryaneeneeee (mmaks) Вес ТОПОЛОГЯ Синронн Чasы sinхroniзajaip Rerжim upravlenipe Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Переграклейни Фунеми ипра На ASTOTA - PREREKLючENEEEE Raboshyй цikl (mmaks) Вес феврал
CS51221EDTB16G CS51221EDTB16G Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) 2 ММ Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-cs5171gd8g-datasheets-9852.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 в дар E4 Ngecely palladyй В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 40 Коммер Траншисторн ВСКОШИТА/ВНИХ 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 4,7 В. 1A Прэвн Не В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Одинокий Predeltoca, upravleneenee чastotoTOй, ramp, maygeй -start 3,8 В ~ 15 В. 1 мг 85%
UCC2961N UCC2961N Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) В 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 14-Pdip Траншисторн ВСКОШИТА/ВНИХ 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna Прэвн В дар Не Klючitth, уплатель 8 В ~ 19 В 400 kgц 72% 1
EL7512CYZ EL7512CYZ Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 2 (1 годы) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-el7554ire-datasheets-3391.pdf 10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 10 в дар E3 МАГОВОЙ В дар Дон Крхлоп 260 0,5 мм Перегребейни 40 Коммер Траншисторн Унивргат 1 Poloshitelnый SPOSOBSTWOWATH ROOSTU Не МОДУЛЯСАЯ Klючith, upravolenee -чastototoй, neзkiй byatrek 2 n 12 В. 530 кг ~ 1,2 гг 90%
ISL6527IB-T ISL6527IB-T Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6527crt-datasheets-6178.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 3,9 мм 14 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 2,97 3,63 В. БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат ВКЛИТА, ФАБА 2,97 В ~ 3,63 В. 600 kgц 100%
ISL6527IB ISL6527IB Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6527crt-datasheets-6178.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 3,9 мм 14 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 2,97 3,63 В. БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат ВКЛИТА, ФАБА 2,97 В ~ 3,63 В. 600 kgц 100%
MIC38C45ABMM MIC38C45ABMM Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos В /files/rochesterelectronicsllc-mic38c42abm-datasheets-6244.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 0,65 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 30 Коммер R-PDSO-G8 Траншисторн VpreDniTeSesh, vniз, voniз, vprыgnite/vniз 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 15 8,2 В. 0,5а Як, то, что -то В дар Не ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ Одинокий КОНТРОЛЕЙ 7,6 В ~ 20 В. 500 kgц 50%
LV5066V-TLM-H LV5066V-TLM-H Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) В https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-lv3319pmtlme-datasheets-2949.pdf
ISL6522BIR ISL6522BIR Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6526crt-datasheets-6175.pdf 16-vqfn otkrыtaiNav-o 5 ММ 5 ММ 16 не E0 Олейнн В дар Квадран 240 0,8 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 12 БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат Klheitth, upravolenee -чastototoй, faparowose ypravyenee, я. 10,8 n 13,2 В. 200 kgц 100%
ISL6522BCR ISL6522BCR Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6526crt-datasheets-6175.pdf 16-vqfn otkrыtaiNav-o 5 ММ 5 ММ 16 не E0 Олейнн В дар Квадран 240 0,8 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 12 БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат Klheitth, upravolenee -чastototoй, faparowose ypravyenee, я. 10,8 n 13,2 В. 200 kgц 100%
ISL6729IB-T ISL6729IB-T Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 105 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6729iu-datasheets-5976.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 Перегребейни Коммер R-PDSO-G8 Траншисторн ВСКОШИТА/ВНИХ 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 4,75 В. 5,25 В. 1A ПЛАЙТА, ​​ПРЕДИВАЕТСЯ В дар Не ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ Одинокий 4,75 -5,25. Создание 1 марта 99%
ISL6845IU-T ISL6845IU-T Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 105 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos В /files/rochesterelectronicsllc-isl6842ib-datasheets-4601.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 0,65 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ S-PDSO-G8 Траншисторн ПодniniTeSeSe, шagnite/vniз 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 15 1A Пефейт В дар Не ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ Одинокий Prereltoca, koantroly 9 В ~ 16 В. 2 -й март 48%
ISL6522CR-T ISL6522CR-T Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6527crt-datasheets-6179.pdf 16-vqfn otkrыtaiNav-o 5 ММ 5 ММ 16 не E0 Олейнн В дар Квадран 240 0,8 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 12 БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат Klheitth, upravolenee -чastototoй, faparowose ypravyenee, я. 10,8 n 13,2 В. 200 kgц 100%
ADM1051JR ADM1051JR Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Трубка 1 (neograniчennnый) 2,59 мм В /files/rochesterelectronicsllc-adm1052jrreel-datasheets-6005.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 не 1 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 1,27 ММ 8 Коммер 70 ° С DVOйNOй KOONTROLLERERPEREKLGHONYNARY 30 Коммер R-PDSO-G8 12 11.28V 12.72V Одинокий
UC3845ADWTR UC3845ADWTR Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) БИПОЛНА 2,65 мм Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-uc3845adwtr-datasheets-6195.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 16 в дар E4 Ngecely palladyй В дар Дон Крхлоп 260 ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн VpreDniTeSesh, vniз, voniз, vprыgnite/vniз 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 15 8,2 В. 25 В 1A Як, то, что -то Не ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ Одинокий КОНТРОЛЕЙ 7,6 В ~ 30 В. 500 kgц 48%
CS51021AEDR16 CS51021AEDR16 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-cs51411edr8g-datasheets-9876.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 30 Коммер Траншисторн ВСКОШИТА/ВНИХ 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 14 8,2 В. 20 1A Flayback, Storder Converter, Pushpul Не В дар ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ Одинокий Скандал 7,7 В ~ 20 1 мг
ISL6527ACR ISL6527ACR Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6527crt-datasheets-6178.pdf 16-vqfn otkrыtaiNav-o 5 ММ 5 ММ 16 не Ear99 E0 Олейнн В дар Квадран 240 0,8 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 2,97 3,63 В. БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат ВКЛИТА, ФАБА 2,97 В ~ 3,63 В. 300 kgц 100%
ISL6527CR ISL6527CR Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6527crt-datasheets-6178.pdf 16-vqfn otkrыtaiNav-o 5 ММ 5 ММ 16 не E0 Олейнн В дар Квадран 240 0,8 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 2,97 3,63 В. БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат ВКЛИТА, ФАБА 2,97 В ~ 3,63 В. 300 kgц 100%
ISL6522CV-T ISL6522CV-T Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6527crt-datasheets-6179.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 14 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 0,65 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 12 БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат Klheitth, upravolenee -чastototoй, faparowose ypravyenee, я. 10,8 n 13,2 В. 200 kgц 100%
MAX5022EPA+ MAX502222EPA+ Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) В /files/rochesterelectronicsllc-max487eesa-datasheets-2071.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 8-Pdip Траншисторн ВСКОШИТА/ВНИХ 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna ПЛАЙТА, ​​ПРЕДИВАЕТСЯ Не Не 11 В ~ 28 262 75% 1
TL1451ACNS TL1451ACNS Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -20 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-tl3843drg48-datasheets-5906.pdf 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм 16 в дар E4 Ngecely palladyй В дар Дон Крхлоп 260 DVOйNOй KOONTROLLERERPEREKLGHONYNARY 2,5 В. Траншисторн VpreDniTeSesh, vniз, voniз, vprыgnite/vniз 2 Poloshitelnый 3,6 В. 50 Бак, плэт, обран Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ СДВИГ ФРАЙ КОНТРОЛЕЙ 3,6 В ~ 50 В. 1 кг ~ 500 kgц 1
ISL6527CR-T ISL6527CR-T Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6527crt-datasheets-6178.pdf 16-vqfn otkrыtaiNav-o 5 ММ 5 ММ 16 не E0 Олейнн В дар Квадран 240 0,8 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 2,97 3,63 В. БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат ВКЛИТА, ФАБА 2,97 В ~ 3,63 В. 300 kgц 100%
SG3525ADWG SG3525ADWG Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) БИПОЛНА Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-sg3525555adw-datasheets-5909.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар НЕИ E3 МАГОВОЙ В дар Дон Крхлоп 260 ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 40 Коммер Траншисторн ВСКОШИТА/ВНИХ 2 Poloshitelnый 20 35 0,5а Толкат В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Klючitth, уплатель 8 В ~ 35 В. 100 ГГ ~ 400 49% 1
ISL6439CB-T ISL6439CB-T Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6439irt-datasheets-6006.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 3,9 мм 14 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 3.465V БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат ВКЛИТА, ФАБА 2,97 В ~ 3,63 В. 300 kgц 100%
TL2843D TL2843D Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-tl3843drg48-datasheets-5905.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 14 лейт Траншисторн ПодniniTeSeSe, шagnite/vniз 1 Poloshitelnый Пефейт Не Не КОНТРОЛЕЙ 7,6 В ~ 30 В. 500 кг 97% 1
MIC38C43ABMM MIC38C43ABMM Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos В /files/rochesterelectronicsllc-mic38c42abm-datasheets-6244.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 0,65 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 30 Коммер R-PDSO-G8 Траншисторн VpreDniTeSesh, vniз, voniз, vprыgnite/vniз 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 15 8,2 В. 0,5а Як, то, что -то В дар Не ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ Одинокий КОНТРОЛЕЙ 7,6 В ~ 20 В. 500 kgц 96%
ISL6526AIB ISL6526AIB Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6526acb-datasheets-6098.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 3,9 мм 14 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 2,97 3,63 В. 2A БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат ВКЛИТА, ФАБА 2,97 В ~ 3,63 В. 600 kgц 100%
MIC38HC45-1BM MIC38HC45-1BM Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos В /files/rochesterelectronicsllc-mic38hc441bm-datasheets-4576.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 3,9 мм 14 в дар E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 Перегребейни 30 Коммер Траншисторн VpreDniTeSesh, vniз, voniз, vprыgnite/vniз 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 15 8,2 В. 30 1A Як, то, что -то В дар Не ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ 500 kgц КОНТРОЛЕЙ 7,6 В ~ 20 В. 50%
ISL6439IB ISL6439IB Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6439irt-datasheets-6006.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 3,9 мм 14 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 30 Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 3.465V БАК В дар Не Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат ВКЛИТА, ФАБА 2,97 В ~ 3,63 В. 300 kgц 100%
ISL6841IU ISL6841IU Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 105 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos В /files/rochesterelectronicsllc-isl6842ib-datasheets-4601.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 0,65 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ S-PDSO-G8 Траншисторн ПодniniTeSeSe, шagnite/vniз 1 Poloshitelgnый, yзolyship oposobna 7,5 В. 1A Пефейт В дар Не ТЕКУХИЙСРЕЙМ МОДУЛЯСАЯ Одинокий Prereltoca, koantroly 7,5 -~ 14 В. 2 -й март 48%
ISL6406IV-T ISL6406IV-T Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-isl6406ibt-datasheets-6157.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 не E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 0,65 мм ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Nukahan Траншисторн Vniз 1 Poloshitelnый 3,3 В. 2,97 3,63 В. БАК В дар Rershym naprahenyna МОДУЛЯСАЯ Толкат Kklючitth, kontrohlay чastotы, faзowый koantroly 2,97 В ~ 3,63 В. 100 kgц ~ 715 kgц 96%

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.